• Title/Summary/Keyword: 박막형 태양전지

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사물 융합 태양전지 기술 및 전망

  • Im, Dong-Chan;Kim, So-Yeon
    • Bulletin of the Korea Photovoltaic Society
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    • v.8 no.1
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    • pp.9-19
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    • 2022
  • 전 세계적으로 탄소중립에 대한 중요도가 증가하면서 국내에서도 이를 위한 그린뉴딜 정책이 발표되었다. 태양전지는 탄소중립 실현을 위한 중요한 신재생에너지 중의 하나이며, 최근에는 실외 거치형 발전 시스템을 넘어 건축 창호 및 외벽, 자동차 선루프, IoT 센서 구동용 전원 등 다양한 분야에서 제품들과의 융합화를 위한 소재/시스템 기술이 개발되고 있다. 본 원고에서는 유기태양전지를 활용한 Product integrated 태양전지 소재 및 응용 기술에 대해서 살펴보고자 한다. 특히, 실내 조명을 이용한 유기태양전지 기술에 대해 자세히 논의하고자 한다.

III-V Tandem, CuInGa(S,Se)2, and Cu2ZnSn(S,Se)4 Compound Semiconductor Thin Film Solar Cells (3-5족 적층형과 CuInGa(S,Se)2 및 Cu2ZnSn(S,Se)4 화합물반도체 박막태양전지)

  • Jeong, Yonkil;Park, Dong-Won;Lee, Jae Kwang;Lee, Jaeyoung
    • Applied Chemistry for Engineering
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    • v.26 no.5
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    • pp.526-532
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    • 2015
  • Solar cells with other alternative energies are being importantly recognized related with post-2020 climate change regime formation. In a point of view of materials, solar cells are classified to organic and inorganic solar cells which can provide a plant-scale electricity. In particular, recent studies about compound semiconductor solar cells, such as III-V tandem solar cells, chalcopyrite-series CIGSSe solar cells, and kesterite-series CZTSSe solar cells were rapidly accelerated. In this report, we introduce a research trend and technical issues for the compound semiconductor solar cells.

Design of Light Trapping System of Thin Film Solar Cell Using Phase Field Method (페이즈 필드법을 이용한 박막형 태양전지의 광포획층 설계)

  • Heo, Namjoon;Yoo, Jeonghoon
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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    • v.38 no.9
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    • pp.973-978
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    • 2014
  • This study focused on the design of the reflecting layer of a light trapping system fora thin film solar cell using topology optimization based on the phase field method. Therefore, incident light was caused to propagate in the desired direction by reflecting it from this layer, which is the design domain. The same method was applied to the conceptual design of an infrared stealth structure in near infrared range. The results using the phase field method were compared with those using the density method. The design objective was to maximize the Poynting vector value representing the energy flux, which was measured in a measuring domain to control the reflected wave direction. A finite element analysis and optimization process were performed using the commercial package COMSOL combined with the MATLAB programming.

Synthesis of CuInSe2 Thin Film by Non-vacuum Precursor Coating and Oxidation Treatment

  • Lee, Dong-Uk;Yong, Gi-Jung
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.400-400
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    • 2011
  • 조성에 따른 밴드갭 조절이 용이하고 광흡수율이 결정질, 비결정질 실리콘보다 높으며 황동광 구조를 갖는 CuIn1-xGaxSe2 계 물질은 박막형 태양전지의 광흡수층으로 널리 쓰이고 있다. 기존 동시증발법, 스퍼터링법 등 진공 공정 기반 기술이 갖는 고비용 문제와 대면적화 필요성에 대한 대안으로 비진공 박막 증착법이 활발히 연구되고 있는 가운데, 본 연구에서는 닥터블 레이드 코팅법을 이용하여 상온 및 상압 환경에서 쉽게 전구체 박막을 코팅한 후 열처리함으로써 CuInSe2 박막을 얻을 수 있었다. 고분자로 이루어진 바인더(binder) 물질과 금속 아세테이트 (metal acetate)계 전구체를 용매에 용해시킨 후 이를 도포하고, 추가적인 산화 열처리 과정 (oxidation)을 통해 최근 문제가 되고 있는 잔류탄소층 문제를 해결할 수 있었다. XRD 분석 결과, 금속 전구체들은 산화 과정 통해 금속산화물로 변환되고, 이후 셀렌화(Selenization)과정에서 산소(Oxygen)가 셀레늄(Selenium)으로 치환되는 반응이 일어나는 것으로 관찰되었다. 또한 SEM 분석을 통해 잔류 탄소층이 존재하지 않으며 결정립 크기가 최대 수백nm 정도임을 확인하였다.

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Stainless steel 기판에서 제조된 CIGS 박막 태양전지의 ZnO 확산 방지막을 이용한 deep level defect 감소 연구

  • Kim, Jae-Ung;Kim, Hye-Jin;Kim, Gi-Rim;Kim, Jin-Hyeok;Jeong, Chae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.393-393
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    • 2016
  • Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) 박막 태양전지는 높은 효율과 낮은 제조비용, 높은 신뢰성으로 인해 박막 태양전지 중 가장 각광받고 있다. 특히 유리기판 대신 가볍고 유연한 철강소재나 플라스틱 소재를 이용하여 발전분야 외에 건물일체형, 수송용, 휴대용등 다양한 분야에 적용이 가능하다. 이러한 유연 기판을 이용한 CIGS 태양전지의 개발을 위해서는 기판의 특성에 따른 다양한 공정개발이 선행되어야 한다. Stainless steel과 같은 철강기판의 경우 Fe, Ni, Cr등의 불순물이 확산되어 흡수층의 특성을 저하시켜 효율을 감소시킨다. 따라서 이러한 철강 기판의 경우 불순물의 확산을 방지하는 확산방지막이 필수적이다. 이러한 유연기판의 특성을 고려하여 본 연구에서는 기존의 두껍고 추가 장비가 요구되는 SiOx나 Al2O3 대신 200nm 이하의 ZnO 박막을 이용하여 확산방지막을 제조하였다. 유연기판으로 STS 430 stainless steel을 이용하였다. 먼저 stainless steel 기판을 이용하여 기판에 의한 흡수층의 특성을 분석하였으며 ZnO 확산 방지막의 유무 및 두께에 따른 흡수층 및 소자의 특성을 분석하였다. 이때 확산 방지막은 기존 TCO 공정에서 사용되는 i-ZnO를 사용하였으며 RF sputter를 이용하여 50~200nm로 두께를 달리하며 특성 비교를 실시하였다. 효율은 확산방지막을 적용하지 않았을 때 약 5.9%에서 확산 방지막 적용시 약 10.7%로 증가하였다. 그 후 기판으로부터 확산되는 불순물의 유입에 의한 결함을 분석하기 위해 DLTS를 이용하여 소자 특성을 분석하였다. 온도는 80~300K으로 가변하며 측정을 실시하였으며 그 후 계산을 통해 activation energy와 capture cross section 값을 구하였다. DLTS 분석 결과 Ni이 CIGS 흡수층으로 확산되어 NiCu anti-site를 형성하여 태양전지의 효율을 감소시키는 것을 확인하였다. 모든 흡수층은 Co-Evaporation 방법을 이용하여 제조하였으며 제조된 흡수층은 SEM, XRF, XRD, GD-OES, PL, Raman등을 이용하여 분석하였으며 그 외 일반적인 방법을 이용하여 Mo, CdS, TCO, Al grid를 제조하였다. AR 코팅은 제외 하였으며 제조된 소자는 솔라 시뮬레이터를 이용하여 효율 특성 분석을 실시하였으며 Q.E. 분석을 실시하였다.

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A Study on the Characteristics of Dye-sensitized Solar Cell Module Using Titanium Thin Film (티타늄 박막을 이용한 염료감응형 태양전지 모듈 특성에 관한 연구)

  • Oh, Byeong-Yun;Kim, Phil-Jung
    • Journal of IKEEE
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    • v.25 no.1
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    • pp.69-75
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    • 2021
  • In this work, we consider the fabrication method and electrical characteristics of dye-sensitized solar cells (DSSCs), which use titanium (Ti) metal thin films to replace expensive fluorine tin oxide (FTO) electrodes. The thickness of the Ti thin film was changed by adjusting the deposition time of the Ti, and the surface resistance decreased as the thickness of the Ti thin film became thicker. The thickness of the Ti thin film was shown to be similar to the surface resistance of the FTO thin film at approximately 190nm and the DSSC with a thickness of approximately 250nm showed the highest energy conversion efficiency of 4.24%. Furthermore, the possibility of commercialization was confirmed by fabricating and evaluating the DSSC module.

Investigation of porous silicon AR Coatings for crystalline silicon solar cells (결정질 태양전지 적용을 위한 다공성 실리콘 반사방지막 특성 분석)

  • Lee, Hyun-Woo;Kim, Do-Wan;Lee, Eun-Joo;Lee, Soo-Hong
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2006.06a
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    • pp.152-153
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    • 2006
  • 본 연구에서는 태양전지 표면에 입사된 광자의 반사손실을 최소화하기 위한 방법으로써 기판 표면에 다공성 실리콘층을 이용한 반사방지막 (Anti-Reflection Coating, ARC)을 형성하는 실험을 하였다. 다공성 실리콘(Porous silicon, PSi)은 실온에서 일정 비율로 만든 전해질 용액($HF-C_2H_5OH-H_2O$)을 사용하여 실리콘 표면을 양극산화처리 함으로써 단순 공정만으로 실리콘 기판의 반사율을 높일 수 있다. 또한 새로운 레이어(layer)없이 기존 기판을 식각시켜 만들기 때문에 박막형 태양전지를 제작시 적용이 용이하다. 저비용, 단순공정의 이점을 살려 전류밀도에 따른 PSi의 반사방지막으로써의 특성을 비교 분석하였다.

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전기로 셀렌화 공정에 의한 CuInSe2 박막 연구

  • Go, Hang-Ju;Lee, Gyeong-Hun;Kim, Jin-Hyeok;Kim, Hyo-Jin;Han, Myeong-Su
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.318-318
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    • 2010
  • 전기로를 이용하여 셀렌화한 $CuInSe_2$ (CIS)박막에 대해 연구한 결과를 발표하고자 한다. 화석연료의 과도한 사용으로 지구온난화의 환경문제가 대두되면서 영구적이고 무상의 태양에너지 이용에 대한 필요성이 점차 높아지고 있다. 빛에너지를 전기에너지로 변화시키기 위한 태양전지는 재료에 따라 다양하게 개발되고 있으며 그 중 가장 주목을 받고 있는 것 중의 하나가 $CuInSe_2$을 흡수층으로 하는 CIS 박막 태양전지이다. CIS 박막은 태양전지의 흡수층으로 사용되는데 직접천이형 밴드구조를 가지고 있고, 약 $10^5\;cm^{-1}$의 높은 광흡수계수를 가지고 있어 태양전지의 흡수층으로 적합한 물질로 각광받고 있다. 에너지 밴드갭이 1eV로 실리콘과 유사한 밴드갬을 가지고 있으나 이는 Ga, Al을 In 대신 치환함으로 조절할 할 수 있다. 무엇보다도 유리와 같은 저가의 기판위에 스퍼터와 같은 장치로 대면적 CIS 태양전지를 만들수 있다는 것이 산업적인면에서의 장점으로 알려져 있다. 본 연구에서는 $50mm{\times}50mm$ 넓이의 sodalime 유리판을 기판으로 하여 CIS 박막을 제조하고 연구하였다. 스퍼터를 이용하여 유리기판 위에 Mo (Molybdenum) 을 증착하고 그 위에 Cu-In막을 증착하였다. Cu-In/Mo/유리기판 시료는 전기로에 도입되어 셀렌화 처리 하였다. 전기로는 $10^{-1}$ Torr 정도의 진공을 수분간 유지하여 반응할 수 있는 공기(산소)를 제거하였다. 진공 혹은 5N의 고순도 질소를 흘려주며 열을 가하여 셀렌화를 하였다. 전기로에는 1g의 셀레늄(Se)이 Cu-In/Mo/유리기판 시료와 함께 도입되었다. Se이 Cu-In 막과 높은 반응성을 갖도록 Se과 Cu-In 시료는 그라파이드 상자에 함께 넣었고, 그라파이트 상자는 전기로에 넣어 셀렌화하였다. 셀렌화 온도는 $400^{\circ}C{\sim}500^{\circ}C$까지 변화시켜 가며 CIS 박막을 제조하였으며 그 물성도 조사하였다. 물성 조사는 사진, 현미경, SEM, EDX, XRD, Hall effects를 이용하였다. 셀렌화 온도가 $450^{\circ}C$ 이상에서는 CIS 박막의 흡착성이 낮아 CIS 박막이 Mo 표면에서 떨어짐을 알 수 있었다. 셀렌화 후 박막에 함유된 Se은 48%~49% 정도있었다. 제조된 CIS 박막시료를 SEM으로 확인한 결과 생성된 CIS/Mo 사이에 계면층이 생겼있음 알 수 있었다. 이러한 계면층은 $MoSe^2$층으로 사료되고, 셀렌화 온도가 높으면 계면층의 두께도 증가되는 경향을 보였다. 셀렌화 온도가 높아질수록 많은 양의 산소가 CIS 박막에 들어가는 것도 알 수 있었다. 학술회의에서 보다 깊은 조사결과를 발표하고자 한다.

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후막공정형 CIGS($CuInGaSe_2$) 태양전지를 위한 CIGS 나노 입자의 합성

  • Gu, Sin-Il;Hong, Seung-Hyeok;Sin, Hyo-Sun;Yeo, Dong-Hun;Hong, Yeon-U;Kim, Jong-Hui;Nam, San
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.06a
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    • pp.448-448
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    • 2009
  • 기존에 박막공정을 이용한 CIGS 태양전지는 단가가 비싸고 공정이 복잡한 단점이 있다. 따라서 후막형 CIGS 태양전지 위한 CIGS 나노 입자의 필요성이 대두 되었다. CIGS 나노 입자를 합성하기 위한 방법은 용매열법, 콜로이달법 등이 있다. 특히 이들 방법 중에서 열용매 방식은 입도 제어가 용이하고 저압, 저온에서 간단한 공정으로 입자를 합성할 수 있다는 잠정으로 인해 많이 사용되어지고 있다. 본 연구에서는 열용매법을 이용하여, 용매양, 반응온도, 반응시간 등을 통하여 후막형 CIGS에 적합한 나노 입자를 합성하였다. XRD를 통해 상을 분석하고, SEM, 입도, B.E.T.를 통해 파우더의 평가하였다.

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Sn과 SnO 박막을 이용한 SnxSy 박막 합성

  • Kim, Tae-Hun;Kim, Jeong-Ju;Lee, Jun-Hyeong;Heo, Yeong-U
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.266.1-266.1
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    • 2016
  • 최근 태양전지에 대한 연구가 활발하기 이루어지고 있다. 그 중 본 연구에선 태양전지에 사용될 광흡수층에 대한 연구로 광흡수층은 광흡수계수와 밴드갭의 영향을 받고 SnS가 적합한 특성을 지니고 있다고 판단하여 이에 대한 합성과 특성에 대한 연구를 진행 하였다. SnxSy 박막은 Electrochemical deposition, Spray pyrolysis deposition, Furnace를 이용하는 등 다양한 방법이 있다. 이러한 방법들은 대부분 막질이 좋지 않다고 알려져 있는데 그 중 Furnace를 이용하는 방법은 간단하며 넓은 면적에 쉽게 증착이 가능하다는 장점이 있지만 S의 양과 온도에 민감하다. 본 연구에서는 Sn과 SnO 박막을 전구체로 사용하였으며 S의 양과 온도를 조절하여 로를 이용하여 합성하였다. 이에 대한 조성 및 구조적 특성을 분석하기 위해 XRD를 전기적 특성을 확인하기 위하여 Hall effect measurement를 통하여 측정하였다.

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