반도체 및 TFT LCD 제조 공정에서 핵심 공정인 Photo 공정은 PR(Photo Resist, 감광액) Coating -) Exposure(노광) -. Develop(현상)으로 이루어져 있다. 이중 Exposure 공정에 사용되는 장치가 노광장비이다. 노광장비는 Mask Aligner 라고도 불리는데, 그만큼 정렬기술이 노광장비에서는 중요하다. 반도체 및 TFT LCD 는 여러 충의 회로를 쌓아감으로써 층과 층간의 전기적 작용으로 생성되는 Tr.(Transistor) 또는 Diode 등의 수동소자를 집적하는 기술로 제조되는 것으로, 층과 층간의 전기적 작용이 설계한 바와 같이 이루어지기 위해선, 층과 층 사이의 정렬이 정확히 이루어져야 한다.(중략)
본 연구에서는 고밀도로 백색 발광다이오드를 웨이퍼 상에 제작하기 위한 제조공정에 필요한 포토마스크를 제작하는 연구를 수행하였다. 발광다이오드 한 개의 패턴을 웨이퍼상에 연속적으로 배열하여 이를 병렬로 연결하는 금속배선을 고려하였다. AutoCAD의 DWG 파일로 캐드작업을 수행하여 이를 DXF 파일로 변환하였으며, 레이저빔으로 스켄하여 소다라임 유리판 위에 크롬을 식각함으로써 포토마스크를 제작하였다. 이는 기존에 제작된 개별칩 형태의 발광다이오드 제작공정을 집적공정화함으로써 웨이퍼상에서 전면 발광하는 조명광원의 구조를 갖는다. 또한 이를 활용하여 백색 발광다이오드 집적칩을 제작하려 한다.
일반적으로 사용되는 반도체 공정에 대한 진단 기법은 한 공정을 진행하기 전에 테스트 공정을 수행하여 공정의 진행 여부를 결정하고, 한 공정의 진행을 완료한 후에 다시 테스트 공정을 수행하여 공정의 결과를 진단하는 방법이다. 본 논문에서 제안하는 실시간 자동 진단 시스템은 기존 방법의 문제점인 자원의 낭비를 막고, 실시간으로 진단함으로써 시간의 낭비를 막는 진단 시스템을 제안한다. 실시간 자동 진단 시스템은 크게 시스템 초기화 단계, 학습 단계 그리고 예측 단계로 나누어진다. 초기화 단계는 진단할 공정에 대한 사전 입력값을 받아 시스템을 초기화하는 과정으로 공정장비 파라미터별 중요도 자동 설정 과정과 초기화 클러스터링으로 이루어진다. 학습 단계는 실시간으로 저장된 공정장치별 데이터와 계측기로부터 획득된 데이터를 이용하여 최적의 유사 클래스를 결정하는 단계와 결정된 유사 클래스를 이용하여 가중치를 학습하는 단계로 나누어진다. 예측 단계는 공정 진행 중 획득된 실시간 데이터를 학습 단계에서 결정된 파라미터별 가중치를 사용하여 공정에 대한 진단을 한다. 본 시스템에서 사용하는 클러스터링 알고리즘은 DTW(Dynamic Time Warping)를 이용하여 파라미터 데이터에 대한 특징을 추출하고 LBG(Linde, Buzo and Gray) 알고리즘을 사용하여 데이터를 군집화 한다.
공정기술의 미세화가 진행될수록 반도체 제품의 개발비용은 급격히 증가 할 것으로 예측되고 있다. 이는 지속적으로 증가하는 설계 복잡도와 미세공정에서 고성능 및 저전력 반도체 구현의 어려움에 의한 것이다. 제품수명기간(Product Life Cycle: PLC)이 점점 짧아지지만 핵심 부품인 반도체 제품의 개발기간과 설계인력은 급격히 증가해감에 따라 늘어만 가는 개발 비용은 반도체 제품의 수익향상 측면에서 매우 큰 장애가 되고 있다. 따라서 설계의 복잡화와 구현의 어려움 이라는 기술적인 문제들을 해결하여 시장에서의 생존이 걸린 극한적인 경쟁환경에서 살아 남기위해서는 반도체 설계의 paradigm 자체를 변화 시켜야 할 것이다. 이에 대한 해법으로 반도체 설계의 abstraction level을 현재의 RTL에서 상위 수준으로 올리고 설계의 virtualization을 해야 한다는 것은 설계 재사용과 신개념 검증 방법 기술과 함께 필수적인 변화의 한 방향이다. 이미 수년전부터 많은 연구 논문에서 이와 관련된 새로운 system 설계 기술들이 제시되어 왔고, 이에 대응하는 platform 기반의 설계기법 소개와 삼성전자의 구축현황에 대해 저자는 지난 논문에서 기술 한 바 있다. 본 논문은 2003년 9월 이후 platform 설계기법의 virtual 화가 어떻게 발전되어 왔는지에 대해 기술하고 문제점 확인 및 앞으로 이에 대한 해결 방안들의 방향에 대해 논하고자 한다.
반도체 산업의 시장은 매년 증가하고 있으며 생산환경, 설비 등의 변화로 인하여 매년 많은 수의 기존 FAB Line이 변화되고 새로이 건설되고 있다. 그 동안 반도체 산업의 성장은 주로 설계기술, 설비기술, Chip Size의 소형화 등의 기술적인 개발에 의존하고 있었으나 반도체 기술의 확산, 시장 경쟁력의 격화 등으로 생산성 향상에 의한 원가절감이 성장의 근본요인이 되고 있다. 즉 FAB Line의 시스템적인 관리통제의 기술이 반도체 산업의 성패를 좌우하는 시대로 접어든 것이다. FAB Line은 크게 Bay와 Stocker, 각 Lot (또는 Batch) 들을 운반하는 Inter-System으로 구성된다. 이러한 Line은 대체 특성, 분기 현상, 돌발 상황 등의 특수한 경우가 많아 Analytic 모델로 접근하기에는 사실상 불가능하다. 특히 Stocker와 Bay 간의 이동은 더욱 그렇다. 따라서 적절한 설계과정을 거친 Simulation적 접근이 합리적이다. 본 논문에서는 FAB Line에서 Stocker 배치의 다양한 실험을 수행하였다. 그 결과 Line에서 최적의 Stocker 수와 가동률을 알아내었다. 반도체 생산라인에서는 제품별 또는 같은 제품이라도 Version이 다른 경우 FAB 공정가운데 약 10% 내외만이 바뀌는 점을 감안하면 본 논문의 결과는 쉽게 생산현장에 적용될 수 있을 것이며, 이것은 비단 반도체 공정뿐 아니라 제조업에서도 적용되리라 예상한다.
본 연구는 반도체 검사공정 중의 하나인 MBT 공정의 Rework 투입정책에 관한 연구이다. MBT 공정에서는 제품의 신뢰성과는 상관없이 설비오류로 인한 불량품이 다량으로 발생한다. 이러한 불량품을 MBT 공정의 재검사 작업인 Rework을 통해 양품으로 전환하게 된다. MBT 공정의 Rework은 FAB 공정 이후의 많은 공정을 거치지 않고 단일공정 진행으로 새로운 양품을 얻을 수 있는 이점을 가진다. 반면에 Rework 비용 및 공정재고비용이 발생하는 특징이 있다. 현재 MBT 공정의 Rework 작업은 정해진 규칙 없이 작업자 경험에 의존하여 진행하며, 제품의 중요도 및 재고량에 따라 투입이 정해진다. 또한 주문 작업의 투입일정과 납기를 고려하지 않은 Rework 작업으로 인해 납기차질이 발생하기도 한다. 본 연구에서는 Rework 작업이 생산계획에 영향을 주지 않는 범위 안에서의 투입계획을 제안한다. 또한 MBT 공정의 Rework 이익인 제조원가 절감이익과 비용인 Rework 비용, 재고비용을 고려한 Rework 제품 투입정책을 제안한다.
반도체 제조 라인에서는 생산 제품의 원가절감을 위해 지속적인 노력을 기울이고 있고, 화학적 기계적 연마(CMP) 공정에서도 이에 대한 요구가 점점 가속화되고 있으며, 이러한 원가 절감 항목 중 대표적인 것이 5-Zone 링이다. CMP 공정에서 약 150시간을 사용하면 링의 두께가 1mm 미만으로 감소되어 새제품으로 교체해야 한다. 반도체 제조 라인에서는 생산 제품의 원가절감을 위해 지속적인 노력을 기울이고 있고, 화학적 기계적 연마(CMP) 공정에서도 이에 대한 요구가 점점 가속화되고 있으며, 이러한 원가 절감 항목 중 대표적인 것이 5-Zone 링이다. CMP 공정에서 약 150시간을 사용하면 링의 두께가 1mm 미만으로 감소되어 새제품으로 교체해야 한다. 따라서 본 연구에서는 리테이너 링의 마모된 부분을 반복 재생하여 반도체 제조 원가를 낮추며, 산업용 폐기물 처리에 따른 환경 오염을 최소화하기 위해 10g±0.8% 이하의 토출량 오차와 ±1.8% 이하의 압력 균일도를 갖는 본딩 디스펜서 및 프레스 머신을 개발하였다.
액정판넬(LCD) 및 반도체 제조공정에 있어서 정전기 발생으로 인하여 미세한 먼지가 LCD 및 반도체 웨이퍼에 부착되거나, 정전기 방전에 의해 반도체소자 및 LCD 유리기판상의 패헌의 파괴를 야기하여 제품의 수율을 저하시키고 제조원가를 상승시키는 주요한 요인이 된다. 현재 이러한 제조공정에서 정전기를 위한 대책으로 코로나방전에 의한 이온바(Ion Bar) 및 이온브로어(Ion Blower)를 제전설비로 사용하고 있으나, 이 장치는 코로나 방전에 의한 이온을 발생시키고 이온화된 공기를 불어 내기 위하여 팬을 사용하여 공기를 대류 시킨다.(중략)
반도체 생산에서 암모니아는 정밀성을 요구하는 공정 특히, 광증폭 공정에서 산과 반응하여 불량을 일으키는 주 원인이며, 고메모리로 갈수록 청정도 기준이 엄격해져서 1 ppbv 이하의 농도를 검출할 수 있는 기술이 요구되고 있다. 현재 반도체 회사에서의 암모니아 분석은 임핀저를 이용하여 가스를 포집한 후 이온크로마토그래피로 분석 하고 있으나, 이는 많은 시간과 인력이 요구되며, 실시간 분석이 어렵기 때문에 반도체 클린룸의 관리에 어려움이 있다. (중략)
백색 LED 램프를 제조하는 공정에서 램프간의 전기적 개방상태의 절연상태를 유지하기 위해 사파이어 기판 위에 성장된 GaN 계 반도체 에피박막층을 제거하기 위해 유도 결합형 플라즈마 식각 공정을 이용하였다. 4 미크론의 두께를 갖는 GaN 층을 식각하는데 있어 식각 방지 마스킹 물질로 포토레지스트, $SiO_2,\;Si_{3}N_4$ 및 $Al_{2}O_3$를 시험하였다. 동일한 전력 및 가스유량상태에서 $Al_{2}O_3$만 에피층을 보호할 수 있음을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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