• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.528-529
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• 2015

본 논문은 DC-DC 플라이백 컨버터 회로를 바탕으로, 고전압 입력으로부터 다채널의 절연된 저전압을 출력하는 고압 SMPS에 관한 것이다. 제안된 토폴로지는 고전압을 분배하는 커패시터와 MCU 전용의 커패시터를 직렬로 구성하고, 각 커패시터에 분배된 전압을 입력으로 다중여자 방식의 플라이백 컨버터 구조로 되어있다. 직렬 커패시터 구조는 고압환경에서의 소자들의 절연 및 전압스트레스를 저감할 수 있으며, MCU 전용의 커패시터는 시스템의 초기구동을 위한 자가충전(Self-Power) 및 Black-Start의 시스템 안정화 구조이다. 또한 다중여자방식은 변압기의 단일 코어를 사용하여 스위칭 전류를 흘려줌으로서 커패시터의 전압불균형을 막을 수 있는 장점을 가지고 있다. 제안된 토폴로지는 시뮬레이션을 통하여 타당성을 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2006.06a
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• pp.119-121
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• 2006

본 논문은 중 전력, 고 입력 전압응용에서 많이 이용되는 비대칭 하프브릿지 PWM DC-DC 컨버터의 다중 출력 구성을 위한 최적의 설계 방식을 제안한다. 제안된 방식은 기본 PWM에서 부하에 따른 연속전류동작모드(CCM)의 구간을 늘여, 제어되는 전원의 부하 변동이 크더라도, 다중출력 되어지는 전원의 정상상태 동작점의 변동이 크게 발생하지 않도록 한다. 제어되는 비대칭 하프브릿지(ASHB)의 부하에 따른 시비율 변화가 작아지면 경 부하에서 변압기에 인가되는 전압의 크기가 줄어들어 다중 출력 되어지는 단의 전체적인 전압 스트레스가 감소한다. 또한 제안된 방식의 비대칭 하프브릿지 회로는 기존의 1차 측 전류 비대칭성을 보상하여 보다 넓은 부하 영역에서 영전압 스위칭이 가능하며 스위칭 손실과 이에 의한 EMI가 감소하게 된다. 제안된 방식은 기존 하드웨어와 비교하여 그 성능을 검증하였다.

• The KIPS Transactions:PartA
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• v.15A no.5
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• pp.243-248
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• 2008

This paper proposes a low-power carry look-ahead adder using multi-threshold voltage CMOS. The designed adder is compared with conventional CMOS adder. The propagation delay time is reduced by using low-threshold voltage transistor in the critical path. Also, the power consumption is reduced by using high-threshold voltage transistor in the shortest path. The other logic block is implemented with normal-threshold transistor. Comparing with the conventional CMOS circuit, the proposed circuit is achieved to reduce the power consumption by 14.71% and the power-delay-product by 16.11%. This circuit is designed with Samsung $0.35{\mu}m$ CMOS process. The validity and effectiveness are verified through the HSPICE simulation.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.245-246
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• 2008

변전소 모선에서 측정되는 전압, 전류를 기반으로 하는 CB기반 고장거리 추정기법은 배전선의 다중 분기선 때문에 다중개의 고장위치를 추론하는 것은 물론 분기 부하모델의 불확실성으로 인해 거리 계산에 오차를 포함하게 된다. 따라서 본 연구에서는 유비쿼터스 기반의 배전계통 하에서 구간 측정 전압, 전류 및 IED간 정보교환을 통해 얻어지는 전압, 전류 정보를 이용하여 고장경로를 추정하는 IED 기반 고장경로 추정기법을 제안한다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.16 no.6
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• pp.1053-1058
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• 2021

This paper presents the multi-band mixer which converts a X-, K- and Ka-band adaptively by adjusting the gate-bias voltage of an active device. The proposed mixer presented a conversion loss of -10 dB at -0.8 V gate-bias voltage for X-band, a conversion loss of -9 dB at -0.3 V gate-bias voltage for K-band and for Ka-band, a conversion loss of -7 dB at -0.2 V gate-bias voltage under the LO power of +6.0 dBm. The 1dB compression point (P1dB) is +0.5 dBm for all band.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.119-119
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• 2010

다층박막구조를 갖는 유기발광소자는 저분자 증착 기술이 발전함에 따라 다양한 구조로 제작이 가능해 다양한 구조 설계를 통하여 발광특성을 향상할 수 있게 되었다. 다층박막구조에서 유기발광소자의 발광효율을 향상시키기 위하여 다양한 주입층과 수송층을 사용하여 전하의 주입 장벽과 이동도를 제어할 수 있다. 저분자 유기발광소자에서 가장 많이 이용되는 tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) 또는 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen)을 단일구조로 전자수 송층으로 사용한 유기발광소자의 발광 메커니즘에 대한 연구가 많이 진행되었지만, Alq3 와 BPhen 을 같이 사용하였을 때 나타나는 전기적 특성과 광학적 특성에 대한 연구는 미미하다. 따라서 본 연구에서는 전자 수송층으로 Alq3 와 BPhen 을 다중 이종구조를 사용하여 녹색 유기발광소자를 제작하고 이의 전기적 특성과 광학적 특성을 연구하였다. 유기발광소자를 제작한 후 Alq3와 BPhen 다중 이종구조의 위치와 이종구조 개수의 변화에 따라 발광 특성 비교를 위하여 인가된 전압에 대한 전류밀도와 휘도, 발광 효율 및 전력 효율을 측정하였다. 다중 이종구조로 제작할 경우 단일 BPhen층의 두께가 얇아지기 때문에 단일 이종구조의 소자보다 BPhen층의 정공차단 능력이 저하되어 저전압에서는 Alq3/BPhen 계면에서의 누설되는 정공의 수가 증가하였다. 또한 이종구조의 수가 증가할수록 단일 이종구조일 때에 비하여 인가된 전압에 대한 전류밀도가 감소하였다. 이는 Alq3와 BPhen 내에서 각각 전자의 이동도가 다르기 때문에 Alq3/BPhen 이종계면에서 전자가 축적되어 공간전하를 형성하므로 내부전계가 형성되어 구동전압이 증가하는 것으로 보인다. 그러나 다중 이종구조로 된 전자 수송층을 포함한 유기발광소자의 발광 효율은 구동전압의 변화에 따라 변하지 않는다. 이종계면의 수가 증가함에 따라 각각의 이종계면에서 축적되는 전자의 양이 감소하기 때문에 고전압에서 발광효율의 저하가 감소하였다. 그러므로 다중 이종구조를 가진 전자수송층 내에서 전자의 주입과 수송에 대한 원리는 안정화된 발광효율을 가지는 유기발광소자를 제작하는데 중요하다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07a
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• pp.470-471
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• 2006

다중 접지 배전계통에서 발생하는 이상전압으로부터 전력설비의 안정적인 운영과 인체안전을 위해 주로 봉상 접지전극을 이용하여 대지방전경로를 구성하고 있다. 그리고 접지종류별로 접지 저항값을 규정하고 이를 시공에 적용하고 있다. 지락고장이 발생하면 접지전극으로 유입되는 고장전류에 비례하여 대지전위가 상승하기 때문에 이에 대한 인체 안전성측정 및 검토가 필요하다. 따라서 본 논문에서는 IEEE Std 80에서 제시하는 안전성 기준에 기초하여 다중 접지 배전계통에서 접지전극으로 널리 사용되는 봉상 접지전극을 대상으로 상용주파전류를 인가하여 대지전위상승에 따른 접촉전압을 측정하였으며, CDEGS 프로그램을 이용하여 보폭전압을 모의하였다. 또한 이 값을 IEEE Std 80에서 제시하는 최대 허용 보폭전압과 접촉전압과 비교하여 인체 안전성을 검토하였다.

• 전기의세계
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• v.46 no.7
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• pp.25-27
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• 1997

우리나라 배전전압은 1917년 경성전기주식회사가 표준 배전전압으로 3.3kV를 채택한 이래 1960년대 중반까지는 3.3kV, 5.7kV-y, 6.6kV이었다. 1965년 10월, 경북 칠곡군 약목변전소 관내의 당시 박정희 대통령 생가 인근을 통과하는 22kV 비접지 송전선로 9km에 다중접지된 중성선을 추가시설, 3상 4선식 배전선로화하여 4개부락 40kV의 부하를 공급함으로써 우리나라에 22.9kV-y 중성선 다중접지 배전방식 도입의 효시가 된 이래, '22.9kV-y승압'사업은 1970년부터 1986년까지 한전의 배전분야 최우선사업으로 전국 방방곡곡에 걸쳐 시행되었다. 이제는 서울 일부와 제주도에서만 시행중으로 종료단계인 오늘에 이르기까지, '22.9kV-y승압'은 한전의 본사와 전국의 사업장에서 수많은 배전분야 종사자들이 총력을 기울여 이룩한 세계 전력 산업사에 그 유례가 드문 격상에 의한 배전전압 단일화 사업으로써, 배전사업 현대화의 중심사업이었다 하지 않을 수 없다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.327-328
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• 2015

본 논문은 불평형부하 조건에서 전력품질 향상을 위한 독립형 인버터의 다중루프 제어기를 설계하고 실험적으로 검증하였다. CVCF(Constant Voltage Constant Frequency) 제어를 수행하는 독립형 인버터에 정지좌표계 상에서 다중루프 특성을 갖는 전압-전류 제어기를 설계하여 불평형 부하에 안정적인 전력공급을 수행하도록 구현하였다. 전압 제어기는 기본파 및 선택적 고조파 제어특성을 갖는 PR(Proportional-Resonant, 비례-공진)제어기를, 전류제어기는 P제어기를 적용하였다. 50kW 독립형 인버터 프로토타입을 구현하였으며, 불평형부하 조건에서 기존 동기좌표계 PI 제어와 비교할 때, 선간전압 THD는 4.3%에서 0.9%, 불평형률은 4.3%에서 0.35%로 개선됨으로써 제안된 기법의 타당성을 검증하였다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.21 no.2
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• pp.202-207
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• 2010

In this paper, a novel voltage-controlled oscillator(VCO) using the open loop multiple split ring resonator(OLMSRR) is presented for improving the phase noise, implemented in 130 nm CMOS technology. Compared with the conventional CMOS LC resonator, the proposed CMOS OLMSRR has the larger coupling coefficient value, which makes a higher Q-factor, and has improved the phase noise of the VCO. The proposed CMOS VCO based OLMSRR has the phase noise of -99.67 dBc/Hz @ 1 MHz in the oscillation frequency. Compared with the VCO using the conventional CMOS LC resonator and the proposed VCO using the CMOS OLMSRR structure has been improved in 7 dB. The prototype 24 GHz CMOS VCO is implemented in 130 nm CMOS and occupies a compact die area of $0.7\;mm{\times}0.9\;mm$.