• Journal of Adhesion and Interface
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• v.24 no.1
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• pp.36-40
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• 2023

A van der Waals material refers to a material having a two-dimensional layered structure composed of van der Waals bonds with weak interlayer bonding. The research based on heterojunction structures using such van der Waals two-dimensional materials has been steadily studied since the discovery of graphene. Herein, this paper reports a van der Waals heterojunction -based field-effect transistor device based on monolayer single crystalline MoSe2 grown by atmospheric pressure chemical vapor deposition. We found that MoSe₂ grown under optimized process conditions did not have atomic-level defects and the transistor devices incorporating MoSe₂ also showed excellent characteristics.

• Ceramist
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• v.20 no.3
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• pp.115-124
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• 2017

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.44 no.3
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• pp.190-193
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• 2000

ab initio calculations are presented for M-Rg and M-Rg2 (M=Li, Na, Rg=He, Ar) van der Waals clusters.InternucIear distances and binding energies of LiHe, LiAr and NaAr obtained by all-electron MP2(6-311++G(3df,3pd)) method are in good agreement with experimental values. Calculated properties of LiHe$_2$, LiAr$_2$, NaHe$_2$ and NaAr$_2$ are also reported.

• Transactions of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering
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• v.20 no.4
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• pp.390-396
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• 2010

Resonant frequencies and the associated vibrational modes of multiwall carbon nanotubes are studied in this paper. The analysis is based on a multiple-elastic beam model, considering intertube radial displacements and the related internal degrees of freedom. Especially, van der Waals interaction is modified considering both all interaction between each layers in multi-wall carbon nanotubes and curvature effect. The results show that modified van der Waals interaction could significantly affect the natural frequencies of multi-walled carbon nanotubes. In particular, non-coaxial intertube resonance will be excited at the higher resonant frequencies of multiwall carbon nanotubes.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2006.11a
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• pp.154-157
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• 2006

구리 나노와이어를 캡슐로 싼 탄소 나노튜브 오실레이터에 대한 특성을 분자동역학 시뮬레이션을 이용하여 분석하였다. 탄소-탄소 반데르발스 상호작용으로 인한 초과 힘은 탄소-구리 반데르발스 상호작용에 의한 초과 힘보다 더 크고 구리 원자의 질량이 탄소 원자의 질량보다 더 크기 때문에 탄소 원자는 구리 원자보다 더 쉽게 촉진되고 안쪽 나노튜브와 캡슐로 들어간 구리 나노와이어 사이의 충돌은 전체 초과 힘을 감소시키는 반발 힘을 만든다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.32 no.5
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• pp.18-30
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• 2019

• Journal of Adhesion and Interface
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• v.24 no.3
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• pp.100-104
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• 2023

Van der Waals heterostructures have garnered significant attention in recent research due to their excellent electronic characteristics arising from the absence of dangling bonds and the exclusive reliance on Van der Waals forces for interlayer coupling. However, most studies have been confined to fundamental research employing the Scotch tape (mechanical exfoliation) method. We fabricated Van der Waals vertical heterojunction transistors to advance this field using materials exclusively grown via chemical vapor deposition (CVD). CVDgrown graphene was patterned through photolithography to serve as electrodes, while CVD-grown MoSe₂ was employed as the pickup/transfer material, resulting in the realization of Van der Waals heterojunction transistors with interlayer charge transfer effects. The electrical characteristics of the fabricated devices were thoroughly examined. Additionally, we observed variations in the transistor's performance based on the presence of defects in MoSe₂ layer.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1998.10a
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• pp.137-140
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• 1998

최근 면직물에 항균성을 부여하기 위해 생체친화성이 높은 키토산에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 키토산이 갖고 있는 아미노기는 생체친화성과 항균성을 부여하며 미성숙면의 염색성향상, 의료용고분자 등에 응용되고 있다[1, 2]. 한편, 일반적으로 면직물에 키토산을 처리하면 섬유와 키토산은 화학결합이 아닌 반데르발스 결합 등의 약한 결합을 형성하기 때문에 내세탁성이 떨어지는 문제점이 있다[3, 4]. (중략)

• Vacuum Magazine
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• v.5 no.2
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• pp.18-22
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• 2018

wo dimensional (2D) van der Waals (vdW) nanosheet semiconductors have recently attracted much attention from researchers because of their potentials as active device materials toward future nano-electronics and -optoelectronics. This review mainly focuses on the features and applications of state-of-the-art vdW 2D material devices which use transition metal dichalcogenides, graphene, hexagonal boron nitride (h-BN), and black phosphorous: field effect transistors (FETs), complementary metal oxide semiconductor (CMOS) inverters, Schottky diode, and PN diode. In a closing remark, important remaining issues of 2D vdW devices are also introduced as requests for future electronics and photonics applications.

• Ceramist
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• v.1 no.1
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• pp.28-36
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• 1998

세라믹 분발의 분산안정성은 입자의 입경 및 형상, 배열형태, 그리고 분산기구에 따라 크게 달라진다. 대체로 입경이 콜로이드 범위내에 존재하면 일반적인 정전반발력이나 입체반발력에 의하여 분산이 가능하지만, 콜로이드 범위를 넘는 조대한 입경을 가지는 분말에서는 진정한 분산안정성을 얻는 것은 불가능하다. 비록 콜로이드 범위에 속히는 입경을 가지더라도 Hamaker 상수가 매우 높거나 기하이방성을 가진 입자가 우선배향성을 가지는 경우에도 마찬가지의 결과를 보여 준다. 진정한 의미의 분산안정성을 얻을 수 없는 경우 입자 간 포텐셜 에너지의 절대값이 최소가 되도록 함과 더불어 고분자 흡착층이나 전기이중층의 두께를 조정하여 입지간 평형거리를 조정하여 후속공정에서의 균일성을 유지하는 것이 기능하다. 이와 같은 제한응집은 진정한 의미의 분산안정성을 얻을 수 없는 분말을 구성분말로 하는 단미는 물론 복합재료에서도 활용이 가능하다. 나노 크기의 입경을 가지는 분말에서는 반데르발스 인력은 상대적으로 작지만, 정전반발력도 동시에 작아지기 때문에 에너지 장벽의 높이가 충분하지 않은 경향을 보인다. 따라서, 나노 분말의 분산안정성은 흡착층의 두께가 크지 않는 저분자량의 고분자를 흡착시켜 입체반발력을 부여하는 것이 바람직하다.