• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2006.06a
• /
• pp.42-43
• /
• 2006

LTCC 후막공정에서 일반적으로 사용되고 있는 스크린 프린팅 방법은 낮은 정밀도와 100um 이하의 선폭을 구현하는 데 한계를 보이고 있다. 이에 따라서 보다 미세한 라인을 형성 할 수 있는 반도체 미세라인 공정기술을 후막 공정에 응용한 후막 리소그라피 기술 (thick-film lithography technology)이 전자부품의 소형화에 대한 방안으로 연구 되고 있다. 본 연구에서는 후막 리소그라피 기술에 사용되는 감광성 Silver 페이스트에 영향을 미치는 각기 다른 크기와 형상의 Silver 파우더들과 인쇄 후 표면의 roughness 개선을 위한 여러 종류의 첨가제들을 첨가하여 최적의 조성을 연구 하였으며, 그린시트와 페이스트의 매칭성을 해결하기 위해서 Tg가 다른 글라스 파우더를 첨가하였다. 또한 전면 인쇄 한 후에 건조, 노광, 현상, 적층, 소성 과정을 걸치는 후막 리소그라피 기술을 이용하여 소성 후 20um이하의 선폭을 가지는 내장형 패턴 구현하였으며 투과엑스레이와 O/S 테스트 통하여 우수한 특성을 확인 할 수 있었다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
• /
• 2011.12b
• /
• pp.646-648
• /
• 2011

본 논문에서는 쌍롤 박판주조(Twin Roll Casting, TRC)법을 이용하여 AA4343 합금을 제작하였다. 주조시 롤 간격을 조절하여 냉각속도를 달리하였으며 인고트 주조(Ingot Casting, IC)법을 이용하여 제조된 합금과의 미세조직학적 차이와 이에 따른 물성 변화를 고찰하였다. TRC 및 IC로 제조된 합금을 냉간압연하였으며 압연 건전성을 평가하였다. 한편, 냉각속도별로 상이한 미세조직을 구현할 수 있는 스텝몰드(Step Mold Casting, SMC)법을 이용하여 제조된 합금의 냉각속도에 따른 미세조직 및 경도 차이를 조사하여 상대 비교하였다. 냉각속도가 빠를수록 주조 셀조직의 크기 및 공정 Si 입자의 크기가 감소하였으며 이로 인하여 경도가 증가되는 효과를 나타내었다. 주조시 생성된 공정 Si 입자의 크기는 압연에 의하여 그 크기의 변화가 거의 없었으며 열분석 결과 액상선 온도의 변화가 일부 발생하나 큰 차이가 없었다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
• /
• v.41 no.4
• /
• pp.313-322
• /
• 2004

Thick film photolithography is a new technology in that the lithography process such as exposure and development is applied to the conventional thick film process including screen-printing. In this research, low-temperature cofireable silver paste, which enabled the formation of thick film fine-line using photolithographic technology, was developed. The optimum composition for fine-line forming was studied by adjusting the amounts of silver powder, polymer and monomer, and the additional amount of photoinitiator, and then the effect of processing parameter such as exposing dose on the formation of fine-line was also tested. As the result, it was found that the ratio of polymer to monomer, silver powder loading, and the amount of photoinitiator were the main factors affecting the resolution of fine-line. The developed photosensitive silver paste was printed on low-temperature cofireable green sheet, then dried, exposed, developed in aqueous process, laminated, and fired. Results showed that the thick film fine-line under 20$\mu\textrm{m}$ width could be obtained after cofiring.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2010.06a
• /
• pp.224-224
• /
• 2010

야금학적 정련은 태양전지 소재인 실리콘의 저가화를 통한 태양전지의 단가를 낮추는데 유망한 공정이다. 이중에서도 실리콘의 전자빔정련은 고순도의 실리콘 정련에 효과적인 기술이다. 본 연구에서는 전자빔용융법을 이용하여 실리콘 정련을 수행하였으며, 제조된 실리콘의 미세구조 및 분순물농도를 측정하였다. 고진공의 챔버 하부에 수냉동도가니가 위치해있고, 상부에 100 kW출력의 전자총이 설치되었다. 실리콘은 분쇄 및 세척과 같은 전처리 없이 수냉동도가니에 250g 이 장입되었다. 전자빔때턴은 소프트웨어를 통한 헌혈, 나선형의 경로(path)와 원형의 형상(Shape)이 결합하여 원형패턴과 나선형패턴의 형상으로 실리콘에 조사되었다. 전자빔의 출력을 15 kW로 실리콘을 용융하였고 분당 0.5 kW의 속도로 서냉하였다. 제조된 실리콘은 지름 100 mm, 높이 25 mm의 버튼형상이었으며, 횡방향으로 절단하여 미세구조와 불순물거동을 분석하였다. 미세구조는 광학현미경 (OM) 과 전자현미경 (SEM)을 통하여 관찰하였고 불순물거동은 유도결합플라즈마 분광분석기(ICP-AES) 을 통하여 분석하였다. 장입된 실리콘의 초기순도는 99.5 %이고, 전자빔정련 공정 후 99.996 %까지 향상되었다. 전자빔패턴을 이용한 고순도 실리콘의 정련은 태양전지 소재 개발에 유망한 기술로 활용될 것이다.

• Applied Chemistry for Engineering
• /
• v.32 no.6
• /
• pp.659-663
• /
• 2021

10 m³/min (CMM) multi-pollutants abatement system was successfully developed by effectively integrating ozone oxidation, wet scrubbing, and wet electrostatic precipitation for the simultaneous removal of particulate matters (PMs) and NOx in a semiconductor fabrication process. The sophisticated control and optimization of operating parameters were conducted to maximize the destruction and removal efficiency of NOx. In particular, the stability test of a wet electrostatic precipitator was carried out in parallel for 30 days to validate the reliability of core parts including a power supply. An O₃/NO ratio, which is the most important operating parameter, was optimized to be about 1.5 and the optimization of wet scrubbing with a reducing agent made it possible to analyze the contribution of neutralization reaction.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
• /
• v.23 no.1 s.178
• /
• pp.32-40
• /
• 2006

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.18 no.5
• /
• pp.475-480
• /
• 2017

In this paper, the conductivity of the fine pattern is improved in the insulating substrate by laser-induced forward transfer (LIFT) process. The high laser beam energy generated in conventional laser induced deposition processes induces problems such as low deposition density and oxidation of micro-patterns. These problems were improved by using a polymer coating layer for improved deposition accuracy and conductivity. Chromium and copper were used to deposit micro-patterns on silicon wafers. A multi-pulse laser beam was irradiated on a metal thin film to form a seed layer on an insulating substrate(SiO2) and electroless plating was applied on the seed layer to form a micro-pattern and structure. Irradiating the laser beam with multiple scanning method revealed that the energy of the laser beam improved the deposition density and the surface quality of the deposition layer and that the electric conductivity can be used as the microelectrode pattern. Measuring the resistivity after depositing the microelectrode by using the laser direct drawing method and electroless plating indicated that the resistivity of the microelectrode pattern was $6.4{\Omega}$, the resistance after plating was $2.6{\Omega}$, and the surface texture of the microelectrode pattern was uniformly deposited. Because the surface texture was uniform and densely deposited, the electrical conductivity was improved about three fold.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2015.08a
• /
• pp.195-195
• /
• 2015

반도체 제조 시 ohmic contact을 형성하고, barrier metal layer형성을 위해 NH3 기체를 사용하는 rapid thermal nitridation (RTN)은 반도체 공정에 있어 매우 중요한 핵심 기술이다. 그러나 공정 진행 시 발생하는 공정 부산물에 의한 chamber오염으로 인해 매우 정확히 입사 되어야 할 thermal energy의 controllability가 저하되고 있어, 미세 공정능력 구현의 한계에 부닥치고 있다. 본 연구에서는 quartz plate liner를 적용하여 RTN 공정에서 발생하는 공정 부산물인 ammonium chloride (NH4Cl)의 chamber 표면 증착을 최소화하였고, 공정 진행 온도의 controllability를 확보하였다.

• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
• /
• v.13 no.2
• /
• pp.60-70
• /
• 2002

최근 고성능/고집적 RF 소자 및 시스템들의 경박 단소화 추세에 따라 RF 무선 통신 분야에도 초소형미세 가공 기술인 MEMS 기술이 크게 주목받고 있다. 이에 본 고에서는 RF 부품 및 시스템을 MEMS 기술로서 실장하는 RF MEMS 패키지 기술에 대하여 간단히 살펴보았다. 우선, 실리콘 기반의 MEMS 패키지가 우수한 열 전달 특성과 저 손실의 고주파특성으로 인해 RF 시스템의 실장에 매우 적합함을 확인하였다. 또한, MEMS 기술을 이용함으로써 RF회로와 패키지 제작 공정이 동시에 이루어질 수 있도록 하는 일괄터리공정에 대하여 소개하였다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.17 no.6
• /
• pp.11-16
• /
• 2004

지난 40여년간의 반도체 집적 공정의 발전에 있어서 무어(Moore)의 법칙에 의한 소자의 미세화를 달성하기 위하여, 광리소그래피(optical lithography) 기술은 꾸준히 발전하여 왔으며, 소자의 선폭이 나노스케일인 공정에서 역시, 소자 제조의 핵심기술은 리소그래피 기술을 이용한 회로의 패터닝(patterning) 기술에 달려 있다고 해도 과언이 아니다. 그러나 현재 사용되고 있는 광리소그래피는 사용하는 파장의 길이에 따른 분해능(resolution)의 한계로 인하여, 이러한 나노 스케일의 소자를 제작하기 위해서는 새로운 리소그래피 기술이 필요하다는 것이 일반적으로 인정이되고 있다.(중략)