• Journal of Energy Engineering
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• v.25 no.1
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• pp.192-197
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• 2016

We have surveyed on technical method of fault analysis of semiconductor device. Fault analysis of semiconductor should first be found the places of fault spots. For this process they are generally used the testers; EB(emission beam tester), EM(emission microscope), OBIRCH(optical beam induced resistance change method) and LVP(laser voltage probing) etc. Therefore we have described about physical interpretation and technical method in using scanning electron microscope, transmission electron microscope, focused ion beam tester and Nano prober.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.13 no.1 s.49
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• pp.29-40
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• 1998

반도체 산업에서는 디바이스 제조 비용의 절감과 정밀도 향상을 위한 공장자동화의 한 방향으로 '80년대 후반부터 여러 공정의 반도체 제조장비를 클러스터화 하여 국제적 표준으로 제정하려는 노력이 꾸준히 진행되어 왔다. 반도체 장비의 클러스터 표준화는 제조 메이커가 각기 상이한 장비의 호환성과 상호 운용성을 증대시킴으로 장비 고유의 생산성과 디바이스 제작 능력의 한계를 확장시키고 제조기간과 비용을 크게 절약시킬 수 있다. 본 고에서는 클러스터 툴이라고 하는 반도체 장비의 핵심기술인 클러스터 콘트롤러에서의 모듈간 통신 및 제어 기술을 중심으로 국제적 표준활동의 진행과 기술의 발전방향에 대하여 소개하고자 한다.

• JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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• s.257
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• pp.70-77
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• 1998

21세기를 지향하여 음성뿐만 아니라 데이터, 나아가서는 화상까지도 쌍방향전송을 가능케하는 고도정보통신, 소위 멀티미디어의 세계가 구현되어 가고 있다. 이 멀티미디어의 세계는 (1)고속$\cdot$대용량, (2)글로벌, (3)모바일(퍼스널)의 키워드로 특징지을 수 있는데, 여기에는 화합물반도체를 베이스로하는 광$\cdot$마이크로파디바이스가 깊이 관련되어 있다. 마이크로파디바이스를 살펴보면 소위 ''텔레데식'' 계획으로 대표되는 다량의 인공위성을 이용한 글로벌한 고속$\cdot$대용량통신에는 30 GHz라는 초고주파기술이 필수이며, HEMT등의 고성능화합물 반도체디바이스가 반드시 필요하다. 또 2.5~10Gbps, 나아가서는 40Gbps의 고속$\cdot$장거리 통신에는 광 디바이스가 결정적인 역할을 하고 있다. 한편 지수 함수적으로 증대하고 있는 정보의 축적은 광디스크의 진보에 힘입은 바가 크다. 보다 많은 대용량 화상데이터의 축적과 읽기$\cdot$쓰기를 할 수 있는 DVD(Digital Versatile Disc)-ROM, DVD-RAM에 대하여도 시장 조성이 목전에 다가오고 있다. 이와 같이 광$\cdot$마이크로파디바이스는 정보$\cdot$통신의 프런트 엔드를 걸머진 중핵디바이스로서 앞으로 멀티미디어를 근간으로 하여 성장해 갈 것으로 생각된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.203-203
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• 2015

반도체 제조 공정 중에 CMP(Chemical Mechanical Planarization)는 디바이스의 집적도(degree of integration)에 크게 영향을 미치고 있으므로, 20nm급 이하의 디바이스에서 CMP 공정 안정화는 양질의 소자 특성을 확보하기 위해서는 시급한 문제가 되고 있다. CMP 공정 안정화를 위해서는 여러 가지 해결되어야 할 문제가 있는데, 그 중에서도 W plug 연마 공정 중에 관찰되고 있는 W missing은 전기 배선의 신뢰성에 직접 영향을 주고 있으므로 공정 엔지니어에게는 도전적인 과제이다. 본 연구에서는 W missing 현상을 전기화학적인 입장에서 해석하고 몇 가지 해결책을 제기하고자 한다.

• The Optical Journal
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• s.146
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• pp.41-46
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• 2013

서브밴드 간의 광학천이를 이용한 양자 캐스케이드 레이저는 PN접합형의 반도체 레이저 다이오드와는 다른 동작 원리를 지닌 중적외선 대역의 반도체 레이저다. 실온에서 동작 가능한 유일한 적외선 대역의 반도체 레이저로, 가시선 영역과 비교해 개척 여지가 많은 적외선 영역 전체를 견인하는 핵심 디바이스로 자리 잡을 전망이다. 이번호에서는 양자 캐스케이드 레이저의 동작 원리와 특징, 활성층 구조, 설계, 발진 등에 대해 소개한다. 이 원고는 일본 하마마쓰 광학(Hamamatsu Photonics) 개발본부 레이저 디바이스 개발그룹의 Naota Akikusa, Tadataka Edamura 씨가 월간 OPTRONICS 2013년 5월호에 기고한 내용으로 그린광학의 유정훈 팀장이 번역에 도움을 주었다.

• JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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• s.297
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• pp.66-72
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• 2001

1957년에 사이리스터가 발표된 이래 파워반도체디바이스(이하 ''파워디바이스''라 한다)의 발전과 더불어 이것을 사용하여 전력변환$\cdot$제어와 이를 응용한 파워일렉트로닉스 산업도 현저한 발전을 이루어 왔다. 21세기를 맞이하여 지구의 유한성을 강하게 인식하고 자원과 에너지를 고도이용하는 순환형 사회에로의 전환을 도모하는 기술혁신과 IT(정보기술)를 구사한 기술보급의 움직임이 활발해지고, 파워일렉트로닉스와 그 키파트인 파워디바이스가 수행하여야 할 역할은 점점 더 중요해지고 있다. 이와 같은 배경 하에서 파워디바이스는 인버터제어를 주목적으로 사이리스터, GTO(Gate Turn-off Thyristor), 바이폴라트랜지스터, MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)에서 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)에로 진전되고, 그 응용분야도 가전제품에서 OA, 산업, 의료, 전기자동차, 전철, 전력에 이르는 폭넓은 분야로 확대되었다. 현재 파워디바이스를 취급하는 전력의 범위는 수W의 스위칭 전원에서 GW급의 직류송전까지 9단위까지에 이르러 광범위한 전력 제어가 가능하게 되었다. 한편 응용의 중심이 되는 IGBT는, 고속화와 저손실화 및 파괴 내량의 향상을 지향한 개량을 거듭하여 제5세대제품이 나타나기 시작하였다. 또한 IGBT에 구동$\cdot$보호$\cdot$진단 회로 등을 넣어 모듈화한 IPM(Intelligent Power Module)이 그 편리성과 소형화를 특징으로 파워디바이스의 주역의 자리에 정착하였다. 가전$\cdot$산업$\cdot$자동차$\cdot$전철의 각 분야에서는 시장 니즈에 최적 설계된 IPM이 개발되게 되어 보다 더한 시장확대가 기대되고 있다. 또한 종래의 Si(실리콘)에 대신하는 반도체 재료로서 SiC(실리콘 카바이드 : 탄화규소)에 대한 기대가 크고 MOSFET나 SBD 등의 파워디바이스의 조기실용화에의 대처노력도 주목할 만하다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.10a
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• pp.649-652
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• 1998

본 논문에서는 MICROTEC〔3,4〕시뮬레이터를 이용하여 소트키 다이오드를 형성하고 금속-반도체 쇼트키 접촉에서 턴 온 전압과 항복 전압을 관찰하였다. 또한 여러 가지 쇼트키 장벽 높이를 가지는 금속을 사용하여 동일한 디바이스에서 이들 금속-반도체 접촉에 전압을 인가했을 때, 순 방향에서 턴 온 특성을 관찰하여 턴 온 전압과 역 방향에서의 항복 현상을 관찰하여 항복 전압을 확인하였다. 사용된 금속은 Au(0.8V), Mo(0.68V), Pt(0.9V), Ti(0.5V) 이며 반도체는 실리콘 n/n 구조가 형성되었다. 쇼트키 다이오드는 대 전력용 보다는 높은 속도의 스위칭 디바이스에 주로 응용되고 있으며 장벽의 높이가 높을수록 뚜렷한 정류 특성을 나타내어 순 방향 바이어스에서 빠른 턴 온 특성이 예상되는데 시뮬레이션 결과 또한 잘 일치하였다. 그리고 다이오드의 I-V 특성을 관찰하기 위해 역 방향 바이어스에서의 항복 전압을 관찰하였는데 쇼트키 장벽이 높을수록 낮은 항복 전압이 나타났다. 또한 디바이스 공정에서 epitaxial과 열처리 공정 후의 2차원적인 농도 분포를 나타내었다.

• 전기의세계
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• v.33 no.2
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• pp.84-96
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• 1984

본고의 내용은 다음과 같다. 1. 반도체 레이저 2. 발광 다이오드 3. 광검출기 4. 광 파이버의 전송로 5. 광회로 6. 집적광 디바이스의 시작

• Electrical & Electronic Materials
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• v.3 no.3
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• pp.161-177
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• 1990

최근의 재료합성기술 및 미세가공기술의 발전은 종래의 천연물질에는 없는 새로운 기능을 가진 신물질이나 새로운 디바이스의 제작을 가능하게 하고 있다. 여러가지 초박막 물질의 다층막이나 초격자는 그 형상 및 물질의 조합에 따라 모체의 물질과는 새로운 성질을 나타내는 것으로 크게 관심을 모으고 있다. 본 논문에서는 현재 연구가 활발히 진행되고 있는 반도체초격자에 관하여 그 종류 및 전자상태, 결정성장 및 평가법, 기초적 물성, 디바이스 응용 그리고 앞으로의 전망을 간단하게 총망라하여 소개해 보고자 한다.

• 전기의세계
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• v.33 no.6
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• pp.359-370
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• 1984

본고에서는 기초적인 연구단계로부터 실용디바이스로서의 생산으로 그 중심이 이동되고 있는 동시에 단일파장동작 또는 고출력화 등 새롭고 고성능을 목표로 계속 연구개발되고 있는 반도체 레이저를 중심으로 연구진전과 현상 및 내외의 동향을 살펴본 후 응용분야와 앞으로의 전망에 대하여 기술하여 보고자 한다.