• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.188-194
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• 1998

The GaSe:$Er^{3+}$(5mol%) single crystals grown by the Bridgman technique displayed a direct energy gap at 1.79 eV and an indirect energy gap of 1.62 eV at 300 ${\circ}^$K. Also an optical absorption peak by impurity was found at 6505 $cm^{-1}$. The peak identified the origin of the electronic transitions to be between the energy levels of $Er^{3+}$ ions.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제12권6호
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• pp.44-49
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• 2003

To obtain the surface roughness with range from 10nm to 1nm we need the study of ultra-precision machine, cutting condition, and materials. In this paper, the optimal cutting conditions for getting mirror surface of aluminum alloy have been examined experimentally by using ultra-precision turning machine and sing1e crystal diamond tool. In generally, the cutting conditions such as feed rate and depth of cut have effect on the surface roughness in ultra-precision turning. The result of surface roughness was measured by the ZYGO New View 200. Therefore, The surface roughness and cutting conditions has been clarified. The smooth surface of aluminum alloy less than 1nm RMS, 1nm Rmax can be obtained by the ultra-precision cutting.

• 한국공작기계학회:학술대회논문집
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• 한국공작기계학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.416-421
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• 2003

To obtain the surface roughness with range from l0nm to In n need a ultra-Precision machine, cutting condition and the study of materials. And n have to also consider the chip and vibration of diamond tool during processing. In this paper, the cutting conditions for getting mirror surface of aluminum alloy have been examined experimentally by using ultra-precision turning and single crystal diamond tool. In generally, the cutting conditions have effect on the surface roughness in ultra-precision turning. The result of surface roughness was measured by the ZYGO New View 200.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.7-10
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• 1984

일반적으로 단결정반도체시편에서는 그의 자유반송자 밀도값이 측정방법을 달리해도 일정하다. 그러나 CdSe 박막반도체의 자유반송자 밀도간은 측정방법을 달리했을 때 다르게 나타난다. 본 연구에서는 C-V방법, Seebeck 효과 및 a. c. Hall 효과를 통해서 측정한 CdSe 박막반도체의 자유반송자가 1018/㎤∼1024㎤범위의 값을 나타냈다. 이들 값의 차이를 나타내는 원인을 논의하고자 한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.239-241
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• 1996

The energy gap of GaSe:$Er^{3+}$(5mol%) single crystals grown by the Bridgman technique displaced a direct energy gap at 1.79 eV and an indirect energy gap at 1.62 eV at $300^{\circ}K$ with the addition of Erbium. Also, an impurity optical absorption peak was found to have occurred at $6505\;cm^{-1}$. The peak identified the origin of the electronic transitions between the energy levels of $Er^{3+}$ ions when the addition of dopant.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.327-327
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• 2007

$LiTaO_3$ single crystal has been studied for surface acoustic wave(SAW) applications. There are two kinds of $LiTaO_3$ single crystals, stoichiometric $LiTaO_3$ (SLT) and congruent $LiTaO_3$ (CLT). These two crystals show quite different dielectrical properties, which might be related with defects in crystals. In this study, we observed the domain boundary of SLT and CLT with scanning nonlinear dielectric microscopy and discussed the stress distribution in $LiTaO_3$ single crystals.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권4호
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• pp.135-139
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• 2014

수소화기상증착에피탁시로 성장된 GaN 단결정의 표면 특성을 정밀하게 측정하기 위해, 용융 KOH/NaOH 습식화학에칭법을 적용하였다. KOH/NaOH 습식화학에칭법에 에칭속도는 기존의 황산, 인산과 같은 etchant에 비해 느린데, 이는 불용성 코팅층의 형성에 의한 것이다. 따라서 이 방법으로 etch pits density를 더 효율적으로 평가할 수 있었다. 성장된 GaN 단결정을 XRD(X-Ray Diffraction), XRC(X-ray rocking curve)로 결정성을 분석하였으며, 에칭 특성과 표면 형상은 주자전자현미경을 이용하여 관찰하였다. 에칭 실험 결과 격자결함들이 독립적으로 잘 분리되어 있고 그들의 형태가 명확하게 나타나는 최적 에칭 조건은 $410^{\circ}C$, 25분이었다. 이 조건에서 얻은 결함밀도 값은 $2.45{\times}10^6cm^{-2}$이었으며, 이는 상업적으로 이용 가능 한 정도의 재료임을 확인할 수 있었다.

• 한국광물학회지
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• 제6권2호
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• pp.116-121
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• 1993

제올라이트 $Na_{78}Rb_{28}-X$ 단결정을 $Na_{92}-X(Na_{92}Si_{100}Al_{92}O_{384})$을 $350^{\circ}C$에서 0.1Torr의 Rb 증기로 처리하여 만들어서 그 구조를 X-선 단결정법으로 공간군 Fd3로서 결정하였다 (${\alpha}=25.045(4){\AA}$). 구조는 I>$3{\sigma}(I)$인 회절반점 353개를 사용하여 최종오차지수 $R_1=0.082$, $R_2=0.084$까지 정밀화하였다. 단위포당 92개의 $Na^+$ 이온 중 대략 28개의 $Na^+$ 이온이 환원되고, 환원되어 생성된 28개의 Na' 중 약 14개만 제올라이트 골조내에 잔류하고 있다. 소다라이트 동공내에 사면체의 대칭성 ($T_d$)을 가지고 결합각 $109.5^{\circ}$, 결합거리 $2.80(2){\AA}$를 갖는다. $Na_5{^{4+}}$ 클라스트를 이루는 4개의 말단 원자와 골조 산소원자 사이의 결합거리는 $2.80(2){\AA}$이다. 몇몇 이중 6-링의 중심에 $Na_5{^{4+}}$ 클라스트 두 개를 선형으로 연결하여 지그재그형의 덩어리로 만드는 $Na^0$원자가 있다. 소다라이트 동공 중심과 이중 6-링에 있는 $Na^0$원자의 비편재화된 전자가 $Na_5{^{4+}}$ 클라스트를 안정화시키고 있다.

• 한국진공학회지
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• 제10권1호
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• pp.16-21
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• 2001

4원 화합물 반도체인 $Ag_2CdSnSe_4$ 및 $Ag_2CdSnSe_4$:$CO^{2+}$ 단결정을 화학수송법으로 성장시켜 광학적 특성을 조사하였다. 성장된 결정들은 wurtzite 결정구조로서 격자상수는 각각 a = 4.357 $\AA$, c = 7.380 $\AA$($Ag_2CdSnSe_4$:$CO^{2+}$)이었다. 298k에서의 광 흡수 측정으로부터 구한 에너지 띠 간격은 순수한 $Ag_2$CdSnSe의 경우 1.21eV, cobalt 불순물로 첨가한 $Ag_2CdSnSe_4$의 경우 1.02ev이었으며, cobalt를 불순물로 첨가함에 따라 190meV의 에너지 띠 간격의 감소를 보였다. $Ag_2CdSnSe_4$ 결정의 광 흡수 스펙트럼에서 4개의 흡수 피크들을 관측하였으며, 이들 피크 들은 $T_d$결정장내에서 스핀 - 궤도결합효과에 의한 $Co^{2+}$ 이온의 분리된 준위사이의 전자전이에 의한 것으로 설명되었다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제40권2호
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• pp.73-78
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• 2015

본 연구에서는 실리콘 광 증배소자(Silicon photomultiplier)와 Ce:GAGG 섬광체 단결정을 이용한 섬광검출기를 제작하고, 감마선 분광특성 분석을 통해 기존에 상용화된 LYSO, CsI:Tl 섬광체와의 분광특성을 비교하였다. 섬광체 단결정의 크기는 $3{\times}3{\times}20mm^3$ 이며 $3{\times}3mm^2$ 실리콘 광 증배소자를 이용하여 섬광검출기를 제작한 후, 표준 감마선원인 $^{133}Ba$, $^{22}Na$, $^{137}Cs$, $^{60}Co$에 대한 에너지 분해능을 각각 측정하고 비교하였다. 그 결과 Ce:GAGG 섬광검출기의 감마선에 대한 에너지 분해능은 $^{133}Ba$ 0.356 MeV에서 13.5%, $^{22}Na$ 0.511 MeV에서 6.9%, $^{137}Cs$ 0.662 MeV에서 5.8% 그리고 $^{60}Co$ 1.33 MeV에서 2.3%의 분광 특성을 확인 할 수 있었다.