• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.14 no.4
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• pp.71-77
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• 2007

In this study, the mechanical and electrical properties of three different ball grid array (BGA) solder joints, consisting of Sn-37Pb, Sn-3.5Ag and Sn-3.5Ag-0.75Cu (all wt.%), with organic solderability preservative (OSP)-finished Cu pads were investigated as a function of reflow number. Based on scanning electron microscopy (SEM) analysis results, a continuous $Cu_6Sn5$, intermetallic compound (IMC) layer was formed at the solder/substrate interface, which grew with increasing reflow number. The ball shear testing results showed that the shear force peaked after 3 reflows (in case of Sn-Ag solder, 4 reflows), and then decreased with increasing reflow number. The electrical property of the joint gradually decreased with increasing reflow number.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.244-245
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• 2010

최근 광전자 분야에서는 미래 에너지 자원에 대한 관심과 함께 GaN 기반 발광다이오드 및 태양전지 연구가 활발히 진행되고 있다. GaN는 높은 전자 이동도와 높은 포화 속도 등의 광전자 소자에 유리한 특성을 가지고 있으나, 고 인듐 함유량과 막질의 우수한 특성을 동시에 구현하는 것은 매우 어렵다. 이를 극복하기 위한 방법으로써 선택 영역 박막 성장법(Selective Area Growth)은 마스크 패터닝을 통해 제한된 영역에서만 박막을 성장하는 방법으로써 GaN의 막질을 향상 시킬 수 있는 방법으로 주목받고 있다. 본 논문에서는 대면적 기판에서 GaN의 막질 향상뿐만 아니라 고인듐 InGaN 박막 성장을 위하여 서브마이크로미터 주기와 크기를 갖는 홀 패턴을 포토리소그라피 공정 최적화를 통해 구현할 수 있는 방법에 대해 논의한다. 그림. 1은 사파이어 기판 위에 선택 영역 박막 성장법을 이용하여 성장한 n-GaN/활성층/p-GaN의 구조를 나타낸 그림이다. 이를 통하여 서브마이크로미터 스케일의 반극성 InGaN면 위에 높은 인듐 함유량을 가지면서도 우수한 특성을 갖는 박막을 얻을 수 있다. 본 실험을 위하여 사파이어 기판 위에 SiO2를 증착한 후 포토레지스트(AZ5206)을 도포하고 포토리소그라피 공정을 진행하여 2um 크기 및 간격을 갖는 패턴을 형성했다. 그림. 2는 AZ5206에 UV를 조사(5초)하고 현상(23초)한 패턴을 윗면(그림. 2(a))과 $45^{\circ}$ 기울인 면(그림. 2(b)) 에서 본 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진이다. 이를 통해 약 2.2um의 홀 패턴이 선명하게 형성 됨을 볼 수 있다. 그 후 수백나노 직경의 홀을 만들기 위해서 리플로우 공정을 수행한다. 그림. 3은 리플로우 온도에 따른 패턴의 홀 모양을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 측정한 표면의 사진이다. 이를 통해 2차원 평면에서 리플로우 온도 및 시간에 따른 변화를 볼 수 있다. 그림.3의 (a)는 리플로우 공정을 진행하기 전 패턴이고, (b)는 $150^{\circ}C$에서 2분, (c)는 $160^{\circ}C$에서 2분 (d)는 $170^{\circ}C$에서 2분 동안 리플로우 공정을 진행한 패턴이다. $150^{\circ}C$와 $160^{\circ}C$에서는 직경에 큰 변화가 없었고, $160^{\circ}C$에서는 시료별 현상 시간 오차에 따라 홀의 크기가 커지는 경향이 나타났다. 그러나 $170^{\circ}C$에서 2분간 리플로우 한 시료 (그림. 3(d))의 경우는 홀의 직경이 ~970nm 정도로 줄어든 것을 볼 수 있다. 홀의 크기를 보다 명확히 표현하기 위해 그림.3에 대응시켜 단면을 스캔한 그래프가 그림.4에 나타나 있다. 그림.4의 (a) 및 (b)의 경우 포토레지스트의 높이 및 간격이 일정하므로, 리플로우에 의한 영향은 거의 없었다. 그림. 4(c)의 경우 포토레지스트의 높이가 그림.4(a)에 비해 ~25nm 정도 낮은 것으로 볼 때, 과도 현상 및 약간의 리플로우가 나타났을 가능성이 크다. 그림. 4(d)에서는 ~970nm의 홀 크기가 나타나서 본 연구에서 목표로 하는 나노 홀 크기에 가장 가까워짐을 확인할 수 있었다. 따라서, $170^{\circ}C$ 이상의 온도와 2분 이상의 리플로우 시간 조건에서 선택 영역 성장을 위한 나노 홀 마스크의 크기를 제어할 수 있음을 확인하였다.

• Journal of IKEEE
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• v.27 no.3
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• pp.220-224
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• 2023

Row hammering is a phenomenon in which bit flips occur in adjacent rows when accessing a particular row continuously, causing data damage, security problems, and poor computing performance. This paper analyzes the cause and response method of row hammering through TCAD simulation in 2ynm DRAM. In the experiment, the row hammering is reproduced while changing the parameters of the trap and the device structure, and the trap density, temperature. It analyzes the relationship with Active Wisdom, etc. As a result, it was confirmed that changes in trap parameters and device structures directly affect ΔV_cap/pulse. This enables a fundamental understanding of low hammering and finding countermeasures, and can contribute to improving the stability and security of DRAM.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.14 no.3
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• pp.43-49
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• 2007

Thickness of intermetallic compounds and consumption rates of under bump metallurgies (UBMs) were investigated in wafer-level solder bumping with variations of UBM materials and reflow times. In the case of Cu UBM, $0.6\;{\mu}m-thick$ intermetallic compound layer was formed before reflow of Sn solder, and the average thickness of the intermetallic compound layer increased to $4\;{\mu}m$ by reflowing at $250^{\circ}C$ for 450 sec. On the contrary, the intermetallic layer had a thickness of $0.2\;{\mu}m$ on Ni UBM before reflow and it grew to $1.7\;{\mu}m$ thickness with reflowing for 450 sec. While the consumption rates of Cu UBM were 100nm/sec fur 15-sec reflow and 4.50-sec for 450-sec reflow, those of Ni UBM decreased to 28.7 nm/sec for 15-sec reflow and 1.82 nm/sec for 450-sec reflow.

• The Journal of the Convergence on Culture Technology
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• v.8 no.1
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• pp.321-329
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• 2022

The effect of low-dye taping technique applied to flexible flat-footed adolescents on mSEBT and Standing long jump in place was investigated. The subjects of this study were 35 youths with flexible flat feet, 17 people with elastic tape and 17 people with non-elastic tape, and the low-dye taping technique was applied. The data analysis of this study used t-test to compare before and after the application of group intervention, and between each group. As a result of the study, significant results were found before and after the application of the intervention in mSEBT and Standing long jump in place (p<.05), and there was no significant difference in comparison between groups (p>.05). In conclusion, the low-dye taping technique applied to adolescents with flexible flat feet is effective for mSEBT and Standing long jump in place, and low-dye taping is appropriate as an intervention method to see the immediate effect of raising the inner longitudinal bow.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.12 no.4 s.37
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• pp.351-357
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• 2005

Comparison of shear strength and shear energy of the 48Sn-52In solder bumps reflowed on Cu UBM were made with variations of reflow temperature from $150^{\circ}C$ to $250^{\circ}C$ and reflow time from 1 min to 20 min to establish an evaluation method for the mechanical reliability of solder bumps. Compared to the shear strength, the shear energy of the Sn-52In solder bumps was much more consistent with the solder reaction behavior and the fracture mode at the Sn-52In/Cu interface, indicating that the bump shear energy can be used as an effective tool to evaluate the mechanical integrity of solder/UBM interface.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• v.9 no.2
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• pp.1000-1002
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• 2005

In the Bluetooth piconet in which up to 7 slave devices can be connected simultaneously at one network instance, the wireless data expected to be sent over to the RF interface should be sliced by the unit of 1 micrometer, which is a requirement in the specification of the Bluetooth version 1.1. In this contribution, we have designed a digital low-pass filter which is able to slice the unstable analog signal fed from the RF interface to the Baseband, by the uniform unit of 1 micrometer, and is also capable of removing the possible noise which can be caused by the analog circuit system. The low-pass filter operated well in the various modes of the Bluetooth RF embedded Baseband chip such as sleep mode, normal mode, and high-speed mode at 12MHz, 24MHz, and 48MHz respectively.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.16 no.1
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• pp.7-11
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• 2009

In this study, solder joints were made with Sn-3.5Ag (wt%) solder ball. Electroless nickel / immersion gold (ENIG) printed circuit board (PCB) substrates were employed in this work. The mechanical and electrical properties were measured as a function of the number of reflow. Die shear strength was measured with increasing reflow number. Until the forth or fifth reflow, shear force increased and after the fifth reflow the shear force of die decreased. The electrical resistivity of solder joint linearly increased with increasing reflow number.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
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• v.17 no.2
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• pp.71-78
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• 1998

와(vortex) 박리는 고형물체가 유동내에서의 유체의 흐름을 방해할 때 발생하는 전 형적인 주기적 진동 현상이다. 본 연구에서는 삼각주형 실린더가 유동내에 유발하는 와 발 리 특성을 가시화 기법, 와에 의해 변조된 초음파의 파워 스펙트럼 및 유동관에서의 진동측 정 등을 통해 연구하였다. 가시화 관찰과 유동측정 실험 결과, 발생 와는 발생체 전면으로부 터 3d와 5d 사이에서 가장 안정성이 유지됨을 발견하였다. 넓은 레이놀즈 수(104≤Re≤106) 의 유동영역에서 액체와 기체원형유동의 측정 실험결과로부터 스트로우할(Strouhal) 수가 와발생체 폭(d)과 형상비(d/D)의 증가함수이며, 삼각주 단면의 높이에 반비례함을 알 수 있 었다. 또한 실험 결과로부터 실린더의 기하학적 치수로 삼각주형 실린더의 스트로우할 수를 예측할 수 있는 경험식을 제시하였다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2023.05a
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• pp.194-196
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• 2023

컴퓨터 보안의 위협 중 하나인 로우해머 공격은 DRAM 메모리 모듈에 영향을 미치며, 인접 셀에서 "비트 플립"이 발생하여 중요한 데이터에 무단으로 접근하거나 시스템을 손상시킬 수 있다. 하드웨어 기반 방어 기법은 메모리 컨트롤러 및 메모리 모듈 기반으로 나뉘며, 소프트웨어 기반 방어 기법은 기계 학습 알고리즘을 사용하여 공격을 감지하거나 예측하여 방지한다. 본 논문은 로우해머 공격과 그 대응 방안에 대한 연구 동향을 설명한다.