• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1995.06a
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• pp.24-29
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• 1995

반도체 광증폭기는 어븀첨가 광섬유증폭기게 비하여 높은 잡음지수, 낮은 포화출력파워, 높은 편광의존성, 주파수처핑 등의 성질을 갖기 때문에, 광신호를 증폭하기 위한 응용은 매우 제한적이다. 그러나 이득분포화 현상에 의하여 유도되는 비선형 굴절률 계수가 매우 크기 때문에, 관신호 처리를 위한 기능소자로서의 응용 가능성은 매우 높다. 본 논문에서는 시분할 역다중화기, 고속 파장변환기, 주파수 처핑 보상기 등 반도체 광증폭기의 비선형 굴절률을 이용한 여러 가지 응용분야를 소개하고 이러한 응용에 있어서 반도체 광증폭기의 장점과 한계를 논한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.4 no.5
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• pp.1135-1142
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• 2000

In this study, we fabricated a 1.55um polarization-insensitive semiconductor optical amplifier(SOA) with rectangular buried heterostructure using a InGaAsP/InP double heterostructure wafer. Measured characteristics of the fabricated SOA are that 3dR bandwidth is 35nm and 3dB saturation output power is 4dBm. Maximum gain under the 150mA CW driving condition is 19.4dB. We measured the ASE(amplified spontanouse emission) Power spectrum or n and TM mode in the fabricated SOA using ASE measurement system and knew that distributions of the TE and TM mode about the maxinum region are nearly coincident. this shows the fabricated SOA is a polarization-insensitive.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.14 no.2
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• pp.166-168
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• 2003

By using gain saturation of semiconductor optical amplifiers (SOAs), an all-optical AND gate at 10 Gb/s has been successfully demonstrated. Firstly, Boolean (equation omitted) has been obtained using the first SOA with signal B and clock injection. Then, the all-optical AND gate is achieved using the second SOA with signals A and (equation omitted) injection.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.24-25
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• 2000

파장변환 소자는 최근에 급격히 발전하는 광네트웍을 구축하기 위하여 필수적인 소자로서 여러 가지 형태에 대한 연구개발이 진행되고 있다. 그중에서도, 최근에는 반도체 광증폭기로 형성된 방향성 결합기구조(semiconductor optical amplifier directional coupler)에서의 상호 이득 포화(XPM : cross-phase modulation)에 의한 파장변환에 대한 개념이 제안되고 가능성이 실험적으로 입증된 바 있다. 이런 구조의 파장변환 소자는 입력 광신호의 파워가 작을때는 위상 정합이 되어 반도체 광증폭기의 광모드가 완전히 결합되어 cross state로 변환된 파장의 광파워가 많이 출력되고, 신호 입력 파워가 증가함에 따라 결합이 감소하게 되어 Cross state에서의 출력 파워는 감소하게 된다. 이와 같은 소자는 입력 신호광과 변환된 신호광이 역방향으로 진행하는 경우 광필터가 필요없이 파장변환이 가능하고, 변환 후의 소광비가 향상되기 때문에 향후 다양한 형태로 응용될 가능성이 있으며, 적정 설계 및 성능 예측을 위해서는 시영역에서 모델링할 수 있는 방법론을 구축하는 것이 필요하다. 본 논문에서는 연산자 분리 방법$^{(1)}$ 을 적용하여 상술한 파장변환기를 해석하기에 적당하도록 시영역 동적 모델을 구현하고, 파장변환 특성을 여러 가지 면에서 분석하여 보았다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.10 no.4
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• pp.294-300
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• 1999

The density matrix is solved more rigorously, compared with the third-order pertubation method used in the conventional theory, for a semiconductor laser amplifier. Then the coupled wave equations are derived to explain the wavelength conversion due to the spectral hole burning in the semiconductor optical amplifier. It is shown that our results can explain the effect of saturation of the population density on the electric polarization, which affects the four-wave mixing and wavelength conversion, better than the conventional theroy where the third-order pertubation is used.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1991.07a
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• pp.135-140
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• 1991

반도체 레이저에서의 여러 가지 다른 원인에 기인하는 광쌍안정성과 이의 응용을 검토하였다. 이득 영역과 흠수포화 매체를 가지고 있는 반도체 레이저, 광전궤환이 가해진 반도체 레이저, cleaved-coupled-cavity 반도체 레이저, distributed feedback 반도체 레이저, twinstripe 반도체 레이저, 외부공진기 반도체 레이저에서의 광쌍안 정성을 고찰하였다. 또, 반도체 레이저 광증폭기에서의 광쌍안정성에 대해서도 검토하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.23 no.1
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• pp.6-11
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• 2012

A bidirectional TDM-PON link to support 2.5 Gb/s upstream signals of 256 ONUs was considered for an extended transmission distance of 50 km. The power budget of the link was 58 dB for the upstream signal and a SOA was applied as a link extender which had a 25 dB gain. Receiver sensitivity of the upstream signal was -25 dBm for -30 dBm input power to the SOA. When the input power was -10 dBm, pulse overshooting caused by gain transient of the SOA was maximum at 45% and the signal performance degradation gave a power penalty of 1.55 dB for $10^{-12}$ BER. However the penalties diminished rapidly and became negligible as the input power went below -15 dBm. So this input power dynamic range of up to -15 dBm means that it is not positively necessary to use gain control methods for the next generation TDM-PON systems.

• Optical Science and Technology
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• v.20 no.2
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• pp.17-21
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• 2016

• Proceedings of the Korean Institute of Communication Sciences Conference
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• 1992.06a
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• pp.389-395
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• 1992

• Proceedings of the Korean Institute of Communication Sciences Conference
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• 1996.06a
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• pp.300-303
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• 1996