본 기사에서는 CAD 모델을 공학적 해석이나 제조공정에 사용하는데 있어 문제가 되고 있는 솔리드 모델의 결함에 관한 문제를 다루고자 한다. International TechneGroup사(ITI) 등과 같은 몇몇 회사들은 솔리드 모델의 결함을 발견하는 소프트웨어를 개발하고 있으며, XOX('zocks'라고 발음함)사는 이런 결함을 자동적으로 수정하는 프로그램을 개발하고 있다.
솔리드 모델링은 형상 모델링(geometric modeling) 기법 중 3차원 형상을 솔리드의 형태로 표현하기 위한 기법으로 컴퓨터가 디자인에 사용되기 시작하면서 3차원 형상을 컴퓨터에 어떻게 표현할 것인가를 연구하는 분야이다. 이 분야는 다른 CAD분야의 핵심이 되고 있게 때문에 이들과 중복되는 내용이 많으나 다른 분야에 대한 내용이 별도로 서술되기 때문에 본 고에서는 이들과 중복되지 않는 내용을 중심으로 최근의 연구동향에 대하여 알아보기로 한다.
본 연구의 목적은 KSLV-I 영상데이터를 전송하는 PCM/FM 통신시스템에서 리드솔로몬 인코더(255,223)를 설계하고 시뮬레이션하는데 있다 특히 압축영상을 전송하는 무선채널에서는 아주 낮은 BER을 요구하므로 강력한 포워드 오류정정능력을 가지는 리드솔로몬 코딩기법이 적용된다. 본 논문에서 개발된 리드솔로몬 인코더(255,223)는 CCSDS 표준의 원시다항식을 채택하여 각종 계수를 계산하였고 이를 바탕으로 영상압축기의 RF 인터페이스 모듈의 FPGA 하드웨어의 일부분으로 할당하여 시뮬레이션되고 구현되었다.
B-rep 기반의 솔리드 복원 기법은 비교적 복잡한 물체의 경우에도 복원이 잘 되지만, 후보면의 수가 증가함에 따라 탐색 공간 및 시간이 기하급수적으로 늘어나는 단점이 있다. 빈번한 조합 탐색과 복잡한 기하 연산으로 인해 도면이 복잡해질수록 복원 효율성이 떨어지고, 모호성이 발생하는 문제가 있다. 그러나, 이차 곡면을 포함하는 복잡한 물체에 대해서도 복원이 가능하므로 복원 대상 범위가 넓다고 할 수 있다. CSG 기반의 솔리드 복원 기법은 세 투영면에서 돌출 시킨 각각의 솔리드를 서로 교차시켜서 3차원 물체를 복원하는 방법으로, 복잡한 조합 탐색이나 기하 연산 작업을 하지 않게 때문에 비교적 효율적인 복원이 가능하다.(중략)
대기압 글로우 플라즈마를 이용하여 반도체 리드프레임(Alloy 42) 도금 전처리 습식 공정을 건식으로 대체하였다. 13.56 MHz의 RF 전원을 사용하여 300 W 파워에서 안정적인 대기압 글로우 플라즈마를 발생시켰으며, 금속 리드프레임에 플라즈마가 직접 접촉해도 아크나 스트리머 발생이 없었다. 플라즈마 소스 가스로는 알곤(Ar)을 사용하였으며, 활성가스로 산소($O_2$)를 첨가하였다. 300 W 파워에서 산소를 50 sccm 공급하고 100 mm/sec 속도로 리드프레임을 처리한 결과, 처리 전 접촉각이 $82^{\circ}$에서 처리 후 $10^{\circ}$ 이하로 낮아졌다. 플라즈마 처리 후 리드프레임 표면 거칠기 변화를 AFM으로 측정하였다.
초전도 시스템에서 전류를 공급하는 역할을 하는 전류리드는 없어서는 안 될 핵심 부품이다. Powder-in-tube(PIT) 법으로 제작한 1세대(1G) 고온초전도 선재보다 열전달특성이 나쁜 2세대(2G) 고온초전도 선재를 이용하여 고온초전도 전류리드를 제작하였다. 사용한 선재는 미국 AMSC사 선재이다. 초전도 자석으로의 열침입을 최소화하기 위해 지지구조물은 GFRP를 사용하였고 금속연결부는 무산소동을 사용하였다. 2G 선재 6가닥을 사용하여 제작한 전류리드는 액체질소 온도에서 I-V 특성을 평가한 결과 약 400 A급 전류리드도 사용 가능하다고 판단되었으며, 열전달 특성을 측정하기 위해 무냉매형 특성평가장치를 사용하였는데, 77 K과 7 K 사이에서 약 50 mW정도 였다. 본 논문에선 2G 고온초전도 선재를 사용하여 제작한 전류리드의 전기적 열적 특성에 대해 논의하고자 한다.
Cu/EMC 계면 접착력에 미치는 산화의 규명하기 위해 리드프레임의 저온 산화에 대하여 조사하였다. 이전의 보고와 달리, 저온에서도 Cu$_{2}$O위에 CuO산화물이 형성되어 Cu/Cu$_{2}$O(NiO)/Cu(NiO)/air의 산화층 구조를 나타내었다. Cu/EMC 계면 접착력은 산화가 진행됨에 따라 산화 초기에 급격히 증가하다 최대값에 이르고, 이후의 계속적인 산화로 감소하는 양상을 보였다. 접착력은 산화 온도나 리드프레임의 종류보다 산화막의 두께에 밀접한 상관 관계를 나타내었다. 최대 계면 접착력이 얻어지는 산화막의 두께는 리드프레임의 종류보다 산화막의 두께에 밀접한 상관 관계를 나타내었다. 최대 계면 접착력이 얻어지는 산화막의 두께는 리드프레임의 종류와 무관하게 대략 20nm 와 30nm 사이에 존재하였다. 산화 초기의 접착력 증가는 산화로 인한 EMC에 대한 젖음성의 증가와 기계적 고착 효과의 증가에 기인하였다. 리드프레임과 EMC의 파괴 표면에 대한 AES, XPS 분석으로 부터, 산화막의 두께가 얇을 때에는 Cu$_{2}$O//CuO의 계면 파괴 + EMC 자체 파괴가 복합적으로 발생함을 알 수 있었다. 반면에 과도한 산화로 낮을 접착력을 나타내는 시편은 Cu/Cu$_{2}$/O 계면의 파괴를 나타냈다.
반도체 패키지에 사용되는 주요 재료인 리드프레임은 반도체 제품의 소형화, 박형화, 고집적 화에 대응하기 위해서 리드 및 피치의 미세화가 요구되며 제조 과정에서 발생되는 버(burr)의 제거와 잔류응력 제거에 대한 노력이 필요하다. 본 논문은 리드프레임의 제작 시 스탬핑 공정 중에 발생하는 버와 잔류응력을 제거하기 위해 전해연마를 적용하였다. 전해연마를 적용한 리드프레임은 표면의 버 등이 제거되었으며, 잔류음력은 실험에 사용된 전해액의 종류에 따라 차이가 있으나, 과염소산계의 경우에는 잔류응력을 23%제거하여 리드프레임의 신뢰성을 높일 수 있었다.
아나톨리아 반도는 북쪽의 폰타이드 지판, 남쪽의 아나톨리드-토우리드 지판 및 남동쪽의 아라비안 석회암 대지를 포함하는 몇 개의 대륙 조각들로 구성되어 있다. 이러한 대륙 조각들은 제 3기 말에 하나의 대륙으로 병합되었으나 현생 이언 동안에는 고테티스해와 신테티스해와 같은 고해양에 의해 분리되어 있었다. 북쪽에 위치하는 폰타이드 지판은 고생대 동안에 바리스칸 조산운동과 중생대 동안의 키메리안 조산운동을 받은 증거들을 보존하고 있으며 비교적 약한 알파인 조산운동의 영향을 받는 등 라우라시아 대륙과 비슷한 지체구조 발달사를 보인다. 폰타이드 지판은 스트랜드자대, 이스탄불대, 사카라야대로 세분되며 이들은 백악기 중기에 하나의 지판으로 병합되었다. 남쪽에 위치하는 아나톨리드-토우리드 지판은 삼첩기에 곤드와나 대륙으로부터 분리되어 중생대 동안에 광역적인 탄산염 대지로 존재하는 등 곤드와나 대륙과 비슷한 지체구조 발달사를 보인다. 아나톨리드-토우리드 지판은 알파인 조산운동 시기에 의해 심하게 변형되었고 부분적으로 변성작용을 받아 변형과 변성의 시기와 형태를 기준으로 세분될 수 있다. 남동쪽에 위치하는 아라비안 석회암 대지는 아라비아 판의 북쪽 연장으로 고생대 동안에는 탄산염암이, 중생대 동안에는 쇄설성 퇴적암이 우세한 아나톨리드-토우리드 지판과 비슷한 층서를 보인다. 이러한 지판들이 마지막으로 합병된 이후 올리고세와 마이오세 동안에는 새로운 구조운동의 시기가 있었다. 이러한 신기구조운동은 주향이동성 단층작용과 확장, 육성 퇴적작용, 광역적인 칼크-알카리 계열의 화성작용 등으로 특징지어 지며 이러한 신기 구조운동은 아나톨리아 반도의 오늘날의 지형을 형성하는데 매우 중요한 역할을 하였다.
본래 약한 구리계 리드프레임/EMC(Epoxy Molding Compound) 계면의 접착력은 솔더 리플로우 (solder reflow) 공정 중에 종종 박형 플라스틱 패키지의 팝콘 균열 현상(popcorn-cracking phenomena)을 일으킨다. 본 연구에서는 리드프레임/EMC 계면의 접착력을 향상시키기 위하여 리드프레임을 알칼리 용액에 담궈 표면에 brown oxide를 형성시켰으며, EMC로 몰딩(molding)하여 SDCB(Sandwiched Double Cantilever Beam) 시편 및 SBN(Sandwiched Brazil-Nut) 시편을 준비하여 접착력을 측정하였다. 리드프레임의 brown oxide 처리는 미세한 바늘모양의 CuO 결정들을 리드프레임 표면에서 형성시켰으며, 리드프레임/EMC 계면의 접착력을 향상시켰다. 접착력의 향상은 산화층의 평균두께와 직접적인 관련이 있었다. 이는 미세한 바늘모양의 CuO 결정들이 EMC와 기계적인 고착(mechanical interlocking)을 하기 때문으로 생각된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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