• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.206-206
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• 2004

평판디스플레이의 사이즈 및 그 응용범위가 확대되어 감에 따라, 기존의 근접식 노광장비로는 원하는 성능의 디스플레이소자를 생산하는데 한계에 도달하게 되었다. 최근에는 반도체웨이퍼 생산에 적용되는 투영식분할노광방식 또는 스캔방식의 노광장비가 평판디스플레이소자의 생산에 적용되는 추새인데, 이러한 방식의 노광장비의 핵심기능을 수행하는 모듈 증 마스크스테이지가 있다. 투영식노광 장비의 노광광원(조명광학계)에서 발생된 노광광은 마스크를 통과함으로써 특정패턴을 형성할 수 있는 형태로 변화되고, 투영광학계를 거쳐 피노광재에 조사 된다.(중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.02a
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• pp.76-77
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• 2001

리소그래피 공정은 반도체 공정에 있어서 그 선폭과 집적도를 결정짓는 핵심 공정이다 이러한 리소그래피 공정 중 만들고자 하는 패턴을 사진전사에 의해서 형성해주는 도구인 노광장비는 광학계, 스테이지계, 제어계로 구성되는 데, 여기에서는 이 중에서 광학계를 중심으로 노광장비를 설명한다. 노광장비의 기본적인 형태는 그 사용되는 광학계에 파라서 결정되는데, 크게 나누어서 밀착 노광 방식과 투영 노광 방식이 있다. (중략)

• ETRI Journal
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• v.11 no.4
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• pp.128-138
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• 1989

광을 이용한 축소투영 노광기술은 고 NA와 단파장화에 의하여 현재 $0.5\mum$의 패턴형성을 가능하게 하고 있으며, 향후 excimer laser를 이용한 stepper는 64M DRAM 제조를 위한 핵심 노광장비가 될 것이다. 본 논문에서는 광을 이용한 노광장비의 성능개선을 위하여 노광방식에 따라 장비를 분류하고 MTF, coherence 등 패턴형성에 있어서의 주요개념을 정리하였다. 그리고 광노광 장비의 성능변수인 해상도, 촛점심도, 노광영역 및 정렬에 영향을 미치는 요소를 분석한 후 그 성능에대한 개선방안을 도출하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.320-320
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• 2004

반도체용 노광장비나 검사장비, 초정밀 광학렌즈, 비구면 렌즈 가공 등의 핵심이 되는 것은 초정밀결정기술이다. 서브미크론의 정밀도를 갖는 장비는 한치의 오차도 허용치 야고 계획된 경로대로 정확하게 목표지점에 도달해야 초정밀 가공을 기대 할 수 있다 초정밀 공기정압 스테이지는 저마찰 특성과 높은 운동정밀도, 청정환경유지가 가능하여 반도체 노광장비에서 PDP 나 LCD검사장비, 초정밀가공 가공기 등 다양한 정밀장비에서 활용된다.(중략)

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2021.05a
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• pp.505-508
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• 2021

반도체 회로의 미세화로 단위 공정이 증가하면 TAT(turn-around time) 증가에 따른 제조 비용이 늘어난다. 반도체 공정 중 포토 공정은 마스크의 회로를 웨이퍼에 전사하는 공정으로 전사를 담당하는 노광장비의 성능에 의해 회로의 정확성이 결정된다. 이런 정확성을 검증하는 계측공정은 회로의 미세화가 진행될수록 필요성은 증가하나 TAT 증가의 주된 요인으로 최근 기계학습을 사용한 다양한 예측 모형들의 개발로 계측 결과를 예측하는 실험들이 진행되고 있다. 본 논문은 노광장비 센서들의 이상값을 감지하여 분류 후 계측공정을 진행하는 LFDC(Lithography Fault Detection and Classification) 시스템의 문제인 분류 성능이 떨어지는 것을 해결하기 위해 XGBoost를 사용하여 계측공정을 진행하지 않고 노광장비 센서의 이상값을 학습된 학습기를 통해 분류하여 포토 공정을 재진행하거나 다음 공정을 진행하는 방법을 실험하였다. 실험에서 사용된 계측 결과 예측 모형은 89%의 정확도를 확보하였고 반도체 데이터 특성인 심각한 불균형의 데이터에 대해서도 같은 정확도를 얻었다. 이런 결과는 노광장비 센서들의 이상값에 대해 89%는 정상으로 판단하였고 정상으로 판단한 웨이퍼를 실제 계측 시 예측과 같은 결과를 얻었다. 계측 결과 예측 모형을 사용하면 실제 계측을 진행하지 않고 노광장비 센서들의 이상값에 대한 판정을 할 수 있어 TAT 단축으로 제조 비용감소, 계측 장비 부하 감소 및 효율 향상을 할 수 있다. 하지만 본 논문에서는 90%의 성능을 보이는 계측 결과 예측 모형으로 여전히 10%에 대해서는 실제 계측이 필요한 문제에 대해 추후 더 연구가 필요하다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.223-223
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• 2004

반도체 및 TFT LCD 제조 공정에서 핵심 공정인 Photo 공정은 PR(Photo Resist, 감광액) Coating -) Exposure(노광) -. Develop(현상)으로 이루어져 있다. 이중 Exposure 공정에 사용되는 장치가 노광장비이다. 노광장비는 Mask Aligner 라고도 불리는데, 그만큼 정렬기술이 노광장비에서는 중요하다. 반도체 및 TFT LCD 는 여러 충의 회로를 쌓아감으로써 층과 층간의 전기적 작용으로 생성되는 Tr.(Transistor) 또는 Diode 등의 수동소자를 집적하는 기술로 제조되는 것으로, 층과 층간의 전기적 작용이 설계한 바와 같이 이루어지기 위해선, 층과 층 사이의 정렬이 정확히 이루어져야 한다.(중략)

• Information Display
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• v.10 no.5
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• pp.33-38
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• 2009

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1997.08a
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• pp.65-65
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• 1997

• ETRI Journal
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• v.11 no.4
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• pp.139-149
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• 1989

Excimer laser를 이용한 투영노광기술은 '80년대 초 $0.5\mum$ 이하의 패턴 형성에 시도된 이래 점진적인 발전을 이루어 왔으며 기존 광노광기술의 연장선상에서 64M bit DRAM 제조를위한 핵심 노광기술이 될 것이다. 본 논문에서는 차세대 노광장비로서의 excimer stepper가 갖는 중요성을 고찰하고 대량생산을 위한 노광장비의 개발방향을 제시하였다. 먼저단파장화에 의한 투과도 저하로 인하여 발생하는 투영광학계의 문제점을 살펴보고 이에 따른 광원의 요구조건을 도출하였다. 그리고excimer stepper를 광원, 조명계, 투영계, 정렬계, stage계 및 제어계등 기능별로 분류한 후 각각의 문제점 및 설계조건을 제시하였다.

• The Optical Journal
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• v.14 no.3 s.79
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• pp.51-53
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• 2002

2002년 초에 Dataquest에 의해 발표된 시장전망에 의하면, 2003년 이후 3$~$4년간 엑시머 레이저를 이용한 DUV 노광장비 시장은 큰 폭으로 확대될 것으로 전망하고 있으며, DRAM 수요의 증가와 12인치(300mm) 공정의 가속화가 그 예상을 뒷받침 하고 있다. 특히, KrF엑시머 레이저 공정 이후에 도입될 ArF엑시머 레이저 시장의 확대가 주목된다.