• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.5
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• pp.17-17
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• 2001

고유전 (Ba, Sr)TiO₃ (BST) 박막을 이용한 DRAM storage capacitor의 저전계 영역에서의 전하손실을 발생시키는 커패시터의 누설전류는 유전완화전류와 진성 누설전류로 이루진다고 알려져 있다. 특히, 기가급 DRAM의 동작 전압(~IV)에서 유전완화전류가 진성 누설전류에 비해 훨씬 크기 때문에 이에 대한 심도 있는 연구가 필요하다. 본 연구에서는 thermally stimulated current (TSC) 측정법을 BST 박막에 처음으로 적용하여 트랩의 에너지 level 및 공정변화에 따른 트랩 밀도의 상대적 평가를 하였다. 그리고, 기존에 사용되던 전류-전압(I-V) 측정이나 전류-시간(I-t) 측정과 비교 및 분석함으로써 유전완화 전류의 원인을 규명하고 TSC 측정법의 신뢰성을 살펴보았다. 먼저 안정적인 TSC 측정을 위해 전계, 시간, 온도 및 승온속도에 따른 polarization condition을 알아보았다 이 조건을 이용한 TSC 측정으로부터 BST 박막에서의 트랩의 energy level이 0.20(±0.01) eV와 0.45(±0.02) eV임을 알 수 있었다. Rapid thermal annealing (RTA)을 이용한 후속 열처리에 따른 TSC 측정을 통하여 이 트랩들이 산소결핍(oxygen vacancy)에 기인함을 확인할 수 있었다. MIM BST 커패시터의 열처리에 대한 TSC 특성은 전류-전압(I-V) 및 전류-시간(I-t) 특성과 같은 경향성을 보인다. 이것은 TSC 측정이 BST 박막내의 트랩을 평가하는데 있어서 매우 효과적인 방법이라는 것을 보여준다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.34 no.8
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• pp.803-810
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• 1997

Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films were deposited by RF magnetron sputliring method in order to clarify the anneal condition and doping effect on loakage current Nb and Al were selected as electron donor and acceptor dopants respectively, in the BST films because they have been known to have nearly same ionic radii as Ti and thought to substitute Ti sites to influence the charge carrier and the acceptor state adjacent to the gram boundary. BST thin films prepared in-situ at elevated temperature showed selatively high leakage current density and low breakdown voltage. In order to achieve smooth surface and to improve electrical properties, BST thin films were deposited at room temperature and annealed at elevated temperature. Post-annealed BST thin films showed smoother surface morphology and lower leakage current density than in-situ prepared thin films. The leakage current density of Al doped thin films was measured to be around 10-8A/cm2, which is much lower than those of undoped and Nb doped BST films. The result clearly demonstrates that higher Schottky barrier and lower mobile charge carrier concentration achieved by annealing in the oxygen atmosphere and by Al doping are desirable for reducing leakage current density in BST thin films.

• Journal of the Korean Society of Safety
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• v.25 no.6
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• pp.75-80
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• 2010

The present study presented the implementation of a remote control/supervision system for guard lamps used in public illumination with little endeavor by far for safe management, which makes possible to supervise the state and to control the functions remotely including electric safety elements. Especially, the developed system adopts the measurement algorithm for detecting resistive leakage current(Igr) flowing based on the phase difference checkable for sensing at a monitor, being allowable for monitoring at MMI and transmitter for data transmittance. To verify reliability about the algorithm to accurately detect Igr leakage current, the laboratory-based functional test was performed.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.10a
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• pp.18-21
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• 2006

유기 반도체로서 트랜지스터에 사용되기 위해서 유기절연막은 $SiO_2$ 표면을 유기물로 처리하여 $SiO_2$ 박막 표면의 화학적 특성을 변화시키고 절연특성을 개선 함으로서 단위 소자의 특성을 개선시키고 있다. 그래서 $SiO_2$ 표면 위에 OTS를 처리하여 누설전류를 측정하였다. OTS처리함량에 따라서 누설전류가 흐르는 경향성은 다르게 나타났으며, 0.2% 처리된 박막에서 누설전류는 가장 적게 나타났다.

• 전기의세계
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• v.12
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• pp.12-23
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• 1963

전력연구소 전식연구실에서는 상기 지구의 전식작용이 예상되는 10여개점에서 예비조사를 한 결과 상수도관이 전식작용을 받고 있음을 확인하고, 순화동지구의 상수도관의 전식작용 실태조사에 착수하게 되었다. 지중 매설금속체의 부식에는 누설전류에 의한것 외에도 전기화학작용에 의한것 화학반응에 의한것, 물리적 작용에 상반되는것 등이 있다. 누설전류에 의한 것은, 실제의 경우, 전철이 궤조로 부터의 누설전류는 전해질로서 볼 수 있는 토야을 매체로 하여, 이것보다 저항이 적은 매설금속체에 유입하여, 변전소 근처에서 이것으로부터 유출 귀류한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1476-1477
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• 2007

동일한 오손환경에서 자기재, EPDM, 실리콘 alloy 등의 현수애자에 흐르는 누설전류 변화를 관찰하여 오손과의 상관성을 규명하였다. 고창실증시험장에 신품과 경년품의 배전설비를 전주와 동일한 높이의 구조물에 설치하여 2006년 5월1일부터 11일 1일까지 약 6개월 동안의 누설전류를 측정하여 분석하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.07a
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• pp.53-54
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• 2013

디지털 제품의 사용 증가로 직류를 사용하는 부하가 급증하고, 태양광발전 등 직류발전의 보급이 확대 되며 직류배전에 대한 관심이 높아지고 있다. 기존 영상변류기(ZCT; Zero phase sequence Current Transformer)를 사용하여 누설전류를 감지하는 교류배전용 차단기는 영상변류기의 특성상 직류에서 적용이 불가능하다. 이에 따라 직류배전에서 누설전류에 의한 사고를 방지하기 위해서 누설전류를 검출하고 차단할 수 있는 장치 개발이 필요하다. 본 논문에서는 직류에서 검출에 문제가 없는 Fluxgate current transducer를 이용하여 직류배전에서 사용 가능한 검출기를 개발하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.23 no.10
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• pp.81-89
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• 2009

Recently, Guard lamp was divided from electric facilities for general use as dangerous zone of safety management. This paper presents a remote inspection system of guard lamp that can monitor electrical safety factor. Especially, the developed system adopts the measurement algorithm for detecting resistive leakage current($I_{gr}$) flowing based on the phase difference checkable for sensing at a monitor. Also, It was fabricated the repeater for data transmission and the MMI program At this system, we made experiment on stability of resistive leakage current to verify phase comparison detecting algorism.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.15 no.12
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• pp.7283-7286
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• 2014

SiOC films were prepared as insulators for displays by sputtering at low temperatures, and the relationship with the electrical properties waaas examined. The electrical properties of SiOC films were affected by the annealing process, and SiOC films annealed at 100oC showed a significant increase in thickness and a decrease in the reflective index. XRD revealed an increase in the degree of the amorphous structure. Moreover, the capacitance and leakage current of the SiOC films annealed at 100oC decreased. These characteristics of SiOC films highlight their potential as ideal insulators. Amorphous SiOC films by the reduction of polarization are dependent on the elongation effect of the bonding lengths in the structure and the thickness. The properties of these SiOC films are suitable for low temperature displays.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.24 no.5
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• pp.106-113
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• 2010

If leakage current is neglected, it can become a cause for disasters such as electric shock and fire, therefore a continuous monitoring is necessary. However in most cases, because management of substations is performed by unmanned systems, or walk-around inspections, continuous monitor is difficult. So when an accident occurs and the cause is not immediately resolved causing the emergency generator's OCGR getting activated by the leakage current that in turn cut off the ACB, the emergency generator may stop working. To prevent such a problem, a real-time integrated monitoring system for monitoring the leakage current returning to the grounding wire of neutral point of the low voltage side of transformer is proposed. Therefore in this paper, the effects of flow of leakage current, which is caused by insulation degradation phenomena or insulation destroy phenomena, were identified by simulation. And through cases studies; the excellence of integrated monitoring system was verified.