• Title/Summary/Keyword: 다이오드/다이오드 레이저

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A study on the hard surfacing Characteristics of SM45C by using Diode laser (다이오드 레이저를 이용한 SM45C의 표면경화 특성에 관한 연구)

  • Lim, Byung-Chul;Lee, Hong-Sub;Park, Sang-Heup
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.16 no.3
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    • pp.1620-1625
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    • 2015
  • In this study, a variety of industrial gears, shafts, chains, rollers, mold, etc. are widely used inautomotive steel carbon steel for machine structural SM45C typical material used for the experiments. In order to cure the surface of the test piece after the rough grinding and fine grinding was performed in order polishing. Perform the surface hardening of SM45C lacal area by using a diode laser. The output of the laser diode and the feed rate to the process variable. Micro-hardness testing, microstructure testing, scanning electron microscope testing(SEM), the heat input to the analysis. After analyzing the experiment to compare the mechanical properties of the material. When using a diode laser to assess the soundness of the surface hardening. Accordingly, the process for deriving the optimum demonstrate the feasibility.

InP/InGaP를 이용한 808 nm 대역 양자 구조 성장과 구조적 및 광학적 분석

  • Kim, Su-Yeon;Song, Jin-Dong;Lee, Eun-Hye;Han, Il-Gi;Lee, Jeong-Il;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.297-297
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    • 2011
  • 일반적으로 고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 대역인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핌용 광원, 의료 분야 등 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. 808 nm 대역의 레이저 다이오드 제작에는 현재 InGaAsP/InGaP/GaAs 및 InGaAlAs/GaAs 양자우물을 이용하여 제작되고 있으나 양자우물과 이를 둘러싸는 장벽물질간의 band-offset이 적어 효율적인 고출력 레이저 다이오드의 제작에 다소 어려움이 있기 때문에 강한 캐리어 구속 효과를 지니는 양자점 혹은 양자대쉬 구조를 사용하는 것이 고출력 레이저 다이오드를 제작할 수 있는 한 방법이다. 실험에 사용된 InP/InGaP 양자구조는 Riber사의 compact21 MBE 장치를 사용하여 성장하였으며 GaAs기판을 620-630도에서 가열하여 표면의 산화층을 제거하고 580도에서 약 100 nm 두께의 GaAs 버퍼층 및 50 nm 두께의 InGaP층을 성장하였다. 양자 구조는 MEE (migration enhanced epitaxy) 방식으로 성장되었는데, 이는 InP/InGaP 의 lattice mismatch율이 작아 양자 구조 형성이 어렵기 때문에 InP/InGaP 양자 구조 성장에 적합하다고 생각하였으며, Indium 2초, growth interuption time 10초, phosphorous 2초 그리고 growth interuption time 10초를 하나의 시퀀스로 보고, 그 시퀀스를 반복하여 양자 구조를 성장하였다. 본 실험에 사용된 P 소스는 Riber사의 KPC-250 P-valved cracker모델을 사용하였으며 InP의 성장률은 0.985${\AA}/s$이다. InP/InGaP 양자구조 성장 중에, 성장 온도, 시퀀스 수의 변화 등 다양한 조건을 변화 시켜 샘플을 성장시켰고, 양자 구조 성장을 확인하기 위하여 AFM 및 SEM을 통해 구조적 분석을 하였으며 PL 측정을 통해 광학적 분석을 진행하였다.

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A study on the lasing characteristics of diode-pumped, single-mode Nd:YVO4 green laser (다이오드 여기 Nd:YVO4 단일모드 녹색광 레이저의 출력 특성 연구)

  • 이용우;이종훈
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.14 no.3
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    • pp.292-297
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    • 2003
  • A diode-pumped single-mode Nd:YV $O_4$ green laser was developed. Frequency doubling of the laser was achieved by using an intracavity KTP generated green beam (532 nm). By comparing the diode laser spectrum with absorption spectrum of the Nd:YV $O_4$ crystal, we found optimal operating temperature of the diode laser. From output power measured for various mirror curvatures and cavity lengths, we found the optimal matching of TE $M_{00}$ mode with the pump beam gives the best efficiency. When the pump power was 1.9 W, 80 ㎽ of TE $M_{00}$ mode green beam was obtained. We tried to get a single longitudinal mode lasing as the fluctuation of the laser power was caused by the shift of longitudinal modes and the beating between the modes. We tested the intracavity etalon method and birefringent filter method for single mode operation. The etalon method resulted in the best single mode output power of 60 ㎽. The power fluctuation of the single-mode laser was reduced to 1/10 of that of the multi-mode laser.

Efficient Diode Pumped High Power Nd:YAG Laser with a Gold Coated Flow Tube (금코팅 유리관 반사체를 이용한 다이오드 여기 고출력 고효율 Nd:YAG 레이저)

  • 이종민;문희종;이종훈;한재민;이용주
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.9 no.3
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    • pp.186-190
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    • 1998
  • We fabricated a diode-side pumped high power Nd:YAG laser with a gold coated flow tube(diameter of 10mm) and three sets of 140W diode bar. The diameter of Nd:YAG rod was 6mm and its length was 130mm. We obtained 130W cw power from a linear resonator with an 11% output coupler, which corresponds to the slope efficiency of 43% and the optical efficiency of 31%. The measured beam quality factor(M$^2$) reached about 85 which is fairly large due to the large size of the rod. Thermal lensing of the rod was measured to be 5.3-7.4D/$kW_{pump}$ when the laser was operating.

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Multi-kW Fiber Laser (고출력 Fiber Laser)

  • 한유희;전창수
    • Proceedings of the KWS Conference
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    • 2004.05a
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    • pp.95-96
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    • 2004
  • 그동안 고출력 레이저에는 CO2 Laser, LPSSL, DPSSL 등이 주로 사용되어 왔다. 최근에는 Fiber Laser가 좋은 빔특성을 가지면서 10㎾이상의 고출력이 가능해 큰 주목을 받고 있다. 고출력 레이저는 매질의 냉각문제가 가장 큰 관건인데, Fiber Laser는 수백 $\mu\textrm{m}$의 지름을 가진 수십m 길이의 공진기 형태를 띠어 부피 대비 냉각면적이 가장 크다고 할 수 있다. EDFA 등 광통신을 위해 개발되었던 다이오드 레이저들이 Fiber Laser쪽으로 전용되고, Side Cladding pumping 방법의 실용화, 다이오드 페이저 펌핑 광과 광섬유사이의 커플링 방법이 개발되면서 고출력 Fiber Laser 개발이 급속히 이루어졌다. (중략)

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Design of Electrical equivalent circuit of Planar Buried Heterostructure Laser Diode (평면 매립형 레이저 다이오드의 전기적 등가회로 모델)

  • Kim Jeong-Ho;Park Dong-Kook
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.10 no.4
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    • pp.718-723
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    • 2006
  • Optical module plays an important role in the construction of high speed communication network. Laser diode is a component of optical module, and its characteristics are dependent of temperature, so many researches are reported. In this paper, we proposed the electrical equivalent circuit of PBH-LD based on the rate equations. And, the two leakage paths exit outside the active region. One path is converted pn-diode and the other path is converted two transistors using npn-Tr and pnp-Tr. In order to reduce the leakage currents, we observed the dependence of carrier concentrations of current blocking layers using PSPICE simulator.

A study on the construction and the performance evaluation of Littman type tunable diode laser system (Littman형 파장가변 다이오드 레이저 시스템의 설계.제작 및 성능평가)

  • 조재헌;박준구;백운식
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.12 no.4
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    • pp.257-262
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    • 2001
  • A Littman type tunable external-cavity diode laser system was developed. The laser output which is the Oth-order diffracted beam from a diffraction grating in an external cavity is a single longitudinal mode. Its FWHM was measured as less than 9 MHz. With the diode driving current of 140 mA and operating temperature of $25^{\circ}C$, the coarse tuning range of 3.475 urn was measured. A fine tuning experiment in which an external mirror was rotated by a PZT driven by a sawtooth wave was performed, and its tuning range of 0.042 urn was measured. sured.

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Design of a Focusing Optical System (집속광학계의 설계)

  • 이동희
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.220-221
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    • 2000
  • 본 연구에서 목표로 하는 집속광학계는 레이저 다이오드의 emitting area가 50$mu extrm{m}$$\times$1.0$\mu\textrm{m}$ 이고 pumping 매질인 crystal의 TE $M_{00}$ mode 발생을 위한 최소 입사빔의 단면도가 단축과 장축의 직경이 각각 206$\mu\textrm{m}$, 204$\mu\textrm{m}$인 타원이어야 하기 때문에 수직 방향으로는 200배 수평 방향으로는 4배의 확대를 할 수 있는 광학계 이어야 한다. 일반적으로 레이저 다이오드용 집속광학계는 레이저다이오드의 수직 수평 emitting area가 다르기 때문에 실린더형, 원통형 또는 toroidal형의 렌즈를 조합하여 구성한다. 그러나 우리의 경우는 emitting area의 수직 수평비 즉 집속광학계의 수직 수평의 굴절능( power )의 비가 50:1 이어야 하기 때문에 그림1과 같은 일반적인 실린더형, 원통형 또는 toroidal형의 렌즈의 조합으로 집속광학계를 구성하기에는, 렌즈 power비를 50:1로 하기 위해 필요로 하는 공간이( 첫번 렌즈와 마지막 렌즈까지의 거리 ) 커지는 점, 필요로 하는 렌즈의 매수가 많아지는 점, 집속 beam의 형상 즉 단면의 이심률이 커져서 pumping에 비효율적이라는 점 등에서, 부적절하다. (중략)략)

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Measurement of Oxygen Isotope Ratio in Water Vapor by using Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy(TDLAS) - II (다이오드레이저 흡수분광법을 이용한 수증기의 산소 동위원소 성분비 측정 - II)

  • Jung, Do-Young;Park, Sang-Eon;Kim, Jae-Woo;Ko, Kwang-Hoon;Im, Kwon;Jung, Eui-Chang;Kim, Chul-Joong
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2003.02a
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    • pp.202-203
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    • 2003
  • 여러 가지 원소의 동위원소 성분 분석은 생물학, 화학, 환경학, 연대학, 기후학 연구에 있어서 중요한 정보를 제공하는 유용한 수단이다. 동위원소 성분비를 측정하는 방법으로는 가스 동위원소 질량분석기를 이용한 방법이 사용되어 왔지만, 최근 다이오드 레이저의 발달과 함께 다이오드레이저 흡수분광법(TDLAS)이 개발되어 사용되고 있다. TDLAS 방법의 경우 질량분석기를 이용하는 방법에서는 측정이 불가능한 동일질량 분자의 동위원소 성분비를 측정할 수 있다. (중략)

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AIGaInAs Seletive Area Growth using MOCVD for Spot Size Converter Laser Diode (Spot Size Converter 레이저 다이오드 제작을 위한 AIGaInAs 선택적 영역 성장)

  • 방영철;김현수;김준연;이은화;이중기;김태진;박성수;황선령;강중구
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2003.07a
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    • pp.92-93
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    • 2003
  • 초고속 광전송 네트워크에 사용되는 광부품으로 단일 모드 광섬유와의 낮은 광 결합 손실을 가지는 레이저 다이오드 개발이 필수적이다. 이러한 레이저 다이오드의 요구되는 특성으로써 저가의 광부품 제작을 위해 thermoelectric cooler 없이 고온에서 안정된 동작을 하는 uncooled type에, 광 isolator 도움없이 광반사에 의한 광손실을 줄여야 한다. 이러한 요건을 충족시키기 위하여 선택적 영역 MOCVD성장을 이용한 InP/InGaAsP 계열의 SSC-LD(spot-size converter integrated LD)를 연구하여 왔다. (중략)

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