• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제6권4호
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• pp.324-328
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• 1993

본 논문에서는 전자파 디바이스의 고속화를 위해서 OMVPE를 이용하여 InGaAs/InP공명 터널 다이오드를 제작하고 전기적특성을 연구하였다. 공명 터널 다이오드의 전압-전류특성, 장벽폭에 따른 P/V비와 RTD의 양자 우물 효과가 연구되었는데 P/V비는 장벽폭이 증가함에 따라서 지수함수적인 감소를 보였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 춘계종합학술대회
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• pp.1157-1160
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• 2005

본 논문에서는 레이저 다이오드(Laser Diode, LD)를 배열시키고 회전 다면경(Polygon Mirror)의 반사각 및 회전다면경의 기하학적 프로젝션 시스템 설계를 통하여 2D-레이저 프로젝션 시스템을 구현하였다. 제안한 회전다면경과 레이저 다이오드 배열을 적용하석 영상 동기 시켜 레이저 배열을 적용한 레이저 디스플레이 시스템을 최종적으로 설계하고 실제 제작을 통해서 시스템을 검증하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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• pp.40-40
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• 2008

질화갈륨계 발광다이오드는 차세대 반도체 조명용 및 기타 광전소자 등에의 응용 가능성 때문에 주목을 받고 있다. 본 발표에서는 발광다이오드용 In/ITO 전극이 p-형 질화갈륨과 열처리 후 오믹접촉을 이루는 메커니즘을 설명한다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제5회(2016년)
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• pp.80-85
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• 2016

본 연구에서는 Grand-Canonical Monte Carlo 시뮬레이션(GCMC)을 이용하여 서로 반대의 전하를 띤 고분자 전해질의 정전기적 특징을 이해하고, 고분자 전해질 다이오드의 메커니즘을 연구하였다. 고분자 전해질과 서로 반대의 전하를 띤 이온들의 모델은 전하를 띤 free-jointed hard chain과 hard sphere을 이용하였다. 본 연구진은 위와 같은 시뮬레이션을 통해, 평형 상태일 때의 고분자 전해질과 이온의 분포를 연구하였으며, 이 시스템에 전압을 걸어줌에 따라 이온의 이동 모습을 관찰하였다. 또한 전압의 효과와 더불어 고분자 전해질의 농도와 이온들의 크기 변화에 대해서도 연구를 진행하였다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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• pp.45-48
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• 2005

디스플레이 모듈에서 hot plate를 이용한 이방 전도성 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film) 접합의 공정을 고출력 다이오드 레이저를 이용한 공정으로 대체하였다. 다이오드 레이저를 이용한 ACF 접합은 공정 시간을 기존보다 줄일 수 있으며 평탄도 및 응용성에 있어서 hot plate 공정보다 뛰어나다. 또한 다양한 샘플에도 지그 및 레이저광의 자유로운 변형으로 응용성이 매우 뛰어나다. 에너지 분포가 고른 선광을 이용하여 ACF 접합을 수행하였다. 레이저 에너지 밀도 $100\;W/cm^2$, 압력 20 kg, 레이저 조사시간 4초 이상에서 800 gf/cm 이상의 인장력을 얻을 수 있었고 기존의 공정 시간을 두 배 이상 단축하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2020년도 전력전자학술대회
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• pp.276-277
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• 2020

본 논문은 Full-bridge converter 2차측 다이오드의 Ringing 전압을 제거하는 방법으로 Active Snubber를 제안한다. 기존 RCD Snubber는 다이오드의 Ringing 에너지를 저항으로 소모하는 방식으로 전압 서지를 줄이는데 한계가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 Active Snubber가 제안 되었으며, Active Snubber는 다이오드의 Ringing 전압을 회생시킴으로써, 전압스트레스를 줄이고 효율을 개선하는 이점을 보여준다. 본 논문에서는 7KW Full-bridge converter에 제안하는 Active Snubber를 적용하여 그 유도성을 입증하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제5권3호
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• pp.9-24
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• 1968

초단계형(Hyperabrupt) p-n접합에서 접합용량의 인가전압에 의한 변화률이 단순물분포에 따라 변화하는 성질을 이용하여 가변용량다이오드의 최적설계방법 유도하고 표준방송수신용 라디오의 동조용 가변용량실리콘 다이오드를 설계하였고 이다이오드의 제작방법에 관하여 연구하였다. 이때 도너 및 액셉터 불순물로서는 안치모니 및 알루미늅을 진공증착한 후 고온확산로에 넣어 처리하므로서 원하는 분포를 얻으려 하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.738-740
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• 2002

마그네트 보호회로는 초전도 마그네트 제작에 반드시 필요한 부분이다. 초전도 마그네트에 치가 발생하였을 때, 보호회로는 빠른 사고전류의 소비를 유도하여 마그네트를 보호할 뿐 아니라, HTC current lead를 보호하는 역할을 하게 된다. 여러 가지 타입의 보호회로 중 다이오드를 이용한 보호회로를 제작하기 위하여, 다이오드에 대한 예비실험을 수행하였다. 실험값을 근거로 결정된 다이오드를 이용하여 보호회로를 제작하고 이를 마그네트에 부착하여 실험하였으며, 만족할만한 결과를 얻게 되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.284-284
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• 2012

본 연구에서는 다이오드 소자의 온도 증가에 따른 C-V 특성을 분석하였다. 180 kHz 주파수 조건에서 온도는 300 K에서 450 K까지 50 K 간격으로 가변하였다. 측정 결과 reverse bias 영역에서는 커패시턴스의 온도 의존성이 없었으나, forward bias 영역에서는 온도가 증가함에 따라 동일 전압에서의 커패시턴스가 증가하였다. 이로부터 온도가 증가 할수록 소자가 반전(inversion) 상태에서 축적(accumulation) 상태로 빨리 전환함을 확인하였으며, 1/C2-V 그래프로부터 온도 증가에 따른 전위장벽(Built-in potential, Vbi) 감소를 확인하였다. 전위장벽은 0.63 V에서 0.31 V로 온도 상승에 따라 약 0.1 V씩 감소하였다. 이는 energy band diagram에서 p-type 영역과 n-type 영역의 energy band 차가 감소해 공핍층 영역의 폭이 좁아짐을 의미한다. 공핍층의 두께 감소로 다이오드 전류의 급격한 증가뿐 아니라 위에서 언급한 바와 같은 C-V 특성을 보였다. 이번 연구에서는 기존의 보편화 된 I-V 측정을 통한 다이오드 소자 분석과는 달리 온도 변화에 따른 C-V 분석을 통해 소자 내부의 전위 장벽 및 공핍층 폭 감소에 따른 소자 특성 변화를 분석하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.29-33
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• 1977

마이크로파 대역의 반도체 소자인 Impatt 혹은 Gunn 다이오드를 도피관내에서 발진 혹은 증폭소자로 사용하기 위하여는 다이오드를 도피관내에 기계적으로 지지하고, 다이오드에 DC bias를 공급하는 경로가 되는 지지봉이 필요하다. 단면이 원형인 지지봉에 고나하여 다이오드 단편에서 본 지지봉의 입력 임피이던스의 계산 방법을 소개하고 이를 X-밴드(8-12GHz)에서 실험적으로 용인하였다.