• 한국지구과학회지
• /
• 제30권1호
• /
• pp.69-80
• /
• 2009

본 연구에서는 SDSS DR6을 이용하여 별탄생율과 활동성 은하핵의 막대의 특성, 특히 막대의 세기에 대한 의존성을 조사하였다. 막대의 세기를 보다 잘 표현하기 위하여 막대의 길이와 축비를 이용하여 막대를 6개의 군으로 나누었다. $H{\alpha}$ 방출선 세기로부터 구한 별탄생율은 막대의 세기와 좋은 상관관계를 보였으나 활동성 은하핵은 막대와 또렷한 상관관계를 보이지 않았다. 전자의 상관관계는 막대에 의해 유발되는 가스 유입이 막대의 세기에 의존하기 때문이라고 해석되며, 활동성 은하핵이 막대의 특성과 특별한 상관관계를 보이지 않는 것은 초중량 블랙홀로 들어가는 가스의 양이 막대와 초거대 블랙홀과의 상호 작용에 의해 조절된다는 것을 의미한다. 활동성 은하핵은 주변의 밀도에 의해 영향을 받으나 별탄생율은 주변의 밀도와 무관해 보인다. 이것은 별탄생은 은하에서의 가스 밀도에 의해 결정되는 국지적인 현상인데 반해 활동성 은하핵은 질량이나 광도와 같은 은하의 특성이 밀도-광도관계로 표현되는 은하의 환경 의존성과 밀접한 관계가 있음을 암시한다.

• 유변학
• /
• 제1권1호
• /
• pp.29-35
• /
• 1989

막대형 고분자 희석용액과 분자론적 운동을 새롭게 개발된 약식 계산방법에 의하여 다루었다. 체계적으로 개발되 새로운 방법은 한쪽 방향성이 있는 경우나 전혀 방향성이 없 는 경우에서 적절한 값을 같도록 유도되었다. 이것을 한쪽방향으로의 연신 흐름에 적용한 결과 알려진 해석해와 잘 일치하였으며 단순 전단흐름에 적용한 결과흐름의 세기가 약할 때 는 좋은 결과를 나타내었으나 흐름의 세기가 강할때는 상당한 차이를 보여주었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.289.2-289.2
• /
• 2014

본 연구에서는 전기증착법 정전류 방법으로 ITO 유리기판 위에 ZnO 나노막대를 성장하였다. 성장 매개 변수로 용액 농도, 전착 전류, 용액 온도 및 성장 시간으로 하였고, 성장된 ZnO 나노막대는 field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffractometer, photoluminescence를 이용하여 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. 모든 시료에서 ZnO 나노막대는 wurtzite 형태의 결정 구조를 가지고, c-축 배향성을 나타내는 강한 ZnO(002) 회절피크가 나타났다. 용액 농도와 전착 전류가 감소함에 따라 ZnO 나노막대의 밀도 및 직경이 감소하였다. 또한, ZnO 나노막대는 성장 온도가 증가함에 따라 직경이 줄어들었고, 성장 시간이 증가함에 따라 ZnO 나노막대의 길이는 늘어났다. 모든 ZnO 나노막대 시료는 자유 엑시톤 재결합에 의해서 3.18 eV, 산소공공에 의한 결함에 의해서 2.32~1.86 eV의 피크가 관찰되었다. ZnO 나노막대의 직경이 작아질수록 NBEE 피크의 세기가 감소하고, 용액의 농도가 증가함에 따라 NBEE 피크는 청색편이 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.313-313
• /
• 2014

GaN계 물질 기반의 광 반도체는 조명 및 디스플레이 관련 차세대 광원으로 많은 관심을 받고 있고, 효율 증대를 위한 에피, 소자 구조 및 패키지 등의 많은 연구가 진행되고 있다. 특히, 투명 전극을 이용한 광 추출 효율의 증가에 대한 연구는 전체 외부양자효율을 증가시키는 중요한 기술로 각광을 받고 있다. 이러한 투명전극은 가시광 영역의 빛을 투과하면서도 전기 전도성을 갖는 기능성 박막 전극으로 산화인듐주석이 널리 사용되고 있으나 인듐 가격의 상승과 산화인듐주석 전극 자체의 크랙 특성으로 인하여 많은 문제점이 지적되고 있다. 이러한 문제를 극복하기 위하여 GaN계 발광 다이오드에 있어서 산화인듐주석 투명 전극의 대체 물질들에 대한 많은 연구들이 활발하게 이루어 지고 있다. 특히, 투명전극 층으로 사용되는 산화인듐주석 대체 박막으로 산화아연에 대한 연구가 각광을 받고 있는 실정이다. 또한, 발광 다이오드의 효율 증가를 위해 발광소자에 표면 요철 구조 형성과 나노구조체 형성 등 박막 표면의 구조 변화를 통한 광추출효율 향상에 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 산화아연 박막을 투명전극으로 사용하였으며 광추출효율 향상을 위해 산화아연 투명전극에 패터닝을 형성하고, 그 위에 산화아연 나노막대를 형성하여 기존에 사용하던 산화아연 투명전극보다 우수한 추출효율 및 전류 퍼짐 향상 구조를 제안하고 이에 따른 LED 소자의 광추출효율 향상을 연구하였다. 금속유기화학증착법을 이용하여 c-면 사파이어 기판에 n-GaN, 5주기의 InGaN/GaN 다중양자우물 구조 및 p-GaN의 간단한 LED구조를 성장한 후, p-GaN층 상부에 원자층 증착법을 이용하여 투명전극인 산화아연 박막을 60 nm 두께로 증착하였다. 산화아연 투명전극만 증착한 LED-A와 이후 0.1% HCl을 이용한 습식식각을 통하여 산화아연 투명전극에 육각형 모양의 패턴을 형성한 LED-B, 그리고 LED-B위에 전기화학증착법을 이용하여 $1.0{\mu}m$의 산화아연 나노 막대를 증착한 LED-C를 제작하였다. LED-A, -B 및 -C에 대한 표면 구조는 SEM이미지를 통하여 확인한 바 산화아연의 육각 패턴과 그 상부에 산화아연의 나노막대가 잘 형성된 것을 확인하였다. I-L 분석으로부터 패턴이 형성되지 않은 산화아연 투명전극으로만 구성된 LED-A에 비하여 산화아연 투명 전극에 육각 패턴을 형성한 LED-B의 전계 발광 세기가 더욱 큰 것을 확인하였다. 또한, 육각 패턴에 산화아연 나노막대를 성장시켜 융합구조를 형성한 LED-C에서는 LED-B와 -A보다 더 큰 전계 발광세기를 확인할 수 있었다. 특히, 인가 전류가 고전류로 갈수록 LED-C의 발광세기가 더욱 강해지는 것으로 효율저하현상 또한 나노융합구조의 LED-C에서 확인할 수 있었다. 이는 기존 산화아연 투명전극에 육각형의 패턴 및 나노막대융합구조를 형성할 경우 전류퍼짐현상을 극대화 할 뿐 아니라, 추가적인 광추출효율 향상 효과에 의해 질화갈륨 기반LED 소자의 광효율이 증가된 것으로 판단된다.

• 석유와에너지
• /
• 12호통권58호
• /
• pp.31-37
• /
• 1985

이미 세계 4대 상업에너지 생산국으로 등장한 중공은 석유, 가스 석탄, 전력등 에너지원의 막대한 개발잠재력을 지니고 있다. 그러나 빈약한 하부구조 및 개발을 위한 기술인력의 부족으로 인하여 오히려 에너지부족을 겪고 있으며, 이것은 중공이 추진중인 산업현대화에 주요한 장애요인이 되고 있다. 따라서 중공은 서방과의 협력을 모색, 70년대말 문호개방을 서두르게 되었다. 에너지개발을 포함하여 준공의 진출하는 외국기업들은 오는 21세기까지 활동영역을 넓혀나갈 것으로 예상된다.

• 국방과기술
• /
• 1호통권251호
• /
• pp.22-33
• /
• 2000

획득정책은 21세기의 자주적인 안보역량 발휘를 지향하는 국방정책과 군사전략의 구현을 뒷받침하는 방안을 제시할 뿐 아니라, 막대한 국방예산의 효율적인 운용에 미치는 영향이 크고, 군에 대한 국민의 신뢰에도 영향을 미치는 사안이므로 적극적인 관심을 갖고 모든 획득사업 추진에 적용.반영시켜 나가야 할 것이다.

• 국방과기술
• /
• 10호통권236호
• /
• pp.76-83
• /
• 1998

지능탄약은 최근의 전장 및 미래전의 양상을 고려하여 재래식 탄약 사용시보다 전투력 향상은 물론 전술비용을 획기적으로 절감할 수 있는 체계로 미국 등 선진국에서는 80년대 초부터 이를 개발하기 위해 막대한 투자를 하고 있다. 우리도 세계적인 추세 및 군 화력무기체계의 장기적인 발전을 고려하여 선진국에서 정립해 가고 있는 지능탄약의 개념과 발전현황을 정밀 분석하여 한국군에 필요한 지능폭탄 체계개발에 노력해야 할 것으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
• /
• pp.21-21
• /
• 2006

21세기 정보통신 및 관련 소재의 연구방향은 새로운 기능성 확보, 극한적 제어성, 복합 및 융합이라는 경향으로 발전해 가고 있다. 반도체 기술 분야에서 현재의 공정적 한계를 극복하고 새로운 기능성을 부여하기 위해 나노 합성과 배열을 기본으로 하여 bottom-up 방식의 나노소자 구현이 큰 주목을 받고 있다. 나노선의 경우 나노 스케일의 dimension, 양자 제한 효과, 우수한 결정성, self-assembly, internal stress 등 기존 벌크형 소재에서 발견할 수 없는 새로운 기능성이 나타나고 있어 바이오, 에너지, 구조, 전자, 센서 등의 분야에서의 활용이 가능하다. 현재 국내외적으로 반도체 나노선으로 널리 연구되고 있는 재료는 ZnO, $SnO_2$, SiC 등이 중심이 되고 있다. 이중 ZnO 나 노선의 합성을 위해서는 thermal CVD, MOCVD, PLD, wet-chemical 등 다양한 방법이 사용되고 있다. 특히 MOCVD 방법에 의해 수직 정렬된 ZnO 나노막대를 성장할 수 있다. 이러한 나노막대는 MO 원료 및 산소 공급량을 적절히 제어함으로서 수직 배향 및 나노선의 구경 제어가 가능하며, 나노 막대의 크기 제어와 관련해서는 반응 관내의 DEZn 와 $O_2$의 양을 변화시켜 구조체의 크기를 수 십 ~ 수 백 나노미터의 크기로 제어할 수 있다. 본 연구는 이러한 ZnO 나노선의 성장과정에서 $210^{\circ}C$ 이하의 저온에서 성장한 ZnO 버퍼층을 이용해 나노구조의 형상을 제어하고자 하였다. 특히 ZnO 저온 버퍼층의 두께에 따라 나노막대의 직경변화, 수직배향성, 형상변화의 제어가 가능하였다. 나노막대의 특성 평가는 TEM, SEM, PL, XRD 등을 이용하여 구조적, 결정학적, 광학적 특성을 분석하였다.

• 한국광물학회지
• /
• 제28권2호
• /
• pp.195-207
• /
• 2015

본 연구에서는 X-선 회절(XRD) 분석과 주사전자현미(SEM) 분석을 통해 이온세기, 온도, 그리고 결정성장시간과 같은 이화학적 조건들이 합성된 스트론티아나이트($SrCO_3$)의 물리적 특성에 미치는 영향을 밝혔다. XRD 분석결과, 모든 합성 시료들은 스트론티아나이트의 단일 광물인 것으로 나타났다. 배경전해질이온 $NaNO_3$를 사용한 반응용액의 이온세기와 합성온도가 증가할 때, 합성된 스트론티아나이트의 결정도는 증가하는 것으로 나타났다. SEM을 이용하여 합성된 스트론티아나이트 결정의 크기와 형상을 규명한 결과, 결정크기는 이온세기와 온도가 증가할 때 증가하며, 결정형상은 막대 또는 수지상에서 점차 주상으로 변화되는 것이 관찰되었다. 결정성장시간에 대한 영향은 성장시간이 길어질수록 결정크기가 증가하고 막대 또는 주상 단일결정들의 집합체인 구형 결정형상이 관찰되었다. 이러한 결과들은 합성 시 스트론티아나이트의 결정도 및 결정형상이 결정 생성당시의 이화학적 조건에 크게 영향 받고 있음을 시사한다. 따라서 본 연구 결과는 다양한 조건에서 생성되는 스트론티아나이트 결정들의 물리적 특성들을 예측하는데 매우 중요한 역할을 할 것으로 판단된다.

• 미생물과산업
• /
• 제20권3호
• /
• pp.23-25
• /
• 1994

효소가 산업적 의미를 갖게 되는 시작은 1884년 네덜란드의 Christian Hansen이 송아지의 위에서 rennet를 추출하여 사용함에 따라서 시작되었고, 이후, 일본인 Takamine가 1894년 Koji 배양법에 의해서 곰팡이 Amylase를 상업화하면서 미생물을 이용한 효소생산이 성공되어서 대량생산이 가능하게 되었다. 이후, 20세기에 들면서 독일의 Otto Rohm에 의해서 피혁가공 및 세제에의효소이용, 1911년 미국의 Leo Waltersten이 효소를 이용한 Chill-proofing beer의 개발 등으로 효소의 이용용도가 식품에서 환경공업으로 확대되었고 효소의 산업적 수요가 확대됨에 따라서 이에 따른 막대한 연구투자가 이루어져 비로소 효소산업이 태동하게 되었다.