본 연구에서는 개조된 MOCVD법을 이용하여 (100) GaAs 기판 위에 나노 구조 $Bi_2Te_3$ 열전 필름을 성장시켰다. 기존의 MOCVD법과 달리 서셉터의 모양을 변화시켜 기체상태에서 $Bi_2Te_3$ 나노파티클의 형성과 기판위에서 성장을 유도 하였다. 또한 서셉터의 노즐의 면적을 변화시켜 기체의 속도를 제어함에 따라 $Bi_2Te_3$ 필름을 형성시켰다. 서셉터의 모양의 변화에 따라 기체 상태에서 $Bi_2Te_3$ 나노파티클을 형성하고 이를 기판위에서 성장시켜 $Bi_2Te_3$ 열전 필름의 결정립계를 조절할 수 있었고, 또한 노즐의 면적의 변화에 따른 기체의 속도를 제어하여 $Bi_2Te_3$ 결정립계 및 결정 배향 방향을 조절 하였다. 본 연구결과에서는 MOCVD 반응관의 서셉터의 모양 및 노즐의 면적의 변화에 따라 결정립계 및 결정 성장방향이 조절될 수 있음을 확인하였고 이러한 변화에 따라 열전도도를 제어하여 열전성능지수의 향상을 기대 할 수 있다.
멀티미디어 데이터의 증가로 사용자가 원하는 데이터의 신속하고 정확한 검색이 필요하게 되었다. 본 논문에서는 모양 정보를 기반으로 영상 데이터를 효과적이며 효율적으로 검색하기 위하여, 새로운 모양 정보 특징 및 검색 방법을 제안한다. 본 논문에서는 화소의 공간적분포로 나타나는 모양 정보를 covariance matrix의 eigenvector를 이용하여, 계층적으로 영역을 분할하고, 각 분할된 영역에서 크기 변화, 위치 이동, 회전에 불변하는 특징들을 추출한다. 영상 정보의 검색은 특징벡터 공간에서 질의 영상에서 추출된 특징과, 데이터베이스에 기록된 영상들의 특징 사이의 거리를 계산하여, 거리에 반비례하는 유사도가 높은 영상들을 출력한다. 제안된 모양 특징은 또한 계층수의 조정에 의해서 모양 정보를 표현할 수 있는 정도를 조절 할 수 있다는 장점이 있다.
최근에 cobalt-phosphate는 물을 분해하는 전기화학적 촉매로서 활발한 연구가 진행되고 있다. 우리는 간단히 염기의 양을 조절함으로서 cobalt-phosphate의 형태를 제어하였다. 염기의 양이 증가함에 따라 두께가 10 nm 이하의 얇고 입자 작은 판 모양에서 점점 두껍고 큰 판의 모양으로 변해감을 확인 할 수 있었다. 이들을 sodium-borohydride를 이용한 수소 발생실험의 촉매로 사용하였을 때 두께가 10 nm 이하의 입자가 작은 판 모양에서 높은 촉매 활성을 확인 할 수 있었다.
토마토의 품질판단 주요 기준인 과일크기, 과색, 모양, 당도 등은 유전적인 요인 이외에 재배환경에도 크게 영향을 받는다. 그중 당도는 토양수분과 관계가 깊다고 알려져 있으며, 일반적인 토양재배는 당도향상을 위한 수단으로 생육단계에 따라 토양수분을 조절하는 방법이 있으나 토성, 지하수위 및 기상등에 의해 영향을 많이 받으므로 효과적인 토양수분조절이 용이하지 않다. (중략)
E 모양의 이중 모드 공진기를 변형하여 상.하측 대역의 대역폭 조절이 가능한 이중 대역 통과 필터를 설계 제작하였다. 변형된 E 모양의 이중 모드 공진기를 이용하여 even 모드 간의 결합이 odd 모드 공진점에 영향을 미치지 않게 만들었고, 이를 통하여 상측 대역의 대역폭을 효과적으로 조절할 수 있다. 그리고 급전 선로간의 결합을 통하여 차단 대역에 전송 영점을 발생시켜 차단 특성을 높였다. 대역폭 조절이 가능함을 보이기 위해 중심 주파수 2 GHz와 3 GHz에서 140 MHz의 동일한 대역폭을 갖는 필터를 설계하였다.
90년대에 접어들면서 전국적으로 시설 토마토 재배면적은 빠르게 증가하고 있으나 그에 따른 재배 기술의 향상은 미흡하여 일부 품질이 저하되는 문제점을 안고 있다. 생활 수준의 향상과 더불어 토마토에 대한 소비자의 기호도가 다양화되면서 토마토의 선택 기준이 색택 이나 모양 등의 외적 품질에서 맛을 중시하는 내적 품질로 바뀌었다. 특히 당도가 중요한 선택 기준이 되고 있다. (중략)
태양전지에서 고효율 달성을 위해 태양광을 더 많이 활용하기 위해서는 태양전지 표면에서의 광 반사를 줄여야 하는데 가장 효과적인 방법은 실리콘 기판의 wet etching 공정을 통한 텍스쳐링이다. 태양전지에서 가장 많이 사용되는 파장대역은 가시광선 영역인데 555 nm 파장에서 실리콘 표면의 total reflectance는 30.1%로 매우 높고 diffuse reflectance는 0.1%로서 무시할만큼 적다. 하지만 wet etching을 한 후 total reflectance는 18%까지 감소하였고, diffuse reflectance는 16%까지 증가하였다. 결정면에 따른 식각선택성을 이용하는 이방성 etching으로 V groove 모양의 표면형상을 얻을 수 있었고, 후속 등방성 etching을 하여 U groove 표면형상을 얻을 수 있었다. 또한 wet etching의 문제점중의 하나는 반응중에 생성되는 수소기체가 실리콘 표면에 부착되어 etching이 불균일하게 진행되는 것인데 초음파를 사용하여 이 문제를 해결하였다. 그리고 Etchant의 성분용액중 하나인 IPA의 농도조절을 통해 표면에 형성되는 피라미드의 크기를 조절할 수 있었다. 본 연구에서는 실리콘 표면형상의 각각 서로 다른 크기와 모양에 따라 태양전지를 만들었을 때 빛의 활용 측면에서 어떤 변화가 있고 얼마만큼의 효율변화가 있는지에 대해서도 알아보았다.
본 논문에서는 내용기반 영상검색 시스템에서 검출 정확성을 개선하기 위한 모양 기반 객체 표현 기법인 골격 나무 구조와 골격 나무 구조에 기반한 검색 기법을 제시한다. 모양의 표현을 위한 새로운 골격 나무 표현 기법은 객체의 모양을 계층적인 나무 구조로 표현한다. 나무 구조에서의 상위 레벨의 노드들은 객체 모양의 대략적인 몸체를 표현하고 하위 레벨의 노드들은 객체 모양의 세밀한 부분을 표현한다. 대부분의 영상 잡음 영향은 하위 레벨의 노드들에 국한되므로 외곽선 잡음의 영향은 하위 레벨에 대한 가중치를 조절하여 감소시킬 수 있다. 두 골격 나무의 유사성은 두 나무의 골격 노드들을 매칭하여 계산된다. 두 골격 노드들의 집합이 표현하는 영역의 유사성 계산을 위해서 Zernike 모멘트 불변량과 Fourier 기술자 불변량의 조합이 사용된다. 검출의 정확도를 다른 유사성 측도와 비교하고 그 결과를 제시하였다. 실험 결과 제안된 검색 기법의 검출 정확도가 증가하였음을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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