• Resources Recycling
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• v.29 no.6
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• pp.57-64
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• 2020

In this study, removal of OCA and organic impurities for recycling LCD touch panel glass was conducted by mechanical and chemical dissolution methode. Cut mill and oscillation mill were used for mechanical crushing of touch panel, and water, ethanol, dichloromethane were used to remove OCA and organic impurities. As a result of TGA, when applied only dicloromethane in the process, the efficiency of organic removal was to be best. In addition, removal effect of organic impurities increased as the cleaning temperature increased. As a result of zeta potential analysis to confirm the dispersion degree of touch panel glass in the solvent, the absolute value of the zeta potenial of water with the lowest cleaning effect was lower than other solvents, and it was confirmed that efficiency of organic removal is affected not only by the chemical dissolution properties but also the physical dispersion properties in the solvent.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.303-303
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• 2013

표면에 부착된 나노/마이크로 입자는 다양한 분야에서 오염물질로 작용한다. 특히 형상이 미세하고 공정 단계가 복잡한 반도체 및 디스플레이 등의 전자 소자 공정에서 미치는 영향이 크다. 따라서 입자상 오염물질의 제거에 관하여 상용화된 습식 세정 방법이 다양하게 존재하지만 표면 손상, 화학 반응, 부산물, 세정 효율 등 여러 가지 문제점이 있어 새로운 세정 방법이 요구된다. 이에 건식 세정 방법, 그 중에서도 입자의 충돌을 통해 제거하는 방법인 에어로졸 세정, 필렛 세정 등이 개발되었으나 마이크로 크기로 생성되는 입자로 인하여 형상의 손상이 크다. 따라서 본 연구에서는 나노 단위로 기체/고체 혼합물만 생성하여 세정하는 가스 클러스터 세정 방법을 이용하여 이러한 문제점을 해결하고자 하였다. 클러스터 세정 장비를 이용한 표면 처리는 충돌에 의한 제거에 기반한다. 따라서 생성 및 가속되는 클러스터로부터 대상으로 전달되는 운동량의 정도가 세정 특성에 영향을 미치며 이는 생성되는 클러스터의 크기에 종속적이다. 생성 클러스터의 크기 분포는 분사 거리, 유량, 분사 각도, 노즐 냉각 온도 등의 변수에 관한 함수이다. 따라서 본 연구에서는 $CO_2$ 클러스터를 이용한 세정 특성을 정의 및 제어하기 위하여 생성되는 클러스터 특성에 관하여 이론적, 수치 해석적, 실험적 연구를 수행하였다. 먼저, $CO_2$의 물리적 특성 및 이를 이용한 특정 크기 오염 물질을 제거하는데 요구되는 임계 클러스터 크기 계산을 이론적으로 구하였다. 이는 오염물질의 부착력과 클러스터의 운동량 전달에 의한 제거력의 비교를 통해 이루어졌다. 두 번째로 클러스터 크기분포를 수치 해석적으로 예측하기 위하여 각 조건에 대하여 유동해석을 수행하고 이를 통해 구해진 노즐 내 기체의 냉각 속도를 GDE (General Dynamic Equation) 계산에 대입하여 구하였다. 마지막으로 PBMS(Particle Beam Mass Spectrometer)를 이용하여 실험적으로 클러스터 크기분포를 각 조건에 대하여 구할 수 있었다. 또한 크기 분포 경향에 대한 간접적 확인을 위하여 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼에 클러스터의 충격으로 생성된 크레이터 크기의 경향을 분석하였다. 이와 같은 방법에 의하여 생성되는 클러스터는 노즐의 유량 증가, 온도 상승에 각각 비례하여 작아지는 것을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.268-268
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• 2010

단일벽 탄소 나노튜브(SWCNT)는 그 뛰어난 전기적, 물리적 특성 때문에 반도체 공정에 있어서 중요한 p-type 채널 물질로 꼽히고 있다. 본 연구에서는 SWCNT를 성장하여 이를 이용한 전계효과 트랜지스터를 제작하고 또한, 부분적인 폴리머의 코팅으로 타입을 변화하는 연구를 보이고자 한다. Ferritin용액을 DI-water에 2000배 희석하여 SiO2 기판 위에 뿌린 뒤 Methanol을 이용하여 기판 표면에 촉매가 붙어있게 한다. 이 기판을 $900^{\circ}C$로 가열하여 유기물질을 제거한 뒤 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)방법으로 SWCNT를 성장하게 된다. 이렇게 성장된 SWCNT는 촉매의 농도에 비례하는 밀도를 가지게 되며 이 위에 전극을 증착하고 back-gate를 설치하여 FET를 제작한다. 메탈릭한 SWCNT는 breakdown 공정을 통하여 제거한 뒤, 전자 농도가 높은 NADH를 전체적으로 코팅을 한다. NADH는 기존의 다른 폴리머(polyethyleneimine: PEI)에 비교하여 코팅 후 전자 제공 효과가 크며 그 성질의 재현성이 높고 공기 중에서 안정성을 유지하는 능력이 있다. 이러한 NADH의 코팅으로 n-type으로의 SWCNT FET를 제작하였으며 type conversion 현상을 이용하면 국부적인 NADH의 코팅으로 homojunction-diode의 제작 등 다양한 소자의 제작에 적용될 것으로 예상한다.

• Composites Research
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• v.37 no.3
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• pp.204-208
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• 2024

De-icing/anti-icing fluid is essential for removing ice formation on aircraft. It chemically removes ice using organic solvents, which can cause damage to the topcoat surface in the process. In this study, glycol-based deicing/anti-icing fluid was used to remove ice, and the resulting damage to the topcoat was examined. USB microscope was used to observe the formation and growth of ice, while a confocal microscope was employed to observe the surface morphology after treatment with de-icing/anti-icing fluid. Additionally, coating thickness measurements and Fourier transform infrared (FT-IR) analysis were conducted to investigate the physical and chemical changes on the surface. The repeated application of de-icing/anti-icing fluid showed a reduction in the ice formation rate and an increase in the growth rate. Damage during the pressurization process and surface damage to the polyurethane topcoat caused by ethylene glycol were observed during the de-icing process. Although no chemical changes were detected, the analysis revealed that surface uniformity decreased, with physical damage such as cracks and undulations forming on the surface. It was confirmed that while de-icing/anti-icing fluid is effective in removing ice, it also causes surface damage.

• Review of KIISC
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• v.24 no.5
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• pp.46-50
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• 2014

제어시스템은 일반 업무환경에서 사용하고 있는 시스템과는 달리 업무망과 분리되어 운영되며, 비공개 제어프로토콜 사용으로 해커나 악성코드에 의해 사이버공격을 받을 가능성이 없다고 인식되어 왔다. 그러나 2010년 스턱스넷(Stuxnet) 악성코드가 이란의 핵시설 제어시스템에 침투하였고 2012년 듀크, 플레임 등 제어시스템을 대상으로 한 위협이 증가하게 되면서 제어시스템과 업무망 연계 지점의 보안 위협을 제거하기 위한 방안으로 물리적 일방향 자료전달 시스템의 도입이 추진되어 왔다. 본 논문에서는 배전DAS 업무망 연계를 위한 물리적 일방향 자료전달 시스템 구현에 대해서 설명하고 실증에 따른 결과를 제시한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.20 no.1
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• pp.81-86
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• 2016

In this paper, we present multi-channel authentication based security card design. Since this security card is written on the transparent paper, security information is extracted by overlaying the card with smartphone screen. This method removes the limitations of physical layout in previous security card and improves the security level. Furthermore, our security card is secure when our card is exposed to malicious users.

• Clean Technology
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• v.23 no.3
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• pp.237-247
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• 2017

In the dimethyl ether (DME) synthesis and separation process, over 8% by mole of $CO_2$ is fed to the DME synthesis reactor which lowers DME productivity. Therefore, this work focused on the removal of $CO_2$ using three kinds of processes with physical absorbents by comparing the utility consumption through computer simulation of each process. Among the processes selected for comparison are Rectisol$^{(R)}$ process using methanol, Purisol$^{(R)}$ process using n-methyl pyrrolidone (NMP), and SelexolTM process using dimethyl ethers of polyethylene glycol (DEPG) as a solvent. As a result of this study, it was concluded that Purisol$^{(R)}$ process consumes the least energy followed by SelexolTM process. Therefore, it is considered that Purisol$^{(R)}$ process is the most suitable method to absorb $CO_2$ contained in the feed of DME synthesis reactor.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 2001.10a
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• pp.127-130
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• 2001

실의 잔류토크는 싱글저지 편성물에서 스파이럴러티를 일으키는 중요한 요소 중의 하나이다 실의 잔류토크를 감소시키거나 제거하기 위해서는 물리적으로 안정된 토크밸런스를 유지하도록 하는 방법과 퍼머넌트 세팅(permanent setting)방법 등을 택하고 있다. (중략)

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.32.2-32.2
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• 2011

반도체 생산공정에서 CMP (Chemical-mechanical planarization) 공정은 우수한 전기전도성 재료인 Cu의 사용과 다층구조의 소자를 형성하기 위해서 도입되었으며, 최근 소자의 집적도가 증가함에 따라 CMP 공정 비중은 점점 높아지고 있다. Cu CMP 공정에서 연마제인 슬러리는 금속 표면과의 물리적 화학적 반응을 동시에 사용하여 표면을 연마하게 되며, 연마특성을 향상시키기 위해 산화제, 부식방지제, 분산제 및 다양한 계면활성제가 첨가된다. 하지만 슬러리는 Cu 표면을 평탄화하는 동시에 오염입자, 유기오염물, 스크레치, 표면부식 등을 발생시키며 결과적으로 소자의 결함을 야기시킨다. 특히 부식방지제로 사용되는 BTA (Benzotriazole)은 Cu CMP 공정 중 Cu-BTA 형태로 표면에 흡착되어 오염원으로 작용하며 입자오염을 증가시시고 건조공정에서 물반점 등의 표면 결함을 발생시킨다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 Cu 표면에서 식각과 부식반응을 최소화하며, 오염입자 제거 및 유기오염물을 효과적으로 제거하기 위한 Post-CMP 세정 공정과 세정액 개발이 요구된다. 본 연구에서는 오염입자 및 유기물 제거와 동시에 표면 거칠기와 부식현상을 제어할 수 있는 post Cu CMP 세정액을 개발 평가하였다. 오염입자 및 유기오염물을 제거하기 위해서 염기성 용액인 TMAH 사용하였으며, Cu 이온을 용해할 수 있는 Chelating agent와 표면 부식을 억제하는 부식 방지제를 사용하여 세정액을 합성하였다. 접촉각 측정과 FESEM(field Emission Scanning Electron Microscope) 분석을 통하여 CMP 공정에서 발생하는 유기오염물과 오염입자의 흡착과 제거를 확인하였으며 Cu 웨이퍼 세정 전후의 표면 거칠기의 변화와 식각량을 AFM(Atomic Force Microscope)과 4-point probe를 사용하여 각각 평가하였다. 또한 세정액 내에서의 연마입자의 zeta-potential을 측정 및 조절하여 세정력을 향상시켰다. 개발된 세정액과 Cu 표면에서의 화학반응 및 부식방지력은 potentiostat를 이용한 전기화학 분석법을 통해서 chelating agent와 부식방지제의 농도를 최적화 시켰다. 개발된 세정액을 적용함으로써 Cu-BTA 형태의 유기오염물과 오염입자들이 효과적으로 제거됨을 확인하였다.

• Environmental engineer
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• v.21 s.211
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• pp.82-92
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• 2004