• 제목/요약/키워드: 반데르발스

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화학기상증착법을 통한 고품질 단층 MoSe2합성 및 반데르발스 수직이종 접합 구조 기반 고성능 트랜지스터 제작 (Chemical Vapor Deposition of High-Quality MoSe2 Monolayer and Its Application to van der Waals Heterostructure-Based High-Performance Field-Effect Transistors)

  • 임시헌;김선우;최선연;김현호
    • 접착 및 계면
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    • 제24권1호
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    • pp.36-40
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    • 2023
  • 반데르발스 물질이란 층간 결합이 약한 반데르발스 결합으로 이루어진 이차원 층상구조를 지닌 물질을 의미하며, 이러한 반데르발스 이차원 소재를 이용한 이종접합 구조 연구는 그래핀이 발견된 이후 꾸준히 연구되고 있다. 본 논문에서는 대기압 화학기상증착법을 통해 성장된 단층 단결정 MoSe2를 기반으로하는 반데르발스 이종접합 트랜지스터 소자에 대해 보고한다. 최적화된 공정조건에서 성장된 MoSe2는 원자수준의 결함이 존재하지 않는 것을 밝혔으며, 이를 이용한 트랜지스터 소자 또한 우수한 특성을 보인다는 것을 밝혀내었다.

알칼리 금속 - 비활성 기체 반데르발스 복합체에 대한 양자화학적 계산 (ab initio Calculations on Alkali Atom - Rare Gas Van Der Waals Clusters)

  • 이보순;이성열
    • 대한화학회지
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    • 제44권3호
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    • pp.190-193
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    • 2000
  • M-Rg 및 M-Rg2 (M=Li,Na,Rg=He,Ar) 반데르발스 복합체들에 대한양자화학적계산을 시행하였다. AIl-electron MP2(6-311++G(3df,3pd))에 의하여 계산된 LiHe, LiAr 및 NaAr의 균형 핵간 거리와 결합 에너지는 실험값과 잘 일치하였다. $LiHe_2,\;LiAr_2$$NaAr_2$에 대하여 계산된 분광학적 성질들도 또한 계산하였다.

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다중 탄성 빔 모델을 사용한 다중벽 탄소 나노튜브의 자유 진동에 미치는 수정된 반데르발스 상호작용에 대한 연구 (The Study of Modified van der Waals Interactions on Free Vibration of Multi-walled Carbon Nanotubes Using Multi-elastic Beam Model)

  • 윤주일;강상욱
    • 한국소음진동공학회논문집
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    • 제20권4호
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    • pp.390-396
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    • 2010
  • Resonant frequencies and the associated vibrational modes of multiwall carbon nanotubes are studied in this paper. The analysis is based on a multiple-elastic beam model, considering intertube radial displacements and the related internal degrees of freedom. Especially, van der Waals interaction is modified considering both all interaction between each layers in multi-wall carbon nanotubes and curvature effect. The results show that modified van der Waals interaction could significantly affect the natural frequencies of multi-walled carbon nanotubes. In particular, non-coaxial intertube resonance will be excited at the higher resonant frequencies of multiwall carbon nanotubes.

캡슐화된 나노와이어 탄소나노튜브 오실레이터에 대한 연구 (A Study of Carbon Nanotube Oscillator Encapsulating Nanowire)

  • 이준하;김형진;김정환;주아영;이흥주
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2006년도 추계학술발표논문집
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    • pp.154-157
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    • 2006
  • 구리 나노와이어를 캡슐로 싼 탄소 나노튜브 오실레이터에 대한 특성을 분자동역학 시뮬레이션을 이용하여 분석하였다. 탄소-탄소 반데르발스 상호작용으로 인한 초과 힘은 탄소-구리 반데르발스 상호작용에 의한 초과 힘보다 더 크고 구리 원자의 질량이 탄소 원자의 질량보다 더 크기 때문에 탄소 원자는 구리 원자보다 더 쉽게 촉진되고 안쪽 나노튜브와 캡슐로 들어간 구리 나노와이어 사이의 충돌은 전체 초과 힘을 감소시키는 반발 힘을 만든다.

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화학기상증착법을 통해 합성된 그래핀 및 MoSe2를 이용한 반데르발스 수직이종접합 전계효과 트랜지스터 (Field-effect Transistors Based on a Van der Waals Vertical Heterostructure Using CVD-grown Graphene and MoSe2)

  • 최선연;고은비;권성균;김민희;김설아;이가은;최민철;김현호
    • 접착 및 계면
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    • 제24권3호
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    • pp.100-104
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    • 2023
  • 본 Van der Waals heterostructure 기반의 트랜지스터의 경우 표면에 불포화 결함(dangling bond) 없이 Van der Waals 힘으로만 결합되어 있어 우수한 전자특성을 보이기 때문에 최근 많이 연구되고 있다. 하지만, 트랜지스터에 사용되는 2차원 물질들은 대부분 스카치테이프(mechanical exfoliation) 방법을 기반으로 하는 기초 연구에 머물러 있다. 그렇기 때문에 이를 발전시키기 위해 반데르발스 수직이종접합 전계효과 트랜지스터를 제작하는 데 사용되는 모든 소재를 CVD (chemical vapor deposition)에서 성장된 소재를 사용하였다. 전극으로는 CVD로 성장된 그래핀을 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하여 사용하였으며, CVD로 성장된 MoSe2를 픽업/전사하는 방식으로, 둘 사이의 반데르발스 이종접합 전계효과 트랜지스터를 제작하였다. 본 연구에서는 이를 통해 제작된 소자의 특성을 보았으며 MoSe2의 결함 유무에 따라 트랜지스터의 특성에 변화가 있음을 확인하였다.

키토산 유도체의 제조 및 면직물에의 응용

  • 김재영;정용식;김진우
    • 한국섬유공학회:학술대회논문집
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    • 한국섬유공학회 1998년도 가을 학술발표회논문집
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    • pp.137-140
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    • 1998
  • 최근 면직물에 항균성을 부여하기 위해 생체친화성이 높은 키토산에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 키토산이 갖고 있는 아미노기는 생체친화성과 항균성을 부여하며 미성숙면의 염색성향상, 의료용고분자 등에 응용되고 있다[1, 2]. 한편, 일반적으로 면직물에 키토산을 처리하면 섬유와 키토산은 화학결합이 아닌 반데르발스 결합 등의 약한 결합을 형성하기 때문에 내세탁성이 떨어지는 문제점이 있다[3, 4]. (중략)

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반데르발스 2차원 반도체소자의 응용과 이슈 (Trend and Issues of van der Waals 2D Semiconductor Devices)

  • 임성일
    • 진공이야기
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    • 제5권2호
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    • pp.18-22
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    • 2018
  • wo dimensional (2D) van der Waals (vdW) nanosheet semiconductors have recently attracted much attention from researchers because of their potentials as active device materials toward future nano-electronics and -optoelectronics. This review mainly focuses on the features and applications of state-of-the-art vdW 2D material devices which use transition metal dichalcogenides, graphene, hexagonal boron nitride (h-BN), and black phosphorous: field effect transistors (FETs), complementary metal oxide semiconductor (CMOS) inverters, Schottky diode, and PN diode. In a closing remark, important remaining issues of 2D vdW devices are also introduced as requests for future electronics and photonics applications.

응집 구조 제어에 의한 세라믹 분말 공정

  • 이해원;김상우;전형우;송휴섭
    • 세라미스트
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    • 제1권1호
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    • pp.28-36
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    • 1998
  • 세라믹 분발의 분산안정성은 입자의 입경 및 형상, 배열형태, 그리고 분산기구에 따라 크게 달라진다. 대체로 입경이 콜로이드 범위내에 존재하면 일반적인 정전반발력이나 입체반발력에 의하여 분산이 가능하지만, 콜로이드 범위를 넘는 조대한 입경을 가지는 분말에서는 진정한 분산안정성을 얻는 것은 불가능하다. 비록 콜로이드 범위에 속히는 입경을 가지더라도 Hamaker 상수가 매우 높거나 기하이방성을 가진 입자가 우선배향성을 가지는 경우에도 마찬가지의 결과를 보여 준다. 진정한 의미의 분산안정성을 얻을 수 없는 경우 입자 간 포텐셜 에너지의 절대값이 최소가 되도록 함과 더불어 고분자 흡착층이나 전기이중층의 두께를 조정하여 입지간 평형거리를 조정하여 후속공정에서의 균일성을 유지하는 것이 기능하다. 이와 같은 제한응집은 진정한 의미의 분산안정성을 얻을 수 없는 분말을 구성분말로 하는 단미는 물론 복합재료에서도 활용이 가능하다. 나노 크기의 입경을 가지는 분말에서는 반데르발스 인력은 상대적으로 작지만, 정전반발력도 동시에 작아지기 때문에 에너지 장벽의 높이가 충분하지 않은 경향을 보인다. 따라서, 나노 분말의 분산안정성은 흡착층의 두께가 크지 않는 저분자량의 고분자를 흡착시켜 입체반발력을 부여하는 것이 바람직하다.

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