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Effect of Deposition Parameters and Post-annealing on the Luminescent Properties of CaWO4 Phosphor (증착조건 및 열처리 분위기가 CaWO4 형광체의 발광특성에 미치는 영향)

  • 한상혁;정승묵;송국현;김영진
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.40 no.10
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    • pp.949-953
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    • 2003
  • Blue emitting CaWO$_4$ thin films were deposited by rf magnetron sputtering. The effect of sputtering parameters and annealing conditions on the luminescent properties were investigated. Structural and stoichiometric properties of thin films were affected by $O_2$/Ar gas ratio and substrate temperature. Post-annealing caused the phosphor thin films to emit improved luminescent properties. The atomic composition of films might depend on annealing atmosphere, which resulted in the changes of luminescent properties. Blue-green emission that was due to oxygen vacancies was observed. However, by controlling oxygen defects, only blue emission could be obtained.

Electroless Plating of Cu and its Characteristics with Plating Parameters and Reducing Agent (도금 변수 및 환원제에 따른 Cu 무전해 도금 및 도금막 특성 평가)

  • Lee, Jeong-Hyeon;Lee, Sun-Jae;Jeong, Do-Hyeon;Jeon, Ju-Seon;Jeong, Jae-Pil
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2016.11a
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    • pp.174.1-174.1
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    • 2016
  • 무전해 도금법은 외부 전원을 인가하지 않고 환원제를 이용하여 자발적으로 금속 도금층을 형성시키는 기술로, 용액내의 환원제가 산화될 때 방출되는 전자가 금속 이온에 전이하여 금속을 코팅하는 기술이다. 그 중에서도 Cu 무전해도금은 박막 형성의 용이성 및 간단한 제조 공정으로 인한 제조 원가 절감 등의 장점으로 인해 반도체 소자 배선부분에서 건식방식으로 발생되는 한계점들에 대한 해결 기술로 주목받고 있다. 또한, 이 기술은 금속 이온이 환원제에 의해 금속으로 석출되기 때문에, 피도금물이 무전해 도금액과 균일하게 접촉하고 있으면 균일한 도금 두께를 얻을 수 있는 장점이 있어서 복잡하고 다양한 형상의 제품에 적용이 가능하다. 본 연구에서는 플라스틱, PCB 등 다양한 기판에 도금 환원제, 온도 및 시간 등 도금변수를 변경하여 Cu 도금막을 형성한 후 그 특성을 평가하였다. 도금층 두께 분석을 위해 field emission scanning electron microscope (FE-SEM), energy-dispersive spectroscopy (EDS)를 사용하였으며, 박리성 평가를 위해 cross-cutting test를 실시하였다. 실험 결과, 두께 $1{\sim}3{\mu}m$ 급의 균일한 도금층이 형성된 것을 확인하였으며, $85^{\circ}C/85%$ 고온고습 조건에서 168시간 후 박리성 평가 결과, 결함 없는 양호한 표면을 나타내었다.

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A Study on Selecting Proper Nodes : Selecting the Surrogate Nodes Using Priority Algorithm for Fast Recovery in Industrial IoT System (적절한 노드 선택에 관한 연구 : 산업용 IoT시스템에서 빠른 복구를 위한 우선순위 알고리즘을 사용한 대리 노드 선택)

  • Roh, Tae-Kyun;Lee, Soo-Yeon;Chung, Tai-Myung
    • Annual Conference of KIPS
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    • 2017.11a
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    • pp.1109-1111
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    • 2017
  • 본 논문은 다양한 센서들과 디바이스들이 실시간으로 정보를 주고 산업 IoT 환경에서 실시간 분산 제어 역할을 하는 마스터 노드(Master Node)인 CPS시스템이 시스템장애 또는 내, 외부적인 요인으로 인해 정상적인 수행을 하지 못할 때 일시적으로 마스터 노드의 기능을 수행할 수 있는 싱크노드(Sink Node)를 선정하여 대리 마스터 노드를 결정하는 방안을 제시한다. 산업 IoT환경에서 마스터 노드의 역할로써 중요한 파라미터들을 선정한다. 이 후 상황에 따라 파라미터들의 가중치를 변경하여 우선순위 알고리즘을 통해 지속적으로 싱크 노드들의 우선순위에 대한 정보를 마스터 노드와 싱크노드들 간 공유하게 된다. 마스터 노드의 결함이 발생 시 우선순위가 높은 싱크노드가 마스터 노드의 역할을 대신 수행하여 예기치 못한 상황에도 데이터를 유지할 수 있도록 한다.

CAD design of miniaturized dielectric filer with attenuation pole (감쇄극을 갖는 소형 유전체 여파기의 CAD 설계)

  • 이문규;남상욱;염경환;홍성용
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.21 no.9
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    • pp.2481-2493
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    • 1996
  • A simple iterative design method is presented for the miniaturized dielectric filter with finite transimmission zeros. Circuit-network transformations are used to place transission zeros in the stop band. This method is simple and quick compared with conventional pole-synthesis methods. the design of the coupling EM patternof the filter needs the much computation time because its design is carried out through the field simulatior. In this paper, an efficient implementation technique of coupling circuit parameters is presented. This technique uses a linear mapping function between the circuit parameter domain and EM parameter domain to save the high computational time of EM simulator. A narrow band asymmetric filter with a transmission zero is designed and fiblicated through these technique in 1900 MHz band.

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레이저 용접에 따른 재료의 물성 평가

  • Song, Hyeon-Su;Kim, Gyeong-Jong;Hwang, Hyeon-Tae;Kim, Tae-Gyeong
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.41.2-41.2
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    • 2009
  • 최근 자동차 시장에서는 레이저 열처리에 대한 관심이 집중되고 있다. 이는 현재까지 사용되어 왔던 점용접에 비해 이음부 형상에 제한이 적고 자유도가 높으며 짧은 시간내에 용접을 마쳐 열변형의 문제가 적기 때문이다. 이러한 이점 때문에 자동차 시장의 기술개발 동향이 차체 부품의 경량화와 원가절감을 위한 신기술 개발로 레이저 가공 기술을 접목시키고 있으며 이러한 신공정 개발은 지속적으로 확대되어 가고 있는 추세이다. 본 실험에서는 차체 접합을 위하여 신기술로 대두 되고 있는 레이저 용접법으로 박판을 접합하였다. 실험 조건은 동일한 재료 두 판을 합쳐 전력량을 변화시켰으며, 전력량의 한 조건을 잡아 용접 속도에 변화를 주었다. 용접 샘플의 물성을 평가하기 위하여 제품 내부의 구조를 비파괴 시험법을 통하여 분석하여 내부적 결함 및 내부 구조를 관찰하고, 열영향부 및 용접부 내부의 조직을 관찰하여 신기술에 대해 재료적 물성을 평가하고자 한다. 평가방법은 산업용 단층 촬영기(CT X-RAY)를 이용하여 재료를 파괴하지 않고 용접상태에 따른 내부구조를 분석하였으며, 용접부, 열영향부 그리고 모재 부분에 대해 경도를 측정하여 용접조건에 따른 경도양상을 관찰하였다. 또한 부위별로 조직을 관찰하여 재료 내부의 상을 관찰하였다.

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A Server Configuration Method for the Availability and Scalability (가용성과 확장성을 위한 서버 구축 방안)

  • 김영수;조익성;임재홍
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.4 no.1
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    • pp.251-259
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    • 2000
  • As a server dependency for the availability and scalability becomes very important, the need for solid server providing non-stop workload have been increased. So, this paper describes a server configuration method for the availability and scalability. For the validity check of this paper, socket application and cluster resource DLL and administration DLL for the application are implemented and tested. 8y relocating the individual failed services from one sewer to another with the microsoft cluster sewer, it was confirmed the feasibility. The result showed that allowed applications on the original server to continue running, unaffected by the failed service.

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Current Gain Enhancement in SiGe HBTs (SiGe HBT의 Current Gain특성 향상)

  • 송오성;이상돈;김득중
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.5 no.4
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    • pp.367-370
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    • 2004
  • We fabricated SiGe BiCMOS devices, which are important for ultra high speed RF IC chips, by employing $0.35\mu{m}$ CMOS process. To meet with the requirement of low noise level with linear base leakage current at low VBE region, we try to minimize polysilicon/ silicon interface traps by optimizing capping silicon thickness and EDR(emitter drive-in RTA) temperature. We employed $200\AA$and $300\AA$-thick capping silicon, and varied the EDR process condition at temperature of $900-1000^\circ{C}$, and time of 0-30 sec at a given capping silicon thickness. We investigated current gain behavior at each process condition. We suggest that optimum EDR process condition would be $975^\circ{C}$-30 sec with $300\AA$-thick capping silicon for proposed $0.35\mu{m}$-SiGe HBT devices.

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Automatic Attention Object Extraction Using Feature Maps (특징 지도를 이용한 자동적인 중심 객체 추출)

  • Park Ki-Tae;Kim Jong-Hyeok;Moon Young-Shik
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2006.06b
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    • pp.370-372
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    • 2006
  • 본 논문에서 제안하는 방법은 영상에서 중심 객체를 추출하기 위해 에지와 색상 정보에서 추출한 특집 지도와 배경의 영향을 줄이기 위친 창조 지도(reference map)를 제안한 것이 특징이다. 특징 지도는 다른 영역과 현저하게 구분되는 영역을 검출하기 위해서 영상의 특징 값(feature)들을 이용해서 구성한 영상이라고 할 수 있다. 그리고 창조 지도는 배경의 영향을 최소화하면서, 객체가 존재할 확률이 높은 부분을 나타내는 지도이다. 제안하는 방법은 밝기 차 정보를 가지고 있는 에지와 YCbCr 컬러모델과 HSV 컬러모델의 색상 성분을 특징 값으로 사용한다. 이들 특징 값을 이용해서 특징 지도를 구성하는 방법으로 영상 내 색상 차에 의해서 나타나는 경계부분을 구하는 방법을 사용한다. 이 방법을 사용하여 에지 지도와 두 개의 색상 지도의 3가지 특징 지도를 생성한다. 다음으로, 영상 배경의 영향을 줄이기 위해 참조 지도를 구한다. 구해진 참조 지도와 특징 지도들을 이용해서 결합 지도(combination map)를 생성한다. 결함 지도로부터 다각형의 객체 후보 영역을 구하고, 객체 후보 영역에 영상분할을 적용하여 중심 객체를 추출한다. 실험에 사용된 영상들은 Corel DB를 사용하였으며, 실험결과로써 precision은 84.3%, recall은 81.3%의 성능을 보인다.

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다결정 실리콘 박막을 사용한 비휘발성 메모리 장치의 OSO 적층구조에 따른 전하 저장량의 증가

  • Baek, Il-Ho;Jeong, Seong-Uk;Lee, Won-Baek;Lee, Jun-Sin
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.150-150
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    • 2010
  • 비휘발성 메모리의 구조는 ONO($SiO_2$, $SiN_X$, $SiN_XN_Y$), 혹은 NNO($SiN_X$, $SiN_X$, $SiN_XN_Y$)등으로 구성된 blocking layer, charge storage layer, tunneling layer 등이 일반적이다. 본 연구에서 제작된 OSO구조는charge storage layer를 a-Si을 사용한 것으로, 기존에 사용되던 charge storage layer인 $SiN_x$ 대신에 a-Si:H 를 사용하였다. 최적의 전하 저장층 조건을 알기 위하여 가스비에 따른 raman 및 bandgap 측정, 그리고 C-V 통하여 트랩된 전하 저장량 및 flatband 전압의 shift 값을 측정 및 분석하였다. 실험 결과, bandgap이 작아 band edge 저장 가능하며, SiNx 와 마찬가지로 a-Si:H 내 트랩에 저장이 가능하였다. 또한 $SiO_2$/a-Si:H와 a-Si:H/SiOxNy 계면의 결함 사이트에 전하의 저장되며, bandgap이 작아 트랩 또는 band edge에 위치한 전하들이 높은 bandgap을 가지는 blocking 또는 tunneling layer를 통하여 빠져 나오기 어려운 특성이 있었다. 본 연구에서는 최적의 전하 저장 층 조건을 알기 위하여 가스비에 raman 및 bandgap 측정, 그리고 C-V 통하여 트랩된 flatband 전압의 shift 값을 측정하여 결과를 논의하였다. 또한 OSO 구조의 두께에 있어 MIS 결과와 poly-Si 상에 실제 제작된 NVM 소자의 switching 특성을 논의하였다.

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$SiO_2$, SiNx 절역막에 따른 ITZO 박막 트랜지스터의 게이트 바이어스 스트레스 신뢰성 연구

  • Kim, Sang-Seop;Kim, Sun-Gon;Choe, Byeong-Deok
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.242.2-242.2
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    • 2013
  • 최근 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 신뢰성(reliability) 평가에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 신뢰성 평가하는 한 방법으로 게이트에 바이어스를 지속적으로 인가하여 소자의 문턱 전압의 변화를 통해 안정성(stability)를 확인한다. 전압을 지속적으로 인가하게 되면 소자를 열화시켜 전기적 특성이 약화된다. 본 연구에선 ITZO 박막 트랜지스터의 신뢰성 평가를 위해 게이트 절연막($SiO_2$, $SiN_x$)에 따른 ITZO 소자를 제작 및 게이트 바이어스 스트레스 후 전기적 특성을 비교, 분석하였다. 제작된 소자의 게이트에 전압을 +15V로 7200초 동안 인가하였다. 스트레스 후 게이트 절연막이 $SiO_2$, $SiN_x$인 ITZO 산화물 박막 트랜지스터 모두 positive 방향으로 이동하였고, 그 결과 문턱 전압, 이동도, 아문턱 기울기의 변화가 발생하였다. $SiO_2$의 경우 아문턱 기울기의 변화가 거의 없이 문턱 전압의 변화만을 보였고, 이는 단순히 ITZO층과 게이트 절연막 계면에 전자가 포획되거나 혹은 게이트 절연막 내에 전자가 주입이 되었기 때문이다. 반면에 $SiN_x$의 경우 ITZO층과 게이트 절연막 계면에 추가적인 결함(defect)이 생성되었기 때문에 $SiO_2$보다 더 많은 전자를 포획하여 아문턱 기울기와 문턱 전압의 변화가 컸다.

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