• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.07a
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• pp.369-370
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• 2014

태양광 PCS개발과정에서는 온도나 방사량 등을 변화시키며 태양전지 패널의 I-V곡선을 모사할 수 있는 태양광 시뮬레이션 모델이 필요하다. 이러한 용도로 볼 때 특히 다이오드 기반의 등가회로 모델은 물리적인 성질을 바탕으로 태양광 패널의 특성을 비교적 정확히 설명할 수 있으나 특유의 비선형성으로 인하여 복잡한 회로 모델 파라미터 추출 기법을 필요로 한다. 본 논문에서는데이터 시트값에 기반한 새로운 태양광 패널 회로 모델링 알고리즘을 제안한다. 제안한 방법의 성능을 검증하기 위해 단결정 태양광 패널의 실제 데이터를 기반으로 최대전력점 ${\pm}10%$부근의 전류오차 적분값을 기준으로 기존 방법과 정확도를 비교한 결과 20%의 정확도 개선을 얻었다.

• 전기의세계
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• v.28 no.2
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• pp.61-67
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• 1979

연속파 마그네트론을 구동하는 전원회로에 대하여 컴퓨터 시뮬레이션을 행함으로써, 컴퓨터를 이용한 회로설계 방법을 제시하였다. 철공진변압기는 잘 알려진 T-등가회로보다 비선형 특성을 해석하기에 용이한 .pi.-등가회로를 나타내었다. 변압기 철심의 자화특성은 i=a.phi.+b.phi.$^{7}$ 의 함수로 모델링하였으며, 마그네트론과 다이오드는 구분적직선 모델로 근사화하였다. 해석적 설계방정식으로부터 구한 커패시턴스, 변압기의 누설 인덕턴스 및 권수비의 값들을 사용하여 전원회로에 대한 컴퓨터 시뮬레이션을 행하여서 마그네트론의 전류파형및 평균양극전류의 값들을 얻었다. 이 시뮬레이션 결과를 해석적 계산치 및 실험측정 결과와 비교하였으며 특히 해석적 설계방법의 유효성을 검토하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1390-1391
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• 2011

태양광 발전 시스템에서의 최대 전력점 추적(MPPT, Maximum Power Point Tracking)제어를 실험을 하기 위해 부분선형 다이오드 모델을 이용한 태블로 해석을 통해 태양광 발전 시스템의 태양전지 모듈의 특성을 시뮬레이션 하였다. 태양전지 모듈의 V-I 특성과 태양전지 패널을 직렬-병렬 어레이로 연결 시, 부분 그늘 문제(Partial Shading Problem)의 지역 최대 점(global peak)을 시뮬레이션을 통해 확인하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.1
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• pp.49-58
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• 1998

In this paper, a new equivalent circuit model for quantum-well laser diode (LD) is proposed. The model includes carrier transport effects in the SCH region, and rprovides, in a stable and accurate manner, large-and small-signal responses of laser diode output power as function of injected currents. SPICE simulation was performed using the circuit model and results are presented for L-I characteristics, pulse and frequency responses under various conditions. It is expencted that the new equaivalent circuit model will find useful applications for designing and analyzing OEIC, LD driver circuits, and LD packaging.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 1999.07a
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• pp.603-607
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• 1999

저궤도 인공위성 전력계 시스템에서 배터리는 식(eclipse) 기간 동한 부하에 전력 공급을 담당한다. 따라서 배터리는 전체 위성의 수명과 성능을 결정 짓는 가장 중요한 요소이다. 이러한 배터리의 신뢰성을 향상시키기 위해, 다이오드를 사용하여 배터리를 병렬로 구성하는 시스템이 사용되고 있다. 본 논문에서는 이러한 배터리 병렬 구조 시스템의 성능 검증을 위해 배터리의 충방전 특성을 효율적으로 시뮬레이션 할 수 있는 Functional 모델링의 방법을 제시하고, 그 모델을 배터리 병렬 구조 인공위성 전력계 시스템에 적용하여 배터리 병렬 구조에 의해 생기는 배터리 불균형과 그 원인을 확잉하고 나아가 대안을 제시하였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2007.07a
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• pp.289-290
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• 2007

We have theoretically derived a electrical model and extracted a parasitic parameters of leakage current in InGaN/GaN light emitting diodes (LEDs). The parasitic parameters of our LED are $R_p=10^{10}{\Omega}$, $I_{0,2}=10^{-17}A$ and $n_2=3.6$, which provide information of leakage current.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2001.10a
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• pp.242-245
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• 2001

본 논문은 디지털 위성용 하향변환기에 적용되는 고안정 전압제어 마이크로파 발진기의 위상잡음 특성을 분석하였다. 전압제어 마이크로파 발진기는 능동소자의 비선형 등가모델과 궤환회로의 영향을 고려하여 유전체 공진 마이크로파 발진기를 위상잡음과 출력 전력에 절충(trade-off)하여 설계하였고, 13.25GHz의 발진주파수에서 출력이득은 12dBm이고, 위상잡음은 옵셋 주파수 100KHz 에서 -107.91dBc를 보였다. 바렉터 다이오드 동작에 의한 튜닝 범위는 2MHz/V로 위상동기 발진기에 응용할 수 있음을 보였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2001.07a
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• pp.514-519
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• 2001

Most of inverters adopt a diode rectifier as an input stage, which has very simple and rugged structure and therefore low cost. In order to properly design the 3-phase diode rectifier with an output smoothing capacitor and input inductors, it is necessary to fully simulate the system due to its nonlinear characteristics. Therefore this paper describes the operating behaviors including the current commutation in detail by using the proposed equivalent circuit, and also proposes the Simulink-based model of the system. The simulation results show the validity of the proposed model in all operating conditions.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.326-326
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• 2008

갈륨 질화물 (GaN) 기반의 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 최근 디스플레이, 교동신호등, 휴대폰용 키패드의 광원 등에 널리 사용되는 전자소자로, 차세대 조명용 광원으로도 각광받고 있다. 일반적인 수평 구조의 LED에 비해 수직형 구조 LED 는 발광면이 n-GaN 표면 전체이며, 전류 확산 특성이 매우 뛰어남으로 인해 차세대 구조라고 표현되어 진다. 이런 구조에서 활성층 영역에서의 균일한 전류 분포는 전류밀집 현상을 억제하여 결과적으로 광학적 특성을 향상시킨다. 따라서 현재까지도 전류확산에 따른 발광다이오드의 성능향상에 대한 연구가 다각도로 이루어지고 있다. 본 연구에서는 수직형 GaN LED 의 전극 패턴에 따른 활성층 영역에서의 전류밀도 분포에 대해 조사하였다. 전극 패턴의 크기 및 구조 변화에 따른 활성층 영역에서의 전류분포도를 삼차원 회로 모델을 이용하여 분석하였다. 또한 활성층 영역으로 주입되는 전류 밀도의 크기가 내부양자효율에 미치는 영향에 대하여 알아보았다. 활성층 영역에서의 균일한 전류밀도 분포를 갖는 전극구조를 설계하였으며, 각각의 전극구조를 적용한 수직형 GaN LED의 전기/광학적 특성에 대해 전산모사 하였다. 최종적으로, n-GaN 위 전극의 크기 및 구조 변화에 대한 시뮬레이션 결과를 토대로, 균일한 전류분포 및 내부 양자효율 향상을 위한 전극패턴 설계 방침을 제안한다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.23 no.1
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• pp.42-51
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• 2012

In this paper, injection-locking characteristics versus active layer structures in Fabry-Perot laser diodes (FP-LD) are compared. TE and TM gain spectra and peak gains versus carrier density in polarized and unpolarized multiple quantum well structures and in an unpolarized bulk structure are calculated. The calculated gain parameters are applied to a time-domain large-signal model to simulate the injection-locking characteristics. The results show that RIN in unpolarized FD-LDs is about 3 dB lower than that in a polarized FP-LD and that the eye characteristics of the unpolarized FP-LD are much better than those of the polarized FP-LD.