• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.25 no.2
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• pp.90-94
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• 2014

We propose a Yb:YAG laser Q-switched by a semiconductor saturable absorber and a laser output coupler composed of a polarizer and a quarter-wave plate, and we investigate the output characteristics of the proposed Q-switched laser. We show that the laser power can be varied by rotation of the quarter-wave plate.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.19 no.4
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• pp.320-326
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• 2008

The output characteristics of a laser-diode pumped electrooptic Q-switched Nd:YAG ceramic laser were investigated. The output energy of a Q-switched Nd:YAG ceramic laser was optimized under an output coupler reflectivity of 77%, a laser-diode pulse width of $1,000\;{\mu}s$, and a delay time of $985\;{\mu}s$. The output energy of the Q-switched pulse was measured to be 0.35 mJ with a pulse width of 4 ns under a pump energy of 17.9 mJ. The output efficiency and the peak power were 1.9% and 87.5 kW, respectively.

• The Optical Journal
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• s.100
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• pp.18-20
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• 2005

오늘날 레이저는 광통신망을 통한 인터넷 전송과 같은 통신분야, 반도체에서의 포토리소 그라피와 같은 제조 및 가공분야, 분광분석 및 원자력간 현미경과 같은 계측분야 등 다양한 영역에서 산업 및 과학기술 발전을 위해 필수불가결한 도구가 되었으며, 레이저의 응용은 앞으로 첨단기술 분야를 중심으로 지속적으로 확대되어 갈 것으로 기대된다. 이와 같이 첨단기술의 핵심요소인 레이저 및 이의 응용에 필요한 기초광학에 대한 이해는 관련기술의 발전과 폭 넓은 응용기술 개발을 위해 필수적인 것으로 사료된다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.02a
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• pp.38-39
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• 2001

반도체에서 소자의 크기를 작게 하고 집적도를 높임으로서 성능과 효율을 증가시키는 노력이 계속되듯이 광소자의 경우에도 고효율을 갖는 아주 작은 크기의 발광소자를 만들어서 광 정보처리에 이용하려는 노력이 진행중이다. 특히 마이크론 크기의 공진기와 이득물질간의 광결합 효율이 높으면 레이저 발진 문턱이 낮아진다는 원리를 이용한 마이크로 레이저 연구가 활발하다. 이러한 마이크로 레이저의 연구는 크게 두 가지 방향으로 진행된다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.13 no.5
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• pp.396-399
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• 2002

Using a bi-layer anti-reflection coating of $TiO_2$and $SiO_2,$ we have achieved a minimum facet reflectivity of $~10^{-5}$ and a band width of 27 nm for a reflectivity of $~10^{-4}$ or less for 1.3 $\mu\textrm{m}$ spot size converter integrated semiconductor lasers. This coating is applicable to external-cavity-tuned laser sources and semiconductor optical amplifiers.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.15 no.1
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• pp.24-30
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• 2006

Integrated cavity output spectroscopy(ICOS) is a simple, non-intrusive absorption measurement technique that can detect and quantify trace-level gas species. The spectral absorbance of a gas is quantified from the integrated optical output of the modulated high-finesse cavity containing the sample which is irradiated by a wavelength-swept laser source. We constructed an experimental setup by using a tunable single mode external cavity diode laser operating at the wavelength near 765 nm and a Fabry-Perot cavity with length modulation achieved by a piezoelectric transducer where one of the cavity mirrors sat on. In the experiment performed on minute oxygen gas at the wave-length near 764.5nm, we demonstrated the minimum detectable absorption of $8.45\times10^{-8}cm^{-1}$.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.19 no.12
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• pp.2426-2438
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• 1994

In this paper we present for the first time the electric circuit model for direct frequrncy modulation(FM) response of the conventional distributed-feedback(DFB) semiconductor laser diodes. Especially, in this paper, the proposed model includes not only the carrier density modulation effect, but also the temperature modulation effect determining the DFM characteristics of DFB characteristics of DFB semiconductor lasers. The DFM response due to injection current modulation was obtained as a function of modulation frequency from DC to a few GHz. The circuit model representing the temperature modulation effect is obtained from the structure of DFB LD chip and the simulation results are compared with the published experimental results. The circuit model representing the temperature modulation effect is obtained from the structure of DFB LD chip and the simulation results are compared with the published experimental results. The circuit model representing carrier density modulation effect is obtained from the rate equations of DFB lasers and the simulation results are compared with the results that were obtained by the conventional numerical analysis approach. The results showed good agreements.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.30-31
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• 2000

파장 분할 다중 방식을 사용하는 모든 전광 통신망은 파장 재사용과 routing를 위해 반드시 파장 변환기를 필요로 한다. 본 논문에서는 반도체 광 증폭기와 반도체 레이저를 수평 결합시킨 새로운 구조를 제안함으로써 기존의 파장 변환기가 가졌던 문제점들을[1][2][3] 해결하고자 한다. 두개의 모드가 약하게 결합되었을 때는 그 파의 크기나 전파상수는 서로 영향을 미치게 된다. 예를 들면 수평결합 파장가변 LD[4]나 방향성 결합 파장 변환기[5]는 이 특성을 이용한 소자이다. 본 논문에서 제안된 소자도 이러한 결합모드 특성을 이용하였다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.176-177
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• 2002

1.3 $\mu\textrm{m}$와 1.55 $\mu\textrm{m}$의 발광 파장을 갖는 광통신용 반도체 레이저 다이오드는 지금까지 많은 발전을 해 왔으며 다양하게 응용이 되어 오고 있다. 기존의 장파장 소자들은 InP 기판 위에 성장을 하고 있으며, GaAs 관련된 물질의 적용은 장파장 대역의 이득층 성장의 어려움 때문에 GaAs가 가지고 있는 안정된 장점에도 불구하고 적용되지 못했다. 그러나 1996년 M. Kondow는 GaAs 기판에 격자정합되는 InGaAsN 물질을 제안하였고(1) 그 이후로 레이저 다이오드에 제작에 까지 이르렀으며(2-3) 특히, 표면발광반도체레이저의 상온 연속발진에도 성공하였다. (중략)

• Laser Solutions
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• v.16 no.1
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• pp.1-4
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• 2013

The optical properties of III-V compound semiconductor structure was investgated by photoreflectance (PR). The results show two signals at 1.42 and 1.73eV. These are attributed to the bandgap energy of GaAs, AlGaAs, respectively. Also, AlGaAs region showed weak signal. This signal is attributed to carbon or si defect.