• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.17 no.7
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• pp.5-13
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• 2000

지금까지의 기계산업의 발달은 대규모의 플랜트 혹은 대형기계 개발 등 대형화를 추구해왔다. 그러나, 최근 에너지와 환경에 대한 인식과 정보 통신, 전자산업, 생명산업의 발달로 소형화와 미세화의 기술 개발이 요구되고 있다. 그 예로 크기가 micron혹은 sub-millimeter 단위인 초소형기계 (Micro Machine)이 등장하게 되었고, 이러한 부품 및 시스템을 제작하는 미세 가공 기술을 Micro Machining이라고 할 수 있다.(중략)

• The Optical Journal
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• s.101
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• pp.57-63
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• 2006

지금까지 재현성이나 안정성이 문제가 되어온 경면 연삭이나 연성 모드 연삭도 ELID 연삭법의 개발에 따라 실용화되기 시작하고 있다. 부드러운 지석으로 피삭재 표면을 문지르듯이 가공한 기존의 다듬질 연삭은 예리하게 돌출된 미세한 지립에 의해 삭둑삭둑 잘리며 능률적으로 경면화되고 초정밀화 될 수 있는 신가공 기술로 변해 왔다. 또 절삭 가공의 이미지로 난가공재를 깎는 고능률 연삭도 실용 단계로 들어섰다. ELID 법의 본격적인 보급을 위해 관련된 제조업체의 협력으로 주변 기술의 정비가 진행되고 있지만 ELID 연삭 조건을 최적화하려면 작업 목적의 설정과 구성 요소의 선정을 좀더 명확하게 한 다음 적용할 기계 정밀도·성능, 기능과의 적합성을 검토할 필요가 있다.

• The Optical Journal
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• s.102
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• pp.18-21
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• 2006

최근에는 난이도가 높은 다양한 초정밀 광학 소자, 비구면 광학 소자나 마이크로 광학 소자 등 대부분의 가공 공정이 초정밀이면서 초미세한 연삭 가공에 의해 이루어지게 되었다. 그리고 일반적으로 초정밀 및 미세 가공 기술로서 자주 예로 드는 반도체 공정 기술에서는 제조가 어려운 다양한 광학 재료, 광학 부품 가공에 자유롭게 접근할 수 있는 초정밀 및 초미세 기계 가공으로서의 연삭 가공 기술의 진보가 새롭게 인식되기 시작했다고 할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.33-34
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• 2013

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 1992.04a
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• pp.55-59
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• 1992

최근 신 연삭 공구인 미세한 지립의 다이아몬드 휠을 이용함으로써 고경도와 취성을 지니는 엔지 니어링 세라믹스등의 신소재및 초경재 등 난삭재류를 대상으로 경면 가공을 추구하고자 노력이 진행중이다. 이는 래핑이나 폴리싱 등의 유리 지립에 의한 경면 창성법에 비하여 가공 능률이나 가공 정도가 높고 곡면이나 홈 등의 복잡 형상부의가공에도적용할 수 있다는 잇점이 있기 때문이다. 따라서 현재 이러한 신 연삭 가공법은 지금까지 연삭 가공후에 연마 가공 공정을 부가함으로써 초정 밀 효과를 지닐 수 있었던 각종 부품들에대한 단일 최종 마무리가공 공정으로의 응용에많은 기대를 걸고 있다. 본 연구는 높은 압축 강도치, 고온경도치와 내마모성, 강성 등을 지님으로써 외부 압력에 대한 변형률이 극히 적어 금형 칫수에가까운 제품을 생산할 수 있다는 특성으로 근래그 사용도가 급증 하고 있는 초경합금 금형재를 대상으로 해그 동안 난삭재에 대한 최적 가공 조건 설정이 정립되어 있지 못했던 관계로 인하여 기존의 숙련자 경험에만 주로 의존 할 수 밖에 없었던 단순한 다이아몬드 연삭 공구의 활용추세로부터 탈피하고 Diamond wheel 및 범용 연삭 공구를 최적으로 활용함으로써 연삭 가공의 초정밀화를 달성하며후 가공을 생략할 수 있는 가공 공정을 창출 해내기위하여, 상관 관계를 연삭 저항 및 가공 표면 품위등의 측면으로분석, 평가해봄으로써 초정밀 가공 차원에서의 최적 가공 조건 설정을 위한 지침을 명확하게 규명하기 위하여 실험적으로 수행하게 된 것이다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.12 no.2
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• pp.48-58
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• 1995

A micro positioning system using piezoelectric actuators have very wide application region such as ultra-precision machine tool, optical device, measurement systen. In order ro keep a high precision displacement resolution, they use a position sensor and feedback the error. From the practical point of view, a high-resolution displacement sensor system are very expensive and difficult to guarantee such sensitive sensors work properly in the hard opera- tion environment of industry. In this study, a micro-positioning grinding table which does not require position sensor but uses piezoelectric voltage feedback, has been developed. It is driven by hystersis-considering reference input voltage which calculated from computer and then uses actuator/sensor characteristics of piezoelectric materials. From the result of experiments we proved a fast and stable response of micro-positioning system and suggested efficient technique to control the piezoelectric actuator. And through grinding experiments, it is revealed that a characteristics of ground surfaces transient to plastic deformation as extremely small depth of grinding.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.225-226
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• 2013

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.24 no.10
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• pp.31-36
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• 2007

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.40 no.8
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• pp.770-776
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• 2003

#140 mesh and #600 mesh wheels were adopted to grind (111) and (100) oriented single crystalline silicon wafer and the grinding induced change of the surface integrity was investigated. For this purpose, microroughness, residual stress and phase transformation were analyzed for the ground surface. Microroughness was analyzed using AFM (Atomic Force Microscope) and crystal structure was analyzed using micro-Raman spectroscopy. The residual stress and phase transformation were also analyzed after thermal annealing in the air. As a result, microroughness of (111) wafer was larger than that of (100) wafer after grinding. It was observed using Raman spectrum that the silicon was transformed from diamond cubic Si-I to Si-III(body centered tetragonal) or Si-XII(rhombohedral). Residual stress relaxation was also shown in cavities which were produced after grinding. The thermal annealing was effective for the recovery of the silicon phase to the original phase and the residual stress relaxation.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.15 no.2
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• pp.63-67
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• 2008

3D integration technology has been a major focus of the next generation of IC industries. In this study Si wafer ultra-thinning has been investigated especially for the effect of ultra-thinning on the silicon surface. Wafers were grinded down to $30{\mu}m\;or\;50{\mu}m$ thickness and then grinded only samples were compared with surface treated samples in terms of surface roughness, surface damages, and hardness. Dry polishing or wet etching treatment has been applied as a surface treatment. Surface treated samples definitely showed much less surface damages and better roughness. However, ultra-thinned Si samples have the almost same hardness as a bulk Si wafer.