• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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• 2018.07a
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• pp.357-359
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• 2018

최근 메모리 반도체 시장은 SD(Secure Digital) 메모리 카드, SSD(Solid State Drive)등의 보급률 증가로 메모리 반도체의 시장이 대규모로 증가하고 있다. 메모리 반도체는 개인용 컴퓨터 뿐만 아니라 스마프폰, 테플릿 PC, 교육용 임베디드 보드 등 다양한 산업에서 이용 되고 있다. 또한 메모리 반도체 생산 업체가 대규모로 메모리 반도체 산업에 투자하면서 메모리 반도체 시장은 대규모로 성장되었다. 플래시 메모리는 크게 NAND-Type과 NOR-Type으로 나뉘며 플로팅 게이트 셀의 전압의 따라 SLC(Single Level Cell)과 MLC(Multi Level Cell) 그리고 TLC(Triple Level Cell)로 구분 된다. SLC 및 MLC NAND-Type 플래시 메모리는 많은 연구가 진행되고 이용되고 있지만, TLC NAND-Tpye 플래시 메모리는 많은 연구가 진행되고 있지 않다. 본 논문에서는 기존에 제안된 SLC 및 MLC NAND-Type 플래시 메모리에서 제안된 큐브 패턴을 TLC NAND-Type 플래시 메모리에서 적용 가능한 큐브 패턴 및 알고리즘을 제안한다.

• The Magazine of the IEIE
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• v.34 no.7 s.278
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• pp.20-27
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• 2007

반도체 집적회로 설계 자동화기술의 발전은 반도체 상당 수준의 시스템 구현 가능성을 비 전문가들에게 열어주었다. 알고리즘 수준의 시스템 정의가 가능하다면 이것을 하드웨어로 만드는 것이 어렵지 않게 되었다. 시스템설계에서 가장 핵심이 되는 메모리의 활용은 이들 비 전문가들에게 넘어야 할 큰 장애물이다. 이 글은 반도체 메모리 기술의 발전 전망을 예측하여 줌으로써 시스템 기술자들이 쉽게 어려움을 극복하도록 도와주는 것이 목적이다. 메모리 기술에 대한 접근을 쉽게 해주는 몇 가지 방법을 소개하였다. 시스템 구성에서의 메모리, 메모리 칩의 기술 등을 요약하였다. 시스템에서의 요구 사항을 들어주는 것을 바탕으로 장래를 전망하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.2
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• pp.237-241
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• 1995

반도체 사업의 영역을 어떻게 분류하느냐에 따라 다르겠으나, 우리나라가 메모리 분야에서는 세계의 선진회사와 어깨를 나란히 한다는 점에서 메모리분야와 비메모리분야를 분류해 보고, 특히 비메모리분야의 기술동향과 이 분야에서의 우리나라 반도체 업체들의 사업전개 방향에 대해 방향을 제시해 보고자 한다. 메모리는 국내업체가 세계시장의 30%이상을 공급하고 있고, 256메가디램등 메모리분야에서 최첨단 제품의 개발이 속속 발표되고 있다. 반면에 그의 반도체 (비메모리분야)의 경우는 세계시장의 수 퍼센트도 공급하지 못하는 실정으로 반도체의 75% 가량을 차지하는 이 시장의 진입을 위해 장단기 계획을 수립하여 적극적으로 추진해야 할 것이다. 이 논문에서는 반도체 기술의 현재 상황을 국내외로 비교검토하고 우리나라와 기업의 발전방향을 제시해 보고자 한다.

• The Science & Technology
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• v.33 no.5 s.372
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• pp.18-19
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• 2000

현대의 대표적인 정밀가공기술의 하나는 반도체 가공기술이다. IMB메모리 반도체를 만드는 최소의 선폭은 1985년에는 I마이크로미터(㎛)였으나 현재의 256MB의 메모리 반도체에는 0.2㎛의 미세선폭이 사용되고 있다. 21세기에는 나노테크놀로지 기술이 정밀가공기술의 최선단을 이룰 것으로 예견되고 있는데 현재 국내의 미세가공기술은 메모리 반도체의 제조기술에 관한 한 세계의 선두를 달리고 있으며 0.18마이크론 선폭의 가공기술을 개발하여 1GB의 메모리 반도체 개발에 활용하고 있다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.7 no.2
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• pp.165-175
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• 1994

1967년 Wegener등과 Khang등이 각각 구조 및 동작원리가 다른 비휘발성 반도체 메모리(nonvolatile semiconductor memory)를 최초로 개발, 도입한 이후 3세대째를 보내고 있는 현재, 메모리는 반도체산업의 선봉으로써 여전히 공정기술(processing technology)을 이끌며, 시장점유율, 응용범위등에서 주도적 위치를 차지하고 있다. 한편, 최근의 컴퓨터 시스템은 소형화, 저전력화, 고속화, 내충격성 등 기술적 측면에서 뿐만 아니라 소프트웨어적으로도 급격히 발전하고 있다. 이에 따라 메모리부분에 있어서도 기존의 자기 하드디스크 메모리(magnetic hard disk memory)의 한계를 극복하기 위해서 반도체 메모리로서 대체가 더욱 요구되고 있다. 이와같은 상황에서 EEPROM(electrically erasable and programmable ROM)은 상주 시스템내에서도 전기적 방법에 의해 사용자가 임으로 기록/소거(write/erase)할 수 있을 뿐만 아니라 전원이 제거된 상테에서도 기억상태를 유지할 수 있는 비휘발성이라는 점에서 차세대 반도체 메모리 부문의 주역으로서 주목받고 있다. 따라서, 본 고에서는 20세기를 보내며 반도체메모리의 새로운 장을 열어가는 EEPROM의 기술현황 및 전망에 관해 살펴보고자 한다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.05a
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• pp.146-150
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• 2005

상온/상압의 분위기에서 코로나 분사 합성법을 이용하여 반도체 실리콘 나노 입자를 제조하였으며, 실리콘 입자의 전기적 특성을 관찰하기 위해 p-type 실리콘웨이퍼 위에 실리콘 나노 입자를 증착시켰다. 이때, 제조된 실리콘 나노 입자의 크기는 약 10 nm이었으며 기하표준편차는 1.31로 단분산성을 나타내었다. 이러한 조건에서, 실리콘 나노 입자의 양자 점 효과를 이용한 비휘발성 반도체 메모리를 제조하여 메모리효과를 분석한 결과, flat band voltage의 차이가 약 1.5 Volt 발생함을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.310-310
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• 2016

최근 NAND flash memory는 높은 집적성과 데이터의 비휘발성, 낮은 소비전력, 간단한 입, 출력 등의 장점들로 인해 핸드폰, MP3, USB 등의 휴대용 저장 장치 및 노트북 시장에서 많이 이용되어 왔다. 특히, 최근에는 smart watch, wearable device등과 같은 차세대 디스플레이 소자에 대한 관심이 증가함에 따라 유연하고 투명한 메모리 소자에 대한 연구가 다양하게 진행되고 있다. 대표적인 플래시 메모리 소자의 구조로 charge trapping type flash memory (CTF)가 있다. CTF 메모리 소자는 trap layer의 trap site를 이용하여 메모리 동작을 하는 소자이다. 하지만 작은 window의 크기, trap site의 열화로 인해 메모리 특성이 나빠지는 문제점 등이 있다. 따라서 최근, trap layer에 다양한 물질을 적용하여 CTF 소자의 문제점을 해결하고자 하는 연구들이 진행되고 있다. 특히, 산화물 반도체인 zinc oxide (ZnO)를 trap layer로 하는 CTF 메모리 소자가 최근 몇몇 보고 되었다. 산화물 반도체인 ZnO는 n-type 반도체이며, shallow와 deep trap site를 동시에 가지고 있는 독특한 물질이다. 이 특성으로 인해 메모리 소자의 programming 시에는 deep trap site에 charging이 일어나고, erasing 시에는 shallow trap site에 캐리어들이 쉽게 공급되면서 deep trap site에 갇혀있던 charge가 쉽게 de-trapped 된다는 장점을 가지고 있다. 따라서, 본 실험에서는 산화물 반도체인 ZnO를 trap layer로 하는 CTF 소자의 메모리 특성을 확인하기 위해 간단한 구조인 metal-oxide capacitor (MOSCAP)구조로 제작하여 메모리 특성을 평가하였다. 먼저, RCA cleaning 처리된 n-Si bulk 기판 위에 tunnel layer인 SiO2 5 nm를 rf sputter로 증착한 후 furnace 장비를 이용하여 forming gas annealing을 $450^{\circ}C$에서 실시하였다. 그 후 ZnO를 20 nm, SiO2를 30 nm rf sputter로 증착한 후, 상부전극을 E-beam evaporator 장비를 사용하여 Al 150 nm를 증착하였다. 제작된 소자의 신뢰성 및 내구성 평가를 위해 상온에서 retention과 endurance 측정을 진행하였다. 상온에서의 endurance 측정결과 1000 cycles에서 약 19.08%의 charge loss를 보였으며, Retention 측정결과, 10년 후 약 33.57%의 charge loss를 보여 좋은 메모리 특성을 가지는 것을 확인하였다. 본 실험 결과를 바탕으로, 차세대 메모리 시장에서 trap layer 물질로 산화물 반도체를 사용하는 CTF의 연구 및 계발, 활용가치가 높을 것으로 기대된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.05a
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• pp.747-749
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• 2012

This paper is analyzing the SoC policy of major nations as the U.S, Japan, Europe, Taiwan, China and draw the suggestions for the development of semiconductor industry in Korea. SoC is the non-memory semiconductor to support and put into action the function of system. SoC is big market over the 200billion dollars and have a huge potential for new IT convergence market. Developed countries as the US, Japan, and Europe have enforced the industrial competitiveness by company investment and Taiwan supported the SoC Industry by government fund. Korea is No.1 superpower in DRAM semiconductor, but very weak in SoC Industry. We should secure the competitiveness of SoC Industry by the development of core technology, planning the growth policy, and building the cooperative model to leap the SoC power nation.

• Annual Conference of KIPS
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• 2023.05a
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• pp.26-28
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• 2023

현대 시스템의 크기와 복잡도 증가로 인하여 시스템의 여러 구성 요소들이 공유하는 메모리에 대한 최소 특권의 원칙 적용의 필요성이 대두되었다. 제 3 자 라이브러리, 다중 쓰레드 등의 각 구성 요소들이 접근할 수 있는 메모리 권한을 다르게 적용함으로써 구성 요소들 중 하나에서의 취약점이 전체 시스템을 위협하는 것을 방지함과 동시에 각 요소들 간 효율적인 메모리 공유를 가능케 하기 때문이다. 본 논문에서는 공유 메모리에 대한 최소 특권의 원칙 적용 기법들의 분석과 더불어 각 기법들이 가지는 한계점을 제시한다.

• 전기의세계
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• v.46 no.2
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• pp.13-22
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• 1997

최근 메모리 산업의 침체로 인하여 비메모리 분야의 관심이 높아지고 있다. 비메모리 분야 하면 주로 ASIC(Application Specific IC)이 떠오르지만, 대부분이 소량 다품종의 디지탈 시스템이기 때문에 사업이 쉽지 않다. 새로이 개발되어 각광을 받고 있는 전력 MOS, IGBT, MCT 등은 작은 패턴의 셀이 칩 내부에서 병렬 연결되어 있기 때문에 메모리 제조공정과 유사하다. 전력반도체 기술을 선도하고 있는 일본, 미국, 유럽의 기업체도 국내의 메모리 생산기술이 세계적인 수준이라고 찬사를 보내고 있다. 따라서 메모리 기억용량이 증가하면 새로운 생산공정이 구축되고, 이때 밀려나게 된 장비를 전력소자 제작에 사용할 수 있다면, 감가 상각된 장비의 재활용을 통한 원가절감 등 여러가지 면에서 도움이 될 수 있으리라 사료된다.