• Title/Summary/Keyword: 노광 공정

Search Result 93, Processing Time 0.026 seconds

Characterization of polymer surface of LCD blue color filters using SIMS, XPS and AFM (SIMS, XPS, AFM을 이용한 LCD blue color filter의 고분자 표면 연구)

  • 김승희;김태형;이상호;이종완
    • Journal of the Korean Vacuum Society
    • /
    • v.6 no.4
    • /
    • pp.321-325
    • /
    • 1997
  • Recently, photosensitive color filters have received much attention for their use in the liquid crystal display (LCD) industry. It is well known that chemical and physical properties of polymer surfaces can be modified by special surface treatments. In this work, we have studied the polymer surfaces of LCD blue color filters which were exposed to the UV light during photolithography. A better understanding of the irradiated polymer surfaces is required for the subsequent processes such as plasma etching, ITO electrode deposition, etc. The surface analysis has been undertaken using secondary ion mass spectrometry (SIMS), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and atomic force microscopy (AFM). A significant enrichment of the pigment component and roughening of surface with bubble-like feature have been observed at the modified polymer surface.

  • PDF

반도체 및 Optic Industries 클린룸 배기가스의 오염제어 및 청정화기술

  • 황유성
    • Air Cleaning Technology
    • /
    • v.17 no.4 s.67
    • /
    • pp.39-57
    • /
    • 2004
  • 첨단산업으로 불리는 반도체, LCD, PDP, 유기EL(OLED) 등의 생산 공정은 고도의 청정상태를 요구하며, 때문에 이들의 생산공정 중 대부분이 클린룸 내에서 이루어진다. 클린룸 내에서의 주요공정은 크게 박막형성(Layering), 노광(Photo Lithography), 식각(Etching) 등 3가지 공정으로 나눌 수 있으며, 반도체 제조공정의 경우 특별히 도핑(Doping) 공정이 추가된다. 오염물질을 함유하는 클린룸 배기는 일반적으로 산, 알칼리, Toxic(PFCs, Flammable), VOC 등으로 분류하며, 각각의 배기는 각 배기특성에 맞는 오염제어 장치를 통해, 정화된 후, 대기로 방출된다. 산, 알칼리 배기는 일반적으로 최종 단계에서 중앙집중식 습식스크러버에 의해 흡수, 중화 처리되며, VOC의 경우 농축기(Concentrator) & 축열식 열 산화장치(RTO) 설비에 의해 연소 처리된다. 하지만 CVD공정으로부터의 배기가 주를 이루는 Toxic배기의 경우, 다량의 PFCs(과불소화합물) 가스를 함유하고 있는 이유로, 대부분 클린룸 내부에 P.O.U(Point of use) 처리장치가 설치되며, P.O.U에 의해 1차 처리된 후 최종적으로 중앙집중식 습식스크러버를 거쳐 대기로 방출된다. 알칼리배기의 주성분으로는 암모니아($NH_3$), HMDS (Hexa Methyl DiSilazane), TMAH (Tetra Methyl Ammonium Hydroxide), LGL, CD 등이며 흡수액에 황산(Sulfuric Acid)용액을 공급, 중화처리하고 있다. 탄소성분을 먹이로 하는 미생물의 번식에 의한 막힘 문제를 제외하고는 큰 문제가 없다. 하지만 Toxic배기 및 산배기의 경우 처리효율이, 가스흡수 이론에 의한 계산결과와 비교할 때, 매우 저조하게 나타나는 효율부족 현상을 겪고 있으며, 이는 잔여 PFCs 가스성분 및 반응에어로졸, 응축에어로졸 등의 영향으로 추정하고 있다. 최근 Toxic 배기의 경우, P.O.U 설비를 Burn & Wet type으로 변경하여, 배기 중 PFCs 및 반응에 에어로졸($SiO_2$)의 농도를 원천적으로 감소시키는 노력이 진행 중이다. 산배기의 경우, 산결로 현상에 의한, 응축에어로졸이 문제가 되고 있으나 내식열교환기(Anti-Corrosive Heat Exchanger), 하전액적스크러버 시스템(Charged Droplets Scrubber System), Wet ESP(Wet Electrostatic Procipitator) 등의 도입을 통해 문제해결을 위한 노력을 경주하고 있다.

  • PDF

Development of Electron-Beam Lithography Process Simulation Tool of the T-shaped Gate Formation for the Manufacturing and Development of the Millimeter-wave HEMT Devices (밀리미터파용 HEMT 소자 개발 및 제작을 위한 T-게이트 형성 전자빔 리소그래피 공정 모의 실험기 개발)

  • 손명식;김성찬;신동훈;이진구;황호정
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
    • /
    • v.41 no.5
    • /
    • pp.23-36
    • /
    • 2004
  • A computationally efficient and accurate Monte Carlo (MC) simulator of electron beam lithography process has been developed for sub-0.l${\mu}{\textrm}{m}$ T-shaped gate formation in the HEMT devices for millimeter-wave frequencies. For the exposure process by electron to we newly and efficiently modeled the inner-shell electron scattering and its discrete energy loss with an incident electron for multi-layer resists and heterogeneous multi-layer targets in the MC simulation. In order to form the T-gate shape in resist layers, we usually use the different developer for each resist layer to obtain good reproducibility in the fabrication of HEMT devices. To model accurately the real fabrication process of electron beam lithography, we have applied the different developers in trilayer resist system By using this model we have simulated and analyzed 0.l${\mu}{\textrm}{m}$ T-gate fabrication process in the HEMT devices, and showed our simulation results with the SEM observations of the T-shaped gate process.

Fabrication of Polymer Thin Films on Solid Substrates (고체 기판에 고분자 박막의 고정화)

  • Kim, Min Sung;Jeong, Yeon Tae
    • Applied Chemistry for Engineering
    • /
    • v.21 no.2
    • /
    • pp.200-204
    • /
    • 2010
  • Surface properties are important for determining the functions and uses of materials. So modification of materials with polymer thin films has emerged as an important method to control the physical and chemical properties of the surface layer. We report a simple and effective method to photochemically attach thin polymeric layers to solid surface without chemical derivatization of the substrate and/or the polymer. The system is based on a photoreactive poly(4-vinylpyridine) (P4VP) thin film which is formed on the $SiO_{2}$ surface via spin coating. This substrate is then covered with another polymer film that is reacted with the benzyl radical moieties by UV irradiation. As a result of photochemical reaction, a thin layer of the later polymer is covalently bound to the surface of P4VP. Unbounded polymer is removed by sonication. The thickness of the attached film is a function of the irradiation time and the molecular weight of the polymer. Spatially defined polymer thin films can be fabricated by way of photolithography.

란타넘족 이온을 이용한 가시광선 대역에서의 산화그래핀 광환원

  • O, Ae-Ri;Yu, Gwang-Wi;Park, Jin-Hong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2015.08a
    • /
    • pp.202.1-202.1
    • /
    • 2015
  • 탄소의 $sp^2$ 혼성으로 이루어진 2차원 단일시트(two-dimensional single sheet)인 그래핀은 기계적, 열역학적, 전기적 특성이 매우 우수하며 특히 고유연성과 투명성을 가진다는 장점 때문에 오랜 기간 주목 받으며 다양한 분야에서 연구되어 왔다. 이러한 그래핀을 만드는 방법에는 화학적 증기 증착법 및 흑연으로부터의 물리적, 화학적 박리 방법이 있다. 양질의 그래핀을 대면적에서 획득 할 수 있는 화학적 증기 증착법의 경우 높은 공정 비용과 함께 수반되어야 하는 전사과정의 어려움으로 인하여 실제 상용화에 어려움이 있다. 이러한 단점의 극복을 위해 대량의 그래핀을 저렴하게 확보 할 수 있는 화학적 박리 방법이 주목을 받고 있다. 화학적 박리 방법의 경우 박리 과정에서 수반되는 산화 그래핀의 환원과정이 필요하였으며, 이를 위해 강력한 환원제를 이용한 화학적 환원 방법, 고온에서의 열처리를 이용한 열역학적 환원 방법, 및 빛을 노광시켜 산화 그래핀을 환원시키는 광학적 방법이 시도되었다. 화학적 및 열역학적 환원방법의 경우 고품질의 환원된 산화 그래핀을 획득 할 수 있으나, 강한 환원제 및 높은 열처리 온도로 인하여 유연 기판의 사용이 제한되는 단점이 있다. 이러한 단점을 극복하기 위해 빛을 이용한 광학적 방법이 제시되었으나, 환원과정에 사용되는 단파장의 자외선 광원의 높은 가격으로 인하여 경제성의 확보가 제한된다. 본 논문에서는 우수한 광학적 특성을 보이는 란타넘족 이온을 사용하여 선택적 파장 대에서 높은 광흡수도를 가지는 산화 그래핀-란타넘 이온 혼합용액을 만들었으며, 가시광선대역의 파장을 가지는 레이저를 사용하여 우수한 품질을 가지는 환원된 산화 그래핀을 제작하였다. 구체적으로 산화 그래핀은 modified hummer's method를 이용하여 만들어졌으며, 자외선 대역을 흡수하는 $Gd_{3+}$, 녹색 레이저를 흡수하는 $Tb_{3+}$, 적색 레이저를 흡수하는 $Eu^{3+}$를 1 mM 섞어주었다. 그 후, 300~800 nm의 파장을 가지는 레이저를 $1mW/cm^2$를 노광시켜 산화 그래핀을 환원시켰다. 환원된 산화 그래핀의 특성은 FT-IR, UV-Vis, 저온 PL, SEM, XPS 및 전기측정을 이용해 측정하여 재현성 및 반복성을 확인하였다.

  • PDF

Low Temperature Sintering Process of Sol-gel Derived Ferroelectric Sr0.9Bi2.1Ta1.8Nb0.2O9 Thin films (Sol-gel 법으로 제조된 강유전체 Sr0.9Bi2.1Ta1.8Nb0.2O9 박막의 저온결정화 공정)

  • 김영준;김병호
    • Journal of the Korean Ceramic Society
    • /
    • v.40 no.3
    • /
    • pp.279-285
    • /
    • 2003
  • Ferroelectric S $r_{0.9}$B $i_{2.1}$T $a_{1.8}$N $b_{0.2}$ thin films with 200 nm thicknesses were deposited on Pt/Ti $O_2$/ $SiO_2$/Si Substrates by a sol-gel method. In these experiments, Sr(O $C_2$ $H_{5}$)$_2$, Bi(TMHD)$_3$, Ta(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$ and Nb(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$ were used as precursors, which were dissolved in 2-methoxyethanol. After UV-irradiation and RTA processes, the remanent polarization value (2 $P_{r}$) of SBTN thin films with annealed at $650^{\circ}C$ was 8.49 and 11.94 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ at 3 V and 5 V, respectively.

Study on the Etching Characteristics of $0.2\mu\textrm{m}$ fine Pattern of Ta Thin film for Next Generation Lithography Mask (차세대 노광공정용 Ta박막의 $0.2\mu\textrm{m}$ 미세패턴 식각특성 연구)

  • Woo, Sang-Gyun;Kim, Sang-Hoon;Ju, Sup-Youl;Ahn, Jin-Ho
    • Korean Journal of Materials Research
    • /
    • v.10 no.12
    • /
    • pp.819-824
    • /
    • 2000
  • In this research, the etching characteristics of Ta thin film with chlorine plsama have been studied by Electron Cyclotron Resonance (ECR) plasma etching system. The effects of microwave power, RF bias power, working pressure and gas chemistry on the etching profiles have been investigated. The microloading effect, which was observed at fine pattern formation, was effectively suppressed by double step etching, and anisotropic $0.2{\mu\textrm{m}}$ L&S patterns were successfully generated.

  • PDF

Study on the Evaluation for the Property of Mo-Si Multilayers (Mo/Si 다층박막의 특성 평가에 관한 연구)

  • 허성민;김형준;이동현;이승윤;이영태
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
    • /
    • v.8 no.2
    • /
    • pp.15-18
    • /
    • 2001
  • The Mo/si multilayer for EUV lithography was deposited using magnetron sputtering system. The multilayers were characterized using the cross-sectional transmission electron microscope (TEM) and low/high angle X-ray diffraction (XRD). The microstructure of Mo and Si was highly textured structure and amorphous, respectively. The well-defined low angle XRD peaks implies a well-defined multilayer structure. The interfacial layer of Mo-on-Si was thicker than Si-on-Mo interfacial layer.

  • PDF

Fabrication of Microlens Array Using Photoresist Thermal Reflow (Photoresist Thermal Reflow를 이용한 Microlens Array 제작)

  • Hwang, Sung-Ki;Baek, Sang-Hoon;Kwon, Jin-Hyuk;Park, Yi-Soon
    • Korean Journal of Optics and Photonics
    • /
    • v.20 no.2
    • /
    • pp.118-122
    • /
    • 2009
  • An optical sheet with microlens array (MLA) is designed and fabricated as a substitute for the prism sheets of LCD backlight. Using photoresist thermal reflow, MLAs were fabricated on PET film with thickness of $100{\mu}m$, and we measured the change of MLA profile in terms of exposure time, reflow temperature and reflow time.

Study on Fabrication of Micro-Optical Elements using UV-Curable Optical Adhesive (UV 처리 광학 접착제를 이용한 마이크로 광소자의 제작과 그 응용에 대한 연구)

  • Lee, Hyeon-Haeng;Hong, Jun-Hui;Kim, Jae-Hun;Choe, Ho;Kim, Do-Hyeong;Park, Si-Hyeon;Park, Jong-Rak;Kim, Hyeon-Su;Kim, Jin-Tae;Mu, Yeong;Park, Ok-Ran;Jo, Hun;Jeong, Tak
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
    • /
    • 2007.02a
    • /
    • pp.199-200
    • /
    • 2007
  • UV 처리 광학 접착제를 가지고 단일 포토리소그라피 공정을 사용하여 마이크로 렌즈를 제작하였다. 먼저 유리판 위에 자외선 처리 광학 접착제를 코팅 한 후 UV 노광하고 아세톤에서 현상 후 핫플레이트에서 유리전이 온도 이상에서 열적 재흐름이 일어나도록 하여 마이크로 렌즈를 만드는데 성공하였다 이를 실제 LED 소자 위에서 마이크로 렌즈를 만들어 보고 LED의 외부 추출 효율이 높아지는지를 실험하였다. 또한 기존의 UV 처리 광학 접착제에 나노 입자을 첨가하여 굴절률을 더 높여 마이크로 렌즈를 만드는 실험을 하였다.

  • PDF