• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제14권4호
• /
• pp.71-77
• /
• 2007

본 연구에서는 리플로우 횟수를 달리하여 Sn-37Pb, Sn-3.5Ag와 Sn-3.5Ag-0.75Cu (all wt.%) BGA 솔더 접합부들을 OSP가 코팅된 Cu 패드 상에 형성시킨 후, 기계적 전기적 특성을 연구하였다. 주사전자현미경 분석 결과, 접합 계면에 생성된 $Cu_6Sn_5$ 금속간화합물 층의 두께는 리플로우 횟수가 증가함에 따라 증가하였다. Sn-Pb와 Sn-Ag-Cu 솔더 접합부의 경우, 3회 리플로우 후 최대 전단 강도를 나타내었으며, Sn-Ag 솔더 접합부의 경우 4회 리플로우 후 최대 전단 강도를 나타내었다. 이후 리플로우 횟수가 10회까지 증가함에 따라 전단 강도는 점차 감소하였다. 리플로우 횟수가 증가함에 따라 전기적 특성은 점차 감소하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
• /
• pp.244-245
• /
• 2010

최근 광전자 분야에서는 미래 에너지 자원에 대한 관심과 함께 GaN 기반 발광다이오드 및 태양전지 연구가 활발히 진행되고 있다. GaN는 높은 전자 이동도와 높은 포화 속도 등의 광전자 소자에 유리한 특성을 가지고 있으나, 고 인듐 함유량과 막질의 우수한 특성을 동시에 구현하는 것은 매우 어렵다. 이를 극복하기 위한 방법으로써 선택 영역 박막 성장법(Selective Area Growth)은 마스크 패터닝을 통해 제한된 영역에서만 박막을 성장하는 방법으로써 GaN의 막질을 향상 시킬 수 있는 방법으로 주목받고 있다. 본 논문에서는 대면적 기판에서 GaN의 막질 향상뿐만 아니라 고인듐 InGaN 박막 성장을 위하여 서브마이크로미터 주기와 크기를 갖는 홀 패턴을 포토리소그라피 공정 최적화를 통해 구현할 수 있는 방법에 대해 논의한다. 그림. 1은 사파이어 기판 위에 선택 영역 박막 성장법을 이용하여 성장한 n-GaN/활성층/p-GaN의 구조를 나타낸 그림이다. 이를 통하여 서브마이크로미터 스케일의 반극성 InGaN면 위에 높은 인듐 함유량을 가지면서도 우수한 특성을 갖는 박막을 얻을 수 있다. 본 실험을 위하여 사파이어 기판 위에 SiO2를 증착한 후 포토레지스트(AZ5206)을 도포하고 포토리소그라피 공정을 진행하여 2um 크기 및 간격을 갖는 패턴을 형성했다. 그림. 2는 AZ5206에 UV를 조사(5초)하고 현상(23초)한 패턴을 윗면(그림. 2(a))과 $45^{\circ}$ 기울인 면(그림. 2(b)) 에서 본 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진이다. 이를 통해 약 2.2um의 홀 패턴이 선명하게 형성 됨을 볼 수 있다. 그 후 수백나노 직경의 홀을 만들기 위해서 리플로우 공정을 수행한다. 그림. 3은 리플로우 온도에 따른 패턴의 홀 모양을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 측정한 표면의 사진이다. 이를 통해 2차원 평면에서 리플로우 온도 및 시간에 따른 변화를 볼 수 있다. 그림.3의 (a)는 리플로우 공정을 진행하기 전 패턴이고, (b)는 $150^{\circ}C$에서 2분, (c)는 $160^{\circ}C$에서 2분 (d)는 $170^{\circ}C$에서 2분 동안 리플로우 공정을 진행한 패턴이다. $150^{\circ}C$와 $160^{\circ}C$에서는 직경에 큰 변화가 없었고, $160^{\circ}C$에서는 시료별 현상 시간 오차에 따라 홀의 크기가 커지는 경향이 나타났다. 그러나 $170^{\circ}C$에서 2분간 리플로우 한 시료 (그림. 3(d))의 경우는 홀의 직경이 ~970nm 정도로 줄어든 것을 볼 수 있다. 홀의 크기를 보다 명확히 표현하기 위해 그림.3에 대응시켜 단면을 스캔한 그래프가 그림.4에 나타나 있다. 그림.4의 (a) 및 (b)의 경우 포토레지스트의 높이 및 간격이 일정하므로, 리플로우에 의한 영향은 거의 없었다. 그림. 4(c)의 경우 포토레지스트의 높이가 그림.4(a)에 비해 ~25nm 정도 낮은 것으로 볼 때, 과도 현상 및 약간의 리플로우가 나타났을 가능성이 크다. 그림. 4(d)에서는 ~970nm의 홀 크기가 나타나서 본 연구에서 목표로 하는 나노 홀 크기에 가장 가까워짐을 확인할 수 있었다. 따라서, $170^{\circ}C$ 이상의 온도와 2분 이상의 리플로우 시간 조건에서 선택 영역 성장을 위한 나노 홀 마스크의 크기를 제어할 수 있음을 확인하였다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제27권3호
• /
• pp.220-224
• /
• 2023

로우 해머는 특정 행(row)에 연속적으로 액세스할 때 인접한 행에서 비트 플립이 발생하는 현상으로 데이터 손상과 보안 문제, 컴퓨팅 성능 저하를 야기한다. 본 논문은 2ynm DRAM에서 TCAD 시뮬레이션을 통해 로우 해머의 원인과 대응 방법을 분석한다. 실험에서는 트랩의 파라미터와 소자의 구조를 변화시키면서 로우 해머 현상을 재현하고, 트랩 밀도, 온도. 액티브 위스 등과의 관계를 분석한다. 실험 결과, 트랩 파라미터와 소자 구조의 변화는 ΔV_cap/pulse에 직접적인 영향을 미치는 것을 확인하였다. 이를 통해 로우 해머에 대한 근본적인 이해와 대응 방안 모색이 가능하고 DRAM의 안정성과 보안을 향상시키는데 기여할 수 있다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제14권3호
• /
• pp.43-49
• /
• 2007

웨이퍼 레벨 솔더범핑시 under bump metallurgy (UBM)의 종류와 리플로우 시간에 따른 Sn 솔더범프의 평균 금속간화합물 층의 두께와 UBM의 소모속도를 분석하였다. Cu UBM의 경우에는 리플로우 이전에 $0.6\;{\mu}m$ 두께의 금속간화합물 층이 형성되어 있었으며, $250^{\circ}C$에서 450초 동안 리플로우함에 따라 금속간화합물 층의 두께가 $4\;{\mu}m$으로 급격히 증가하였다. 이에 반해 Ni UBM에서는 리플로우 이전에 $0.2\;{\mu}m$ 두께의 금속간화합물 층이 형성되었으며, 450초 리플로우에 의해 금속간화합물의 두께가 $1.7\;{\mu}m$으로 증가하였다. Cu UBM의 소모속도는 15초 리플로우시에는 100 nm/sec, 450초 리플로우시에는 4.5 nm/sec이었으나, Ni UBM에서는 소모속도가 15초 리플로우시에는 28.7 nm/sec, 450초 리플로우시에는 1.82 nm/sec로 감소하였다.

• 문화기술의 융합
• /
• 제8권1호
• /
• pp.321-329
• /
• 2022

유연성 편평발 청소년에게 적용한 로우다이 테이핑 기법이 동적 균형과 제자리 멀리뛰기에 미치는 영향을 알아보았다. 연구의 대상자는 유연성 편평발 청소년 35명으로 탄력 테이프 17명과 비탄력 테이프 17명으로 로우다이 테이핑 기법을 적용하였다. 본 연구의 자료분석은 t-test 활용하여 그룹 중재 적용 전과 적용 후, 그리고 각각의 그룹간을 비교하였다. 연구 결과 동적 균형과 제자리 멀리뛰기에서 중재 적용 전과 적용 후에 유의한 결과가 나타났으며(p<.05), 각각의 그룹 간 비교에서 유의한 차이가 나타나지 않았다(p>.05). 결론적으로 유연성 편평발의 청소년에게 적용된 로우다이 테이핑 기법은 동적 균형과 제자리 멀리뛰기에 효과가 있으며, 로우다이 테이핑은 안쪽 세로활 상승의 즉각적 효과를 보기 위한 중재 방법으로 적절하다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제12권4호통권37호
• /
• pp.351-357
• /
• 2005

솔더/UBM 계면반응에 따른 솔더범프의 기계적 신뢰성을 평가하기 위한 방안으로서 Cu UBM 상에서 리플로우한 Sn-52In 솔더범프의 리플로우 조건에 따른 전단응력과 전단에너지의 변화거동을 비교하였다. 리플로우 조건에 따른 전단에너지의 변화거동이 전단강도에 비해 Sn-52In/Cu 계면반응 및 파괴모드의 변화거동과 훨씬 잘 일치하여 솔더/UBM 계면반응에 따른 기계적 신뢰성을 분석하는데 전단에너지가 전단강도보다 훨씬 효과적인 평가 방안임을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2005년도 추계종합학술대회
• /
• pp.1000-1002
• /
• 2005

최대 7기기까지의 슬레이브 디바이스들과 연결이 가능한 블루투스 피코넷에서, RF 연결단으로 송신되는 무선 데이터는 블루투스 버전 1.1 송신 규약에 적합하도록 1마이크로미터 단위로 슬라이싱되어 베이스밴드 입력단으로 들어오게 된다. 본 연구에서는 상대적으로 불안정한 RF 디바이스에서 베이스밴드로 전달되는 아날로그 신호를 1 마이크로미터 단위의 정확한 슬라이싱을 가능하게 해 주고, 또한 불안정한 아날로그에 대한 신호의 노이즈를 제거할 수 있는 디지털 로우패스 필터를 설계하였다. 설계된 디지털 로우패스필터는 블루투스 RF 일체형 베이스밴드 침의 절전 모드, 정상동작 모드와 고속 동작 모드인 12MHz, 24MHz, 48MHz 각 주파수에서 모두 정상적으로 동작하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제16권1호
• /
• pp.7-11
• /
• 2009

본 연구에서는 electroless nickel / immersion gold (ENIG) 처리된 printed circuit board (PCB)를 무연 솔더인 Sn-3.5(wt%)Ag로 접합하였다. 리플로우 횟수를 1회부터 10회까지 다양하게 하여 리플로우 횟수가 증가함에 따른 솔더 접합부의 기계적, 전기적 특성의 변화에 대해 연구하였다. 접합부의 미세 조직 관찰을 위해 접합부 단면을 폴리싱 하여 금속간 화합물의 두께를 측정하고 종류를 분석하였다. 접합부의 기계적 특성을 평가하기 위해서 die 전단 시험을 하였는데, 리플로우 횟수가 4-5회일 때까지 전단 강도 값이 증가하다가 5회 이후로 감소하였다. 전기적 특성을 알아보기 위해 전기 저항 값을 측정하였는데, 리플로우 횟수가 증가할수록 접합부의 전기 저항 값은 점점 증가하였다.

• 한국음향학회지
• /
• 제17권2호
• /
• pp.71-78
• /
• 1998

와(vortex) 박리는 고형물체가 유동내에서의 유체의 흐름을 방해할 때 발생하는 전 형적인 주기적 진동 현상이다. 본 연구에서는 삼각주형 실린더가 유동내에 유발하는 와 발 리 특성을 가시화 기법, 와에 의해 변조된 초음파의 파워 스펙트럼 및 유동관에서의 진동측 정 등을 통해 연구하였다. 가시화 관찰과 유동측정 실험 결과, 발생 와는 발생체 전면으로부 터 3d와 5d 사이에서 가장 안정성이 유지됨을 발견하였다. 넓은 레이놀즈 수(104≤Re≤106) 의 유동영역에서 액체와 기체원형유동의 측정 실험결과로부터 스트로우할(Strouhal) 수가 와발생체 폭(d)과 형상비(d/D)의 증가함수이며, 삼각주 단면의 높이에 반비례함을 알 수 있 었다. 또한 실험 결과로부터 실린더의 기하학적 치수로 삼각주형 실린더의 스트로우할 수를 예측할 수 있는 경험식을 제시하였다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보처리학회 2023년도 춘계학술발표대회
• /
• pp.194-196
• /
• 2023

컴퓨터 보안의 위협 중 하나인 로우해머 공격은 DRAM 메모리 모듈에 영향을 미치며, 인접 셀에서 "비트 플립"이 발생하여 중요한 데이터에 무단으로 접근하거나 시스템을 손상시킬 수 있다. 하드웨어 기반 방어 기법은 메모리 컨트롤러 및 메모리 모듈 기반으로 나뉘며, 소프트웨어 기반 방어 기법은 기계 학습 알고리즘을 사용하여 공격을 감지하거나 예측하여 방지한다. 본 논문은 로우해머 공격과 그 대응 방안에 대한 연구 동향을 설명한다.