• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.8 no.5
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• pp.395-402
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• 1997

We have obtained the optimum thickness of anti-reflection(AR) coating on one of facets of a $\1.55mu\textrm{m}$ InGaAsP MQW FP semiconductor laser by in-site monitoring of the light emitted from the rear facet during the film deposition on the fore facet. The optimum thickness of $SiO_x$ thin film whose refractive index is 1.85 was found to be 188 nm. The reflectivity of the coated facet was calculated by the threshold current ratio of before and after AR coating, which was obtained from exprimental data, and it was about 2$\times$ $10^{-4}$. The results show that the output power is increased by 87% at bias current 60 mA, the slope efficiency is increased by 3.4 times, and the threshold current is increased by 2.64 times. By in-situ depositing of the $Si/SiO_2$ thin film HR coating on the rear facet, the output power was increased by 160% than before the AR and HR coatings, the slope efficiency was increased by 3.8 times, the threshold current was increased by 1.07 times, which is similar to the value of before AR coating. Due to the AR and HR coatings the output light power characteristics were enhanced.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.20 no.4
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• pp.217-222
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• 2009

In this paper, a low-cost hybrid-integrated tunable laser is realized using a polymer-ring resonator-based add/drop filter reflector and a reflective semiconductor optical amplifier. The add/drop filter reflector, composed of a double-ring resonator with different radii, can have characteristics of selective wavelength reflection and wide wavelength tuning with an aid of vernier effect derived from the radii difference. By hybrid-integrating the reflective semiconductor optical amplifier with the add/drop filter reflector, a tunable laser can be realized through an active alignment method. The hybrid laser exhibited a single mode lasing with side mode suppression ratio of 26 dB and full width half maximum of 0.03 nm. In addition, applying a low current as small as 25 mA onto electrodes over add/drop filter reflector, a wavelength tuning range of 17 nm could be obtained.

• Journal of Navigation and Port Research
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• v.26 no.2
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• pp.235-243
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• 2002

Theoretical analysis have been performed to design the high power semiconductor laser for an optical sensor at 1.55${\mu}{\textrm}{m}$ wavelength range which is the lowest loss wavelength in optical fiber. The materials of active region and SCH were $Ln_{1-x}Ga_xAs_yP_{1-y}$. In order to use the light source of optical sensors, it has to satisfy wide spectral width and short coherence length. Therefore, in order to suppress lasing oscillation, we proposed laterally tilted PBH type with a window region. Also, tapered stripe structure was applied for high coupling efficiency into a single mode fiber. From these analyses, the devices of laterally tilted angled and bending structure were fabricated and their characteristics were measured. In the results of the measurement, the fabricated devices have sufficient output power and wide FWHM to apply to the light source of optical fiber sensors.

• The Optical Journal
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• s.116
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• pp.85-89
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• 2008

미국, 일본, 독일을 중심으로 초대형 천체망원경, 고해상도 인공위성 카메라, 차세대 반도체 산업용 진공자외선 및 엑스선 노광기, 비구면 및 자유곡선 가공기와 측정기, 나노기술을 이용한 초소형 광학소자, 반도체 및 디스플레이 공정용 레이저 가공기술 등 첨단 산업용 원천 및 요소기술 개발에 집중하고 있다. 중국은 최근에 자국시장이 대폭 확대됨에 단순가공 수준이었던 광기술을 전략적으로 발전시키고 있으며, 자국시장을 기반으로 중급 광학소자 및 광학계 시장에서 고속성장이 기대된다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.10a
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• pp.120-125
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• 2006

본 연구에서는 기존의 레이저 변위센서 대신 접촉형 변위센서를 이용하여 마스크-기판간 갭 간격 및 평형 조절 장치를 구현함으로써 기판의 표면 상태에 관계없이 정확한 마스크-기판간 갭의 조정, 평형 유지가 가능하도록 하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2004.05a
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• pp.202-206
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• 2004

본 연구에서는 고밀도로 백색 발광다이오드를 웨이퍼 상에 제작하기 위한 제조공정에 필요한 포토마스크를 제작하는 연구를 수행하였다. 발광다이오드 한 개의 패턴을 웨이퍼상에 연속적으로 배열하여 이를 병렬로 연결하는 금속배선을 고려하였다. AutoCAD의 DWG 파일로 캐드작업을 수행하여 이를 DXF 파일로 변환하였으며, 레이저빔으로 스켄하여 소다라임 유리판 위에 크롬을 식각함으로써 포토마스크를 제작하였다. 이는 기존에 제작된 개별칩 형태의 발광다이오드 제작공정을 집적공정화함으로써 웨이퍼상에서 전면 발광하는 조명광원의 구조를 갖는다. 또한 이를 활용하여 백색 발광다이오드 집적칩을 제작하려 한다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.4
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• pp.250-254
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• 2000

We have constructed laser Doppler velocimetry system using self-mixing effect with a semiconductor laser. This technology is based on the frequency mixing phenomena which occurs when light scattered back from the moving object into the laser cavity interferes with light inside the laser. We have compared the value of Doppler shifted frequency with the velocity variation of the wheel. Frequency dependence on the angle between the moving direction of rotating aluminum wheel and the incident beam also have been proved. As an illustration of the performance of the velocimeter, velocity measurements of a rotating disk are described. Doppler signal shows a good linear relationship with velocity of rotating disk.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.20 no.3
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• pp.189-194
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• 2009

We demonstrate a ring type wavelength swept laser incorporating a fiber Fabry-Perot tunable filter in a laser cavity using 1300 nm semiconductor optical amplifier as a gain medium. The output characteristics of the wavelength swept laser according to the applied scanning frequencies are analyzed in the temporal and spectral domain. The output of the wavelength swept laser decreases dramatically as the scanning frequency increases. And there is a significant peak power imbalance between the forward scan and the backward scan as the scanning frequency increases. Its use in practical applications might be limited.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.210-211
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• 2002

산업의 발전과 급속한 대도시화는 환경오염이라는 새로운 사회적 이슈를 발생시켰다. 시정(Visual Range)이란 대기의 혼탁도를 나타내는 기상요소로서, 정상적인 시각을 가진 사람이 목표를 식별할 수 있는 최대거리를 의미한다 시정은 대기오염을 판단할 수 있는 척도이며, 항만 및 공항 등에서는 인명 및 재산과 직접적인 관계를 갖고 있어, 최근 시정 측정에 대한 중요성이 높아지고 있다. 본 논문에서는 배경 잡음에 좋은 특성을 가지며, 보디- 정확한 시정 측정을 위하여 905nm 펄스 모드 반도체 레이저 다이오드를 이용한 시정계 센서를 제작하여 실험하였다. (중략)

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.155-155
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• 2004

최근 집중 육성산업으로 분류되어 연구 및 투자가 되고 있는 반도체, 정보통신, 바이오산업, 디스플레이 등에서 초정밀화와 저비용, 대량생산을 하기 위해서 기존의 공정을 대체할 수 있는 새로운 나노공정기술의 요구가 급증하고 있다 최근에는 극초단파 특성으로 인하여 극미세 형상을 가공할 수 있는 펨토초 레이저(femto second laser)를 나노공정에 적용하는 다양한 연구가 진행되고 있다. 특히, 기존의 쾌속조형공정을 응용하여 다른 공정으로는 제작이 불가능한 나노 스케일에서 3차원 자유곡면을 가지는 구조물을 제작할 수 있는 공정개발에 대하여 다양한 연구가 진행되고 있다.(중략)