• 제목/요약/키워드: 노드불순도

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다변량 목표변수를 갖는 의사결정나무의 노드분리에 관한 연구 (A Study on the Node Split in Decision Tree with Multivariate Target Variables)

  • 김성준
    • 한국지능시스템학회논문지
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    • 제13권4호
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    • pp.386-390
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    • 2003
  • 데이터마이닝은 많은 양의 데이터로부터 의사결정에 유용한 패턴을 발견하는 과정으로서 최근 경영 및 공학 분야의 폭넓은 영역에서 많은 관심을 모으고 있다. 어떤 그룹을 여러 하위그룹으로 분류해내는 일은 데이터마이닝의 주요 내용 중 하나이다. 의사결정나무로 알려진 트리기반 기법은 그러한 분류모형을 수립하는 데 효율적인 방안을 제공한다 트리학습에 있어서 우선적인 관건은 목표변수에 의해 측정되는 노드불순도를 최소화하는 것이다. 하지만 공정관측, 마케팅과학, 임상분석 등과 같은 문제에서는 여러 목표변수를 동시에 고려해야 하는 상황이 쉽게 등장하는 데, 본 논문의 목적은 이처럼 다변량 목표변수를 갖는 데이터셋에서 활용할 수 있는 노드불순도 측정방안을 제시하는 데 있다. 아울러 수치 예를 이용하여 적용결과에 대해 논의한다.

회귀의사결정나무에서의 관심노드 찾는 분류 기준법 (Interesting Node Finding Criteria for Regression Trees)

  • 이영섭
    • 응용통계연구
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    • 제16권1호
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    • pp.45-53
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    • 2003
  • 의사결정나무 분석 기법 중 하나인 회귀의사결정나무는 연속적인 반응변수를 예측할 때 사용된다. 나무 구조를 형성할 때, 전통적인 분류 기준법은 왼쪽과 오른쪽 자식노드의 불순도를 결합하여 이루어진다. 그러나 본 논문에서 제안하는 새로운 분류 기준법은 관심있는 한쪽만 선택하고 다른 나머지 자식노드는 큰 관심이 없어 무시함으로써 더 이상 결합하여 구하는 것이 아니다. 따라서 나무 구조는 불균형적일 수 있으나 이해하기가 쉽다. 즉, 관심있는 부분집합을 가능한 한 빨리 찾음으로써 단지 몇 개의 조건으로 쉽게 표현할 수 있으며, 정확도는 다소 떨어지지만 설명력은 아주 높다.

FCM을 적용한 결함심각도 기반 앙상블 모델 (Defect Severity-based Ensemble Model using FCM)

  • 이나영;권기태
    • 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지
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    • 제22권12호
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    • pp.681-686
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    • 2016
  • 소프트웨어 결함 예측은 프로젝트의 효율적인 관리와 성공에 있어 중요한 요소이다. 이 결함은 심각도에 따라 프로젝트에 영향을 미치는 정도가 다르다. 그러나 기존 연구는 결함 유무만 관심을 두고 심각도를 고려하지 않는다. 본 논문에서는 소프트웨어 관리 효율과 품질 향상을 위해 FCM을 적용한 결함 심각도 기반 앙상블 모델을 제안한다. 제안된 모델은 FCM으로 NASA PC4의 결함심각도를 재분류한다. 그리고 RF(Random Forest)로 심각도에 영향을 주는 입력 column을 선별하여 데이터 핵심 결함 요인을 추출한다. 또한 10-fold 교차검증으로 파라미터를 변경해 모델 성능을 평가한다. 실험 결과는 다음과 같다. 첫째, 결함심각도가 58,40,80에서 30,20,128로 재분류되었다. 둘째, 심각도에 영향을 주는 중요한 입력 column은 정확도와 노드 불순도 측면에서 BRANCH_COUNT였다. 셋째, 성능평가는 트리수가 작고 고려할 변수가 많을수록 좋은 성능을 보였다.

문턱전압 조절 이온주입에 따른 MCT (MOS Controlled Thyristor)의 스위칭 특성 연구 (Effects of Vth adjustment ion implantation on Switching Characteristics of MCT(MOS Controlled Thyristor))

  • 박건식;조두형;원종일;곽창섭
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권5호
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    • pp.69-76
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    • 2016
  • MCT (MOS Controlled Thyristor)의 전류 구동능력은 도통상태의 MCT를 턴-오프 시킬 수 있는 능력, 즉 off-FET의 성능에 의해 결정되고, MCT의 주된 응용분야인 펄스파워 분야에서는 턴-온 시의 피크전류($I_{peak}$)와 전류상승기울기(di/dt) 특성이 매우 중요하다. 이러한 요구사항을 만족시키기 위해서는 MCT의 on/off-FET 성능 조절이 중요하지만, 깊은 접합의 P-웰과 N-웰을 형성하기 위한 삼중 확산공정과 다수의 산화막 성장공정은 이온주입 불순물의 표면농도를 변화시키고 on/off-FET의 문턱전압($V_{th}$) 조절을 어렵게 한다. 본 논문에서는 on/off-FET의 $V_{th}$를 개선하기 위한 채널영역 문턱전압 이온주입에 대하여 시뮬레이션을 진행하고 이를 토대로 제작한 MCT의 전기적 특성을 비교 평가하였다. 그 결과 문턱전압 이온주입을 진행한 MCT의 경우(활성영역=$0.465mm^2$) $100A/cm^2$ 전류밀도에서의 전압손실($V_F$)은 1.25V, 800V의 어노드 전압에서 $I_{peak}$ 및 di/dt는 290A와 $5.8kA/{\mu}s$로 문턱전압 이온주입을 진행하지 않은 경우와 유사한 특성을 나타낸 반면, $100A/cm^2$의 구동전류에 대한 턴-오프 게이트전압은 -3.5V에서 -1.6V로 감소하여 MCT의 전류 구동능력을 향상시킴을 확인하였다.