• IE interfaces
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• v.10 no.1
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• pp.67-77
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• 1997

반도체 제조공정에서 패터닝 공정과 박막형성 공정은 매우 중요한 위치를 차지하고 있다. 본 논문의 목적은 위 두가지의 공정을 최적화하기 위한 품질공학적 접근방법을 소개하는데 있다. 특히, 패터닝 공정의 전사성과 박막현상 공정의 두께의 균일성에 관한 문제를 동특성의 문제로 정형화하고 신호인자를 어떻게 설정할 것인가에 관해 논의하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.06a
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• pp.161-164
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• 1998

광대역 주파수 상에서 외부로부터 입사하는 전자파를 산란시키지 않고 유전체 내부에서 흡수시키기 위해 유전체를 다층으로 배열하여 전파 흡수체를 최적 설계하고자 한다. 수직 및 여러 각도로 전파가 입사하는 경우 각 유전층의 두께, 유전 상수, 손실 탄젠트 등의 설계변수를 유전자 앨거리즘을 이용하여 최적화한다. 다극함수에서의 부분 초기화 유전자 앨거리즘의 성능 향상을 위해 부분 초기화율, 부분 초기화 시점, 스케일 인자의 변화에 따른 성능을 비교, 개선하여 흡수체 설계에 적용하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.448-449
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• 2008

HIT(Heterojunction with intrinsic thin layer) solar cell은 결정 실리콘 (c-Si)을 n-type으로 제작시 수율이 어렵고 결정 실리콘 (c-Si)을 p-type위에 제조하는 것이 보다 보편적인 방법이므로 베이스의 결정 실리콘에는 p-type을, 그 위에는 진성 층(intrinsic layer) 그리고 반투명 전극의 아래에 제조되는 비정질 실리콘 (a-Si)을 n-type으로 하여 베이스 층과 TCO 후면 층의 두께, 도핑 농도 (doping concentration)와의 관계를 확인하여 본다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.2 no.2
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• pp.19-30
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• 1995

일반적으로 마이크로 웨이브 영역에 사용되는 마이크로스트립 전송로는 후막 전도 선을 이용하여 RF 모듈을 구현할수 있으나 선폭의 고해상도가 전체 특성에 큰 영향을 미치 므로 고정도의 박막을 이용한 RF 모듈이 많이 개발되고 있다. 따라서 본 논고에서는 박막 제조기술을 이용하여 마이크로 웨이브 하이브리드의 한 종류인 WILKINSON 전력 분배기 를 개발하였고 공정 변수를 최적화함으로써 고특성 고신회성의 전력 분배기를 구현할 수 있 었다. 먼저 전도선의 두께의 영향을 고찰하였으며 제조 공정에 있어 GROUND 방법 /HOUSING 형상을 개선함으로써 용이하게 전력 분배기를 제조하였다. 마지막으로 MIL 규 격에 따른 전력분배기의 신뢰성 시험 항목을 제시하였고 이에 따라 정격 전력을 계산, 측정 하였다.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2004.05a
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• pp.261-263
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• 2004

상용차의 다양한 모델의 변화에 따른 여러 가지 용접부의 이음형태를 가지는 차체부품이 요구됨에 따라 생산성 향상을 위해 용접재의 두께별, 형태별 용접조건의 최적화가 시급히 요구된다$^{1.2)}$ . (중략)

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2009.05a
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• pp.36-39
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• 2009

최근들어 고전력 및 고성능 전자제품 시장이 확장됨에 따라 대용량 알루미늄 히트싱크의 수요가 급증하고 있다. 이를 위해 고효율의 브레이징 히트싱크가 선호되고 있지만, 기존의 대기 연속로에서는 불충분한 가열과 모재 금속의 서로 다른 두께 때문에 생산이 사실상 불가능하다. 따라서, 본 연구에서는 브레이징 히트싱크 개발을 위하여 새로운 인덱스 배치로 및 브레이징 공정을 최적화하였다. 또한, 브레이징 용착효율과 인장응력 실험도 개발된 브레이징 히트싱크에 대해 이루어졌다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.99-100
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• 2007

유도결합 플라즈마(ICP)를 이용한 CVD 장치에서 플라즈마를 발생시키기 위한 안테나의 구조는 매우 중요하다. 전자 온도와 전자 밀도에 직접적인 영향을 주게 되며, 뿐만 아니라 증착 물질의 두께 균일도에 결정적인 역할을 하게 된다. 본 연구에서는 플라즈마 특성 균일도 최적화를 위하여 2turn 직렬, 병렬, 혼합의 ICP 안테나의 구조에 대하여 플라즈마 특성 및 $SiO_2$ CVD 증착 특성을 계산하였다.

• Progress in Medical Physics
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• v.24 no.2
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• pp.108-118
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• 2013

Currently, an arterial spin labeling (ASL) magnetic resonance imaging (MRI) technique does not routinely used in clinical studies to measure perfusion in brain because optimization of imaging protocol is required to obtain optimal perfusion signals. Therefore, the objective of this study was to investigate changes of perfusion-weighed signal intensities with varying several parameters on a pulsed arterial spin labeling MRI technique obtained from a 3T MRI system. We especially evaluated alternations of ASL-MRI signal intensities on special brain areas, including in brain tissues and lobes. The signal targeting with alternating radiofrequency (STAR) pulsed ASL method was scanned on five normal subjects (mean age: 36 years, range: 29~41 years) on a 3T MRI system. Four parameters were evaluated with varying: 1) the labeling gap, 2) the labeling delay time, 3) the labeling thickness, and 4) the slice scan order. Signal intensities were obtained from the perfusion-weighted imaging on the gray and white matters and brain lobes of the frontal, parietal, temporal, and occipital areas. The results of this study were summarized: 1) Perfusion-weighted signal intensities were decreased with increasing the labeling gap in the bilateral gray matter areas and were least affected on the parietal lobe, but most affected on the occipital lobe. 2) Perfusion-weighted signal intensities were decreased with increasing the labeling delay time until 400 ms, but increased up to 1,000 ms in the bilateral gray matter areas. 3) Perfusion-weighted signal intensities were increased with increasing the labeling thickness until 120 mm in both the gray and white matter. 4) Perfusion-weighted signal intensities were higher descending scans than asending scans in both the gray and white matter. We investigated changes of perfusion-weighted signal intensities with varying several parameters in the STAR ASL method. It should require having protocol optimization processing before applying in patients. It has limitations to apply the ASL method in the white matter on a 3T MRI system.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.27 no.2
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• pp.89-93
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• 2017

GaN single crystals were grown by controlling of various processing parameters such as growing temperature, V/III ratio and growing rate. We optimized thickness of bulk GaN single crystal by analyzing defect of surface and inside of the GaN single crystal for application to high brightness and power device. 2-inch bulk GaN single crystals were grown by HVPE (hydride vapor phase epitaxy) on sapphire and their thickness was 0.3~7.0 mm. Crystal structure of the grown bulk GaN was analyzed by XRD (X-ray diffraction). The surface characteristics of the grown bulk GaN were observed by OM (optical microscope) and SEM (scanning electron microscopy) with measuring EPD (etch pits density) of the GaN crystals.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.372-372
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• 2014

반도체 검출기는 입사되는 X선 에너지에 의하여 이온화되어 발생하는 전자 전공쌍을 수집함으로 방사선 정보를 확인하는 선량계로써 많은 연구와 활용이 이루어지고 있다. 하지만, X선 에너지에 의하여 반도체 검출기에서 발생하는 전기적 신호량이 높지 않기 때문에 누설 전류의 저감이 필수적이다. 누설 전류를 저감시키기 위한 방안으로 반도체 층과 전극 층의 Schottky Contact 구조의 설계, Insulating Layer의 사용, 높은 비저항의 반도체 물질 연구 등이 이루어지고 있다. 하지만, 기존에 누설 전류 저감을 위하여 Insulating Layer를 전극층과 반도체 층 사이에 형성하는 연구에 있어서 Insulating Layer와 반도체 층의 계면 사이에서 발생하는 Charge Trapping으로 인하여 생성되는 신호의 Reproducibility 저하, 동영상 적용의 제한 등의 문제점을 겪어왔다. 이에 본 논문에서는 누설 전류를 저감시킴과 동시에 Charge Trapping의 최소화를 이루기 위하여 Insulating Layer의 두께 최적화 연구를 수행하였다. 본 연구에서 사용한 Insulating Layer는 검출기 표면에 입사하는 X선 정보 손실을 최소화 시키는 동시에 누설 전류와 Charge Trapping을 최소화 시키는 방법으로써 CVD방법으로 검출기 표면에 균일하게 Insulating Layer를 코팅하였다. Insulating 물질은 Parylene을 사용하였으며, 그 중 온도, 습도 등 외부환경에 영향을 적게 받는 type C를 사용하였다. 증착에 사용한 장비의 진공도는 Torr로 설정하여 증착되는 Parylene의 두께가 약 $0.3{\mu}m$가 되게 하였으며, 실험에는 반도체 물질 PbO를 사용하였다. Parylene의 절연 특성은 Dark Current와 Sensitivity를 측정한 SNR을 이용하여 Parylene코팅이 되지 않은 동일 반도체 검출기와의 신호를 비교하였으며 또한 Parylene를 다층 제작한 검출기의 수집 신호량을 비교하였다. 제작한 검출기의 X선 조사 시의 수집 전하량 측정 결과, 100 kVp, 100mA, 0.03s의 X선 조건에서 $1V/{\mu}m$의 기준 시, Parylene를 코팅하지 않은 PbO 검출기의 Dark current는 0.0501 nA/cm2, Sensitivity는 0.6422 nC/mR-cm2, SNR은 12.184이었으며, Parylene단층의 두께인 $0.3{\mu}m$로 증착된 시편의 Dark current는 0.04097 nA/cm2, Sensitivity는 0.53732 nC/mR-cm2으로 Dark current가 감소되고 sensitivity도 감소하였지만 SNR은 13.1150으로 높아진 것을 확인할 수 있었다. Perylene이 $0.6{\mu}m$로 증착된 시편의 경우, Dark Current는 0.04064 nA/cm2, Sensitivity는 0.31473 nC/mR-cm2, SNR은 7.7443으로써 Insulating Layer가 없는 시편보다 SNR이 약 40% 낮아진 것을 확인할 수 있었다. Parylene이 $0.9{\mu}m$로 증착된 시편의 경우 Dark current는 0.0378 nA/cm2, Sensitivity 0.0461 nC/mR-cm2로 Insulating Layer가 없는 시편에 비해 SNR은 약 1/12배 감소한 1.2196이었고, Parylene이 $1.2{\mu}m$로 증착된 시편의 SNR은 1.1252로서 더 감소하였다. 따라서 Parylene을 다층 코팅한 검출기일수록 절연 효과의 영향이 커짐으로써 SNR 비교 시 수집되는 신호량이 줄어드는 것을 확인하였다. 반도체 검출기의 누설 전류를 저감시킴과 동시에 신호 수집율에 영향을 최소화시키기 위하여 Insulating Layer의 두께를 적절하게 설정하여 적용하면 Insulating Layer가 없는 검출기에 비해 누설전류를 최소한으로 줄일 수 있고 신호 검출효율이 감소하는 것을 방지할 수 있을 것이라 사료된다.