• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.10a
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• pp.120-125
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• 2006

본 연구에서는 기존의 레이저 변위센서 대신 접촉형 변위센서를 이용하여 마스크-기판간 갭 간격 및 평형 조절 장치를 구현함으로써 기판의 표면 상태에 관계없이 정확한 마스크-기판간 갭의 조정, 평형 유지가 가능하도록 하였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.02a
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• pp.88-89
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• 2001

작은 영역에서 고정밀도의 가공과 측정을 필요로 했던 과거와는 달리 점점 그 영역은 확대되고 있고 정밀도 또한 그에 못지 않게 높은 사양을 요구하고 있다. 노광 장비를 구성하는 많은 광학 렌즈와 미러의 경우 웨이퍼의 크기가 커지면서 영역은 넓어지고 광원의 파장이 짧아지면서 요구되는 형상오차가 더욱 엄밀해지고 있다. 인공위성에 설치되는 우주망원경의 렌즈와 미러도 그 영역이 갈수록 커지고 높은 형상 정밀도를 필요로 한다. (중략)

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2003.12a
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• pp.82-85
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• 2003

MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 응용 분야에 있어서 RF나 Optic등에 응용되는 금속 구조물이나 배선을 위한 도금, 두꺼운 구조물의 식각등을 위해서 수십 um두께의 감광막이 필요하다. 특히 이러한 감광막은 도금을 위한 전단계에서 몰드 형성에 이용되는데 그 이유는 제작이 용이할 뿐만 아니라 다양한 두께 형성이 가능하고 금속과의 선택적 제거가 쉬운 장점이 있다. 감광막 몰드가 갖추어야 할 조건으로는 수직에 가까운 측면 기울기, 두께, 도금액에 대찬 저항성을 들 수 있으며 그 중에서 측면 기울기 개선에 관한 연구가 많이 진행되고 있다. 본 논문에서는 감광막의 형상에 영향을 주는 요인을 찾아내고 수식모델링을 통해 측면 기울기를 예측하고자 한다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.185-189
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• 2002

Mignetron sputter 장비를 이용하여 극자외선 노광공정용 Mo/Si 다층박막을 증착하였다. 증착 시편과 동일한 조건에서 수행된 시뮬레이션과 측정된 반사도 값을 비교하였고, d-spacing, 밀도, interface layer, 입사각 둥이 반사도에 어떠한 영향을 미치는지에 대하여 고찰하였다. 또한 측정된 반사도 그래프에 근접한 조건을 조사하였다. 이를 통하여 Mo/Si 다층박막의 반사도에 영향을 미치는 인자들과 그 영향에 대하여 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.92-92
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• 2008

PDP의 저가화, 친환경화, 고화질화는 타 디스플레이와 경쟁을 위해 필수적이고 그로 인한 소재의 개발이 필요하다. 저가화는 부품, 공정에서도 가능하지만 소재에서의 원가가 상당부분을 차지하고 있기 때문에 소재 개발이 중요하며, 친환경화는 현재 유전체에서 많이 사용되고 있는 유해소재를 친환경 소재로 대체함으로써 개발이 이루어지고 있다. 그래서 우리는 현재 PDP에서 전극물질로 사용되어지는 고가의 Ag를 Gu입자에 Ag 박막으로 코팅한 Ag/Cu 전극 powder를 사용하여 저가의 전극 paste를 만들고 스크린 프린터와 노광장비를 사용하여 전극을 형성하였다. 그 후 친환경적인 Pb free 투명유전체를 입히고 전극과의 상호 매칭성을 연구 하였다. 결과적으로 기존 PDP 공정에서 볼 수 없었던 황변현상, 전극착색현상, 전극입자의 터짐성 등 많은 현상이 일어났지만, 기존 공정 온도보다 낮은 온도로 공정한 결과, 이러한 문제들이 줄어드는 것을 확인하였다. 이로써 공정단가의 저가화와 제품의 친환경을 가면서도 기존과 차이가 제품을 실현할 수 있을 것이다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.58.1-58.1
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• 2009

나노 임프린트 리소그래피 기술은 기존의 노광 장비를 이용하는 기존의 리소그래피 공정에 비해 저렴한 공정으로 대면적 패터닝이 가능한 차세대 리소그래피 기술이다. 나노 임프린트 리소그래피는 기존의 나노 리소그래피 기술과는 다르게 기능성 무기물 물질을 직접 패터닝 할 수 있는 기술이다. 본 연구에서는 $TiO_2$ 나노 패턴을 를 기존의 증착, 리소그래피, 식각 등의 공정을 거치지 않고, sol-gel법과 나노 임프린트 리소그래피를 이용하여 직접 전사하는 기술에 대해 연구 하였다. 본 연구에서는 Tetrabutylorthotitanate를 precusor로 하는 ethanol 기반의 $TiO_2$ sol을 제작하여 이용하였다. PDMS mold를 임프린팅용 몰드로 사용하였으며, 이러한 PDMS mold는 노광 기술과 반응성 이온 식각을 이용하여 제작된 master mold로 부터 복제되었다. 제작된 sol을 Si wafer에 spin coating하여 넓게 도포한 후, wafer위에 PDMS mold를 밀착 시킨다. 이후, 5 bar의 압력과 $200^{\circ}C$의 온도에서 나노 임프린트 리소그래피 공정을 진행하여 $TiO_2$ gel 패턴을 형성한다. gel 상태의 $TiO_2$ 패턴을 anealing 공정을 통해 다결정질 TiO2 나노 패턴으로 제작하였다. 제작된 패턴을 scanning electron microscope(SEM)를 이용하여 확인하고, XRD 및 EDX를 이용하여 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.236.2-236.2
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• 2014

세계 반도체 시장은 컴퓨터 기능이 더해진 모바일 기기의 수요가 증가함에 따라 메모리반도체의 시장규모가 최근 빠른 속도로 증가했다. 특히 모바일 기기에서 저장장치 역할을 하는 비휘발성 반도체인 NAND Flash Memory는 스마트폰 및 태블릿PC 등 휴대용 기기의 수요 증가, SSD (Solid State Drive)를 탑재한 PC의 수요 확대, 서버용 SSD시장의 활성화 등으로 연평균 18.9%의 성장을 보이고 있다. 이러한 경제적인 배경 속에서 NAND Flash 미세공정 기술의 마지막 단계로 여겨지는 1Xnm 공정이 개발되었다. 그러나 1Xnm Flash Memory의 생산은 새로운 제조설비 구축과 차세대 공정 기술의 적용으로 제조비용이 상승하는 단점이 있다. 이에 따라 제조공정기술을 미세화하지 않고 기존의 수평적 셀구조에서 수직적 셀구조로 설계 구조를 다양화하는 기술이 대두되고 있는데 이 중 Flash Memory의 대용량화와 수명 향상을 동시에 추구할 수 있는 3D NAND 기술이 주목을 받게 되면서 공정기술의 변화도 함께 대두되고 있다. 3D NAND 기술은 기존라인에서 전환하는데 드는 비용이 크지 않으며, 노광장비의 중요도가 축소되는 반면, 증착(Chemical Vapor Deposition) 및 식각공정(Etching)의 기술적 난이도와 스텝수가 증가한다. 이 중 V-NAND 3D 기술에서 사용하는 박막증착 공정의 경우 산화막과 질화막을 번갈아 증착하여 30layer 이상을 하나의 챔버 내에서 연속으로 증착한다. 다층막 증착 공정이 비정상적으로 진행되었을 경우, V-NAND Flash Memory를 제조하기 위한 후속공정에 영향을 미쳐 웨이퍼를 폐기해야 하는 손실을 초래할 수 있다. 본 연구에서는 V-NAND 다층막 증착공정 중에 다층막의 두께를 가상 계측하는 알고리즘을 개발하고자 하였다. 증착공정이 진행될수록 박막의 두께는 증가하여 커패시터 관점에서 변화가 생겨 RF 신호의 진폭과 위상의 변화가 생긴다는 점을 착안하여 증착 공정 중 PECVD 장비 RF matcher와 heater에서 RF 신호의 진폭과 위상을 실시간으로 측정하여 데이터를 수집하고, 박막의 두께와의 상관성을 분석하였다. 이 연구 결과를 토대로 V-NAND Flash memory 제조 품질향상 및 웨이퍼 손실 최소화를 실현하여 제조 시스템을 효율적으로 운영할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.19 no.12
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• pp.163-170
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• 2002

The quality of a precision product, in general, relies on the accuracy and precision of its manufacturing and inspection process. In many cases, the level of precision in the manufacturing and inspection system is also dependent on the positioning capability of tool with respect to the work piece in the process. Recently the positioning accuracy level has reached to the level of submicron and long range of motion is required. For example, for 1 GDARM lithography, 20nm accuracy and 300mm stroke needs. This paper refers to the lithography stage especially to fine stage. In this study, for long stroke and high accuracy, the dual servo system is proposed. For the coarse actuator, LDM (Linear DC Motor) is used and for fine one VCM is used. In this study, we propose the new structure of VCM for the fine actuator. It is 3 axis precision positioning stage for an aligner system. After we perform the optimal design of the stage to obtain the maximum force, which is related to the acceleration of the stage to accomplish throughput of product. And we controlled this fine stage with TDC. So we obtained 50nm resolution. So later more works will be done to obtain better accuracy.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 1993.04b
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• pp.192-197
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• 1993

반도체 기억소자의 급격한 발전추세에 대응하기 위해서는 노광(exposure) 장비의 증첩정밀도 (overlay accuracy)가 같이 개선되어야 한다. 본 연구에서는 64M ERAM 제조를 목적으로개발된 스텝 퍼(stepper) 시스템의 성능평가 항목 중에서 증첩정밀도에대한 측정방법 및 현재까지의 연구결과를 기술하였다. 제작된 웨이퍼 정렬계는 off-axis 및 TTL 광학계와 이들 정렬신호에 따라 움직이는 웨이 퍼 구동계로 구성되어 있다. off-axis 광학계는 화상처리와 회절의 두 가지 방식이 가능하도록 설계 제작되었으며, TTL 광학계는 dual beam interferometric method를 이용하였다. 본 실험의 결과는 웨이퍼 정렬계의 특성을 평가한 것으로서, 현재까지 off-axis 정렬 방법만으로 얻은 증첩정밀도는 0.26-0.29$\mu$m (m+3 $\sigma$ )이다. 따라서 여기에 이미 제작되어 있는 TLL 정렬광학계를 추가로 사용하면 0.1 $\mu$m 이하의 정밀도에 이를 것으로 예측된다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.8 no.2
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• pp.15-18
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• 2001

The Mo/si multilayer for EUV lithography was deposited using magnetron sputtering system. The multilayers were characterized using the cross-sectional transmission electron microscope (TEM) and low/high angle X-ray diffraction (XRD). The microstructure of Mo and Si was highly textured structure and amorphous, respectively. The well-defined low angle XRD peaks implies a well-defined multilayer structure. The interfacial layer of Mo-on-Si was thicker than Si-on-Mo interfacial layer.