• Journal of the Society of Disaster Information
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• v.12 no.1
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• pp.1-9
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• 2016

Local wall thinning elbow due to the water flow is one of the main degradation phenomenon in carbon steel pipe of plant system. The API579 code of FFS (fitness for service) used in the chemical plant gives a guideline to protect local wall thin problem in a straight pipe, but it does not include an elbow. In this study, the locally wall thinned elbow, which is considered an extrados or intrados wall thinned elbow, was carried out considering in-plane or out-plane bending using FEM (finite element method) analysis, and some of results were also compared with the experimental data. The results could give the structure integrity assessment to protect the local wall thinned elbow.

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• v.26 no.1
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• pp.51-58
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• 2001

다양한 자세에서 교합장치의 두께가 저작근에 미치는 영향을 근전도학적으로 평가하고자, 측두하악장애의 징후와 증상이 없고 정상교합을 가진 성인 8명을 대상으로, 교합장치를 장착하지 않은 상태에서와 4.3, 6.0, 8.1mm 두께를 가진 교합장치를 장착한 상태에서 직립위, 식사위 그리고 앙와위에서 최대 이악물기 상태의 좌, 우측 교근 몇 전측두근의 근활성도를 채득, 분석하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 전측두근에서는 교합장치를 장착하지 않은 상태보다 교합장치를 장착한 상태에서 근활성이 유의하게 감소하였고 (p<0.05), 교근에서는 차이가 없었다. 2. 직립위에서 전측두근의 근활성은 교합장치를 장착하지 않은 상태보다 8.1mm 두께의 교합장치를 장착한 상태에서 유의하게 감소하였다 (p<0.05). 3. 식사위에서 전측두근의 근활성은 교합장치를 장착하지 않은 상태보다 8.1mm 두께의 교합장치를 장착한 상태에서 유의하게 감소하였다 (p<0.05). 4. 앙와위에서 전측두근의 근활성은 교합장치를 장착하지 않은 상태보다 4.3, 6.0, 8.1mm 두께의 교합장치를 장착한 상태에서 유의하게 감소하였다 (p<0.05).

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.6
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• pp.1399-1404
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• 2015

This paper analyzed the phenomenon of drain induced barrier lowering(DIBL) for the ratio of channel length vs. thickness of asymmetric double gate(DG) MOSFET. DIBL, the important secondary effect, is occurred for short channel MOSFET in which drain voltage influences on potential barrier height of source, and significantly affects on transistor characteristics such as threshold voltage movement. The series potential distribution is derived from Poisson's equation to analyze DIBL, and threshold voltage is defined by top gate voltage of asymmetric DGMOSFET in case the off current is 10^-7 A/m. Since asymmetric DGMOSFET has the advantage that channel length and channel thickness can significantly minimize, and short channel effects reduce, DIBL is investigated for the ratio of channel length vs. thickness in this study. As a results, DIBL is greatly influenced by the ratio of channel length vs. thickness. We also know DIBL is greatly changed for bottom gate voltage, top/bottom gate oxide thickness and channel doping concentration.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.82-82
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• 2018

광전소자용 투명전극으로 적용하기 위한 초박형 Al 박막에 대해서 기초연구를 수행하였다. 증착 전 챔버(chamber) 내 기저압력은 $3{\times}10^{-7}Torr$이하로 유지하였으며 Ar 불활성 기체의 유입을 통해 작업압력을 $1{\times}10^{-2}Torr$로 상승시켜 증착을 실시하였다. DC 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 유리기판상에 Al 박막의 증착을 실시하였으며, 박막의 두께가 3-12 nm인 Al 박막을 각각 형성하였다. 두께가 7 nm 일 때 면저항은 $135{\Omega}/{\square}$로 측정되었고 7 nm 이상인 두께의 박막은 두께가 증가할 때 면저항이 점진적으로 감소되는 경향을 확인할 수 있었다. 두께가 10 nm인 박막의 측정된 면저항은 $13.1{\Omega}/{\square}$로 두께 7 nm인 박막과 비교하였을 때 약 10배의 차이를 확인할 수 있었다. 두께 6 nm 이하인 박막은 면저항 측정이 불가능하였는데 이는 SEM 분석 결과, 연속박막을 이루지 못 하였기 때문이라고 결론을 내릴 수 있었으며, 두께 12 nm인 박막까지 완전한 연속박막이 형성되지 않았다. 각각의 박막에서 입자의 크기는 선 교차법(line intercept method)을 이용하여 시편당 평균 120개의 입자에 대한 평균값을 측정하였으며, 이론적으로 예상할 수 있는 바와 같이 두께가 증가할수록 입자크기도 비례하여 증가하게 되는 것을 확인할 수 있었다. 가시광선 파장영역 내 투과도의 경우, 3 nm 두께에서 평균 80% 이상의 투과도가 측정된 데 반하여, 4-5 nm 두께에서 평균 60%로 급격하게 감소되기 시작하며 그 이후, 두께 증가에 따라 투과도가 점진적으로 감소되는 경향을 확인할 수 있었다. 또한 Al 박막은 시간의 경과에 따른 표면의 산화가 진행되어 기존에 측정된 면저항보다 10-60%의 면저항이 증가하였는데 이는 두께가 얇을수록 더 산화의 영향을 많이 받기 때문에 나타난 결과로 보인다. 추후 산화방지막 및 빛반사방지막 층을 초박형 Al박막과 함께 Oxide/Metal/Oxide 구조로 형성하여 위와 같은 현상들을 해결하고 박막물성의 증진을 통해 투명전극에 적용을 목표로 한다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.05a
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• pp.131-134
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• 2006

ITO/ polytetrafluorethylene (PTFE)/ Tris(8-hydroxyquinolinato Aluminum ($Alq_3$)/ Al 구조에서 정공 주입층 PTFE 의 두께 변화에 따른 유전특성은 HP 4284A precision LCR Meter 를 이용하여 주파수에 따른 임피던스와 위상각, 유전손실, 그리고 캐패시턴스를 측정하였다. 측정 결과 PTFE 의 두께가 증가할수록 임피던스 값은 증가하고, 위상각은 저주파수 영역에서는 두께가 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아지는 것을 확인하였다. 또한, 유전손실($tan{\delta}$)도 저주파수 영역에서는 정공 주입층이 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아졌고, 캐패시턴스는 PTFE 의 두께가 증가함에 따라 작아지고 주파수가 높아질수록 감소함을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.04a
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• pp.52-53
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• 2006

ITO/ polytetrafluorethylene (PTFE)/ Tris(8-hydroxyquinolinato Aluminum ($Alq_3$)/ Al 구조에서 정공 수송층 PTFE의 두께 변화에 따른 유전특성은 HP 4284A precision LCR Meter를 이용하여 주파수에 따른 임피던스와 위상각, 유전손실, 그리고 커패시턴스를 측정하였다. 측정 결과 PTFE의 두께가 증가할수록 임피던스 값은 증가하고, 위상각은 저주파수 영역에서는 두께가 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아지는 것을 확인하였다. 또한, 유전손실도 저주파수 영역에서는 정공 수송층이 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아졌고, 커패시턴스는 PTFE의 두께가 증가함에 따라 작아지고 주파수가 높아질수록 감소함을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.11b
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• pp.487-493
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• 1996

판(leaf)의 너비가 일정하고 두께가 균일하게 감소하는 두께감소 홀다운스프링집합체(Tapered-Thickness Holddown spring Assembly ; TT-HDS)에서 단순 보 이론과 Castigliano의 정리를 이용하여 TT-HDS의 탄성강성도를 해석적으로 구할 수 있도록 종래에 유도되었던 탄성강성도 평가식을 수정하고 확장하였으며 TT-HDS의 기하학적 설계자료를 이용하여 탄성강성도를 평가하였다. 아울러 ANSYS code 의 접촉요소를 이용하여 TT-HDS을 유한요소 모델링하여 탄성강성도를 수치적으로 평가하였다. 평가 결과 전단력 및 축력이 TT-HDS의 탄성강성도에 미치는 영향은 약 0.09∼0.16%정도로서 TT-HDS의 탄성강성도는 주로 굽힘모우멘트에 의해 지배되고 있음이 확인되었다. 또한 접촉요소로 유한요소 모델링하여 평가한 결과는 확장된 평가식으로 평가한 탄성강성도와 매우 잘 일치하고 있음을 발견하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.18 no.6
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• pp.453-458
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• 2009

SiOC film was deposited by the chemical vapor deposition using BTMSM and oxygen mixed precursor. The characteristic of SiOC film varied with increasing of the gas flow rate ratios. The dielectric constant was obtained by C-V measurement using the structure of metal/SiOC film/Si. The space effect due to the steric hindrance between alkyl group at terminal bond of Si-$CH_3$ made the pores, and increased the thickness. However, the SiOC film due to the lowering of the polarization decreased the thickness and then decreased the dielectric constant. After annealing process, the dielectric constant decreased because of the evaporation of the OH or $H_2O$ sites. The thickness was related to the lowering of the dielectric constant by the reduction of the polarization and the thickness decreased with the decrease of the dielectric constant. The refractive index was in inverse proportion to thickness. The trends of the thickness and refractive index did not change after annealing.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.10a
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• pp.858-860
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도에 대한 드레인 유도 장벽 감소 현상에 대하여 분석하고자한다. 드레인 유도 장벽 감소 현상은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑 농도뿐만이 아니라 상하단 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등에 대하여 드레인 유도 장벽 감소 현상을 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 채널도핑 농도에 따라 큰 변화를 나타냈다. 단채널 효과 때문에 채널길이가 짧아지면 도핑농도에 따른 영향이 증가하였다. 도핑농도에 대한 드레인유도장벽감소 현상의 변화는 상하단 산화막 두께에 따라 큰 변화를 보였으며 산화막 두께가 증가할수록 도핑농도에 따른 변화가 증가하는 것을 알 수 있었다. 또한 하단게이트 전압은 그 크기에 따라 도핑농도의 영향이 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2016.05a
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• pp.166-166
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• 2016

국내에서는 기후변화로 인해 집중호우 및 태풍 발생이 증가하고 있으며, 이는 자연재해의 발생뿐만 아니라 차량 및 항공 운항의 어려움을 야기한다. 차량 및 항공 운항의 안정성 확보를 위해서는 노면의 마찰저항을 유지하는 것이 중요한데, 강수로 인해 형성되는 수막두께는 노면의 마찰저항을 감소시키므로 포장설계시 고려해야 할 주요소이다. 특히, 물적/인적 이동이 많은 공항은 기상조건에 더욱 취약하며, 기후변화로 인한 강수특성 변화로 활주로의 수막두께 증가 및 운항의 차질이 우려되고 있다. 따라서 본 연구에서는 과거 및 미래 강우조건에 따라 활주로 노면의 수막두께를 산정하고, 기후변화에 따른 수막두께의 변화를 평가하고자 한다. 과거 관측 및 기후변화 시나리오를 이용하여 강우자료를 생산하였고, 이를 강우-유출 모형의 강우 입력 자료로 활용하였다. 과거 강우자료는 인천지점의 기상청 관측자료를 수집하였으며, AR5 RCP 시나리오(RCP4.5, RCP8.5) 기반의 적정 GCMs 결과를 활용하여 미래 강우시나리오를 산정하였다. 강우의 재현기간 및 지속시간에 따른 수막두께의 변화를 분석하기 위해 인천지역의 과거 및 미래 확률강우량을 산정하였다. 수막두께를 산정하기 위해 활주로 폭, 경사 등 활주로 제원을 수집하고, 유출 모형의 입력자료를 구축하였다. 과거 및 미래 확률강우량을 SWMM 모형에 적용하여 유출량을 산정하였으며, 유속과 흐름폭으로 나누어 활주로의 수막두께를 산정하였다. 산정결과, 강우량이 증가함에 따라 수막두께는 증가하고, 강우의 지속시간이 증가함에 따라서는 감소하는 것으로 분석되었다. 미래의 경우, 기후변화의 영향에 따라 강수량이 증가하여 수막두께가 과거에 비해 증가하였다.