• 제목/요약/키워드: 미세연삭

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$\cdot$연삭에 의한 Micro Machining 기술 (Micro Machining Technology Using Turning and Grinding)

  • 이응숙;제태진;신영재
    • 한국정밀공학회지
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    • 제17권7호
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    • pp.5-13
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    • 2000
  • 지금까지의 기계산업의 발달은 대규모의 플랜트 혹은 대형기계 개발 등 대형화를 추구해왔다. 그러나, 최근 에너지와 환경에 대한 인식과 정보 통신, 전자산업, 생명산업의 발달로 소형화와 미세화의 기술 개발이 요구되고 있다. 그 예로 크기가 micron혹은 sub-millimeter 단위인 초소형기계 (Micro Machine)이 등장하게 되었고, 이러한 부품 및 시스템을 제작하는 미세 가공 기술을 Micro Machining이라고 할 수 있다.(중략)

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ELID 연삭

  • 한국광학기기협회
    • 광학세계
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    • 통권101호
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    • pp.57-63
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    • 2006
  • 지금까지 재현성이나 안정성이 문제가 되어온 경면 연삭이나 연성 모드 연삭도 ELID 연삭법의 개발에 따라 실용화되기 시작하고 있다. 부드러운 지석으로 피삭재 표면을 문지르듯이 가공한 기존의 다듬질 연삭은 예리하게 돌출된 미세한 지립에 의해 삭둑삭둑 잘리며 능률적으로 경면화되고 초정밀화 될 수 있는 신가공 기술로 변해 왔다. 또 절삭 가공의 이미지로 난가공재를 깎는 고능률 연삭도 실용 단계로 들어섰다. ELID 법의 본격적인 보급을 위해 관련된 제조업체의 협력으로 주변 기술의 정비가 진행되고 있지만 ELID 연삭 조건을 최적화하려면 작업 목적의 설정과 구성 요소의 선정을 좀더 명확하게 한 다음 적용할 기계 정밀도·성능, 기능과의 적합성을 검토할 필요가 있다.

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광학 재료의 연삭 가공

  • 한국광학기기협회
    • 광학세계
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    • 통권102호
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    • pp.18-21
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    • 2006
  • 최근에는 난이도가 높은 다양한 초정밀 광학 소자, 비구면 광학 소자나 마이크로 광학 소자 등 대부분의 가공 공정이 초정밀이면서 초미세한 연삭 가공에 의해 이루어지게 되었다. 그리고 일반적으로 초정밀 및 미세 가공 기술로서 자주 예로 드는 반도체 공정 기술에서는 제조가 어려운 다양한 광학 재료, 광학 부품 가공에 자유롭게 접근할 수 있는 초정밀 및 초미세 기계 가공으로서의 연삭 가공 기술의 진보가 새롭게 인식되기 시작했다고 할 수 있다.

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초경 합금의 초정밀 평면연삭 가공에 관한 연구

  • 강재춘
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.55-59
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    • 1992
  • 최근 신 연삭 공구인 미세한 지립의 다이아몬드 휠을 이용함으로써 고경도와 취성을 지니는 엔지 니어링 세라믹스등의 신소재및 초경재 등 난삭재류를 대상으로 경면 가공을 추구하고자 노력이 진행중이다. 이는 래핑이나 폴리싱 등의 유리 지립에 의한 경면 창성법에 비하여 가공 능률이나 가공 정도가 높고 곡면이나 홈 등의 복잡 형상부의가공에도적용할 수 있다는 잇점이 있기 때문이다. 따라서 현재 이러한 신 연삭 가공법은 지금까지 연삭 가공후에 연마 가공 공정을 부가함으로써 초정 밀 효과를 지닐 수 있었던 각종 부품들에대한 단일 최종 마무리가공 공정으로의 응용에많은 기대를 걸고 있다. 본 연구는 높은 압축 강도치, 고온경도치와 내마모성, 강성 등을 지님으로써 외부 압력에 대한 변형률이 극히 적어 금형 칫수에가까운 제품을 생산할 수 있다는 특성으로 근래그 사용도가 급증 하고 있는 초경합금 금형재를 대상으로 해그 동안 난삭재에 대한 최적 가공 조건 설정이 정립되어 있지 못했던 관계로 인하여 기존의 숙련자 경험에만 주로 의존 할 수 밖에 없었던 단순한 다이아몬드 연삭 공구의 활용추세로부터 탈피하고 Diamond wheel 및 범용 연삭 공구를 최적으로 활용함으로써 연삭 가공의 초정밀화를 달성하며후 가공을 생략할 수 있는 가공 공정을 창출 해내기위하여, 상관 관계를 연삭 저항 및 가공 표면 품위등의 측면으로분석, 평가해봄으로써 초정밀 가공 차원에서의 최적 가공 조건 설정을 위한 지침을 명확하게 규명하기 위하여 실험적으로 수행하게 된 것이다.

압전전압 궤환에 의한 미세구동 연삭테이블의 개발 (A Development of Micro-Positioning Grinding Table using Piezoelectric Voltage Feedback)

  • 남수룡;김정두
    • 한국정밀공학회지
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    • 제12권2호
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    • pp.48-58
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    • 1995
  • A micro positioning system using piezoelectric actuators have very wide application region such as ultra-precision machine tool, optical device, measurement systen. In order ro keep a high precision displacement resolution, they use a position sensor and feedback the error. From the practical point of view, a high-resolution displacement sensor system are very expensive and difficult to guarantee such sensitive sensors work properly in the hard opera- tion environment of industry. In this study, a micro-positioning grinding table which does not require position sensor but uses piezoelectric voltage feedback, has been developed. It is driven by hystersis-considering reference input voltage which calculated from computer and then uses actuator/sensor characteristics of piezoelectric materials. From the result of experiments we proved a fast and stable response of micro-positioning system and suggested efficient technique to control the piezoelectric actuator. And through grinding experiments, it is revealed that a characteristics of ground surfaces transient to plastic deformation as extremely small depth of grinding.

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단결정 실리콘의 기계적 손상에 대한 열처리 효과 (Thermal Annealing Effect on the Machining Damage for the Single Crystalline Silicon)

  • 정상훈;정성민;오한석;이홍림
    • 한국세라믹학회지
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    • 제40권8호
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    • pp.770-776
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    • 2003
  • (111) 및 (100) 단결정 실리콘 웨이퍼에 대하여 #140 mesh와 #600 mesh의 연삭숫돌을 사용하여 연삭가공을 행하고 가공에 의한 표면품위의 변화를 관찰하였다. 이를 위하여 Atomic Force Microscope(Am)을 사용하여 미세거칠기를 분석하고 라만 분광법(Raman spectroscopy)을 통하여 결정구조, 상변화 및 잔류응력을 분석하였다. 그 결과 연삭가공 후에 (111) 면에서 미세거칠기가 더 크게 나타났으며 실리콘이 다이아몬드구조의 Si-I에서 Si-III(body centered tetragonal) 및 Si-XII(rhombohedral)로 전이하는 현상을 라만스펙트럼 분석을 통해 확인하였다. 또한 연삭가공에 의하여 패인 구덩이에서는 일반적인 가공표면과 다른 라만스펙트럼이 관찰되어, 표면에 인가된 잔류응력이 새로운 표면생성으로 해소되었음을 알수 있었다. 또한 열처리에 의한 재료의 표면품위개선효과를 분석하기 위하여 대기 중에서 열처리를 시행한 결과 열처리는 잔류응력의 해소와 상전이의 회복에 효과적인 것으로 나타났다.

삼차원 집적화를 위한 초박막 실리콘 웨이퍼 연삭 공정이 웨이퍼 표면에 미치는 영향 (Effect of Si Wafer Ultra-thinning on the Silicon Surface for 3D Integration)

  • 최미경;김은경
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.63-67
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    • 2008
  • 전자산업의 소형화와 경량화 추세에 맞추어 최근 집적 칩(IC)이나 패키지를 적층시키는 삼차원 집적화(3D integration) 기술 개발은 차세대 핵심기술로 중요시되고 있다. 본 연구에서는 삼차원 집적화 공정 기술 중 하나인 초박막 실리콘 웨이퍼 연삭(grinding)공정이 웨이퍼 표면에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 실리콘 웨이퍼를 약 $30{\mu}m$$50{\mu}m$ 두께까지 연삭한 후, 미세연삭(fine grinding) 단계까지 처리된 시편을 건식 연마(dry polishing) 또는 습식 애칭(wet etching)으로 표면 처리된 시편들과 비교 분석하였다. 박막 웨이퍼 두께는 전계방시형 주사전자현미경과 적외선 분광기로 측정하였고, 표면 특성 분석을 위해선 표면주도(roughness), 표면손상(damage), 경도를 원자현미경, 투과정자현미경 그리고 나노인덴터(nano-indentor)를 이용하여 측정하였다. 표면 처리된 시편의 특성이 표면 처리되지 않은 시편보다 표면주도와 표면손상 등에서 현저히 우수함을 확인 할 수 있었으나, 경도의 경우 표면 처리의 유무에 관계없이 기존의 벌크(bulk)실리콘 웨이퍼와 오차범위 내에서 동일한 것으로 보였다.

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