• 제목/요약/키워드: 내결함

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A Case Kartagener's Syndrome with Various Ultrastructural Defects (다양한 형태의 섬모 미세구조결함을 보인 Kartagener 증후군 1예)

  • Lee, Sung-Ho;Park, Jung-Ho;Jang, Ho-Sik;Kim, Hyun-Su;Kang, Kyeong-Woo;Kim, Ho-Chul;Kwon, Kun-Young
    • Tuberculosis and Respiratory Diseases
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    • v.53 no.4
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    • pp.457-462
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    • 2002
  • Karagener's syndrome is an inherited condition characterized by triad of chronic paranasal sinusitis, situs inversus, and bronchiectasis, Since 1976, Afzelius found a lack of dynein arm in immotile spermatozoa by electron microscopy, numerous recent studies have focused on the ultrastructural defect in the cilia and reported that the variety type of ultrastructural defect in immotile cilia syndrome. We report a female patient who had the Katagener's triad with rare multiple ultrastructural defect of cilia in one patient. The electron microscopic examination showed partial dynein arm defect, loss of radial spoke, microtubular transposition, and giant cilia.

Verification of Build Part and Tool Paths for Metal 3-D Printing Process (3차원 금속 프린팅 공정에서의 조형파트 진단 및 조형공구경로 검증)

  • Lee, Kyubok;Jee, Haeseong
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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    • v.41 no.2
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    • pp.103-109
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    • 2017
  • Metal 3D printing, which is an additive metal manufacturing (AMM) process, enables the development of full-density metallic tools and parts using metal powders that are precisely delivered and controlled for deposition with no powder bed. However, some unknown geometric defects and irregular geometric features on an STL model can possibly result in incorrect metal part fabrication after the build. This study first proposes a methodical approach for verifying the build part, including the missing facet problems in an STL model, by defining some irregular features that possibly exist on the part. Second, 2D tool paths on each build layer were investigated for detecting any singular region inside the layer. The method was implemented for building two sample STL models using a direct energy deposition process, and finally, it was visually simulated for diagnosis.

How To Support Scalability in Causal Message Logging (인과적 메시지 로깅에서 확장성 지원 방법)

  • Kim, Ki-Bom;Hwang, Chung-Sun;Yu, Heon-Chang;Shon, Jin-Gon;Jung, Soon-Young
    • Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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    • v.27 no.4
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    • pp.362-372
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    • 2000
  • The causal message logging is a low-cost technique of building a distributed system that can tolerate process crash failures. Previous research in causal message logging protocol assumes that the number of processes in a fault-tolerant system is fixed. This assumption makes all processes modify their data structures when a new process is added or an existing process terminates. However, the proposed approach in this paper allows to each process retain identifiers of only the communicating processes instead of all processes. This mechanism enables the fault-tolerant system to operate at many different scales. Using this mechanism, we develop a new algorithm that can be adapted for recovery in existing causal message logging protocols. Our recovery algorithm is 1) a distributed technique which does not require recovery leader, 2) a nonblocking protocol which does not force live processes to block while recovery is in progress, and 3) a novel mechanism which can tolerate failures of an arbitrary number of processes. Earlier causal message logging protocols lack one or more of the above properties.

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A Study on the Analysis of Semi-infinite Array Structures for Defect Analysis in Frequency Selective Radome (주파수 선택적 레이돔 결함요소 해석을 위한 반-무한배열구조 해석 방안에 관한 연구)

  • Lee, Sang-Hwa;Oh, Won-Seok;Kim, Yoon-Jae;Hong, Ic-Pyo
    • Journal of IKEEE
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    • v.24 no.1
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    • pp.1-8
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    • 2020
  • In this paper, a semi-infinite array analysis method is proposed to analyze the defects that may occur during the fabrication of the frequency selective radome. In the analysis of N×N finite array structure using 3D analysis software, much analysis time and memory are required, whereas the semi-infinite array structure analysis proposed in this paper can predict relatively accurate electromagnetic performance while reducing the analysis time. In comparison with the results of the periodic simulation, the simulation of the semi-infinite array structure confirmed the error within ±3%. To verify the results of the simulation, the results were compared with the measured results, and the same tendency at the point of performance change and similar performance degradation at the band of interest were investigated. Using the proposed semi infinite array structure analysis, it is confirmed that the analysis of defects in the electromagnetic periodic structure is possible.

Formation of ultra-shallow $p^+-n$ junction through the control of ion implantation-induced defects in silicon substrate (이온 주입 공정시 발생한 실리콘 내 결함의 제어를 통한 $p^+-n$ 초 저접합 형성 방법)

  • 이길호;김종철
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.6 no.4
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    • pp.326-336
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    • 1997
  • From the concept that the ion implantation-induced defect is one of the major factors in determining source/drain junction characteristics, high quality ultra-shallow $p^+$-n junctions were formed through the control of ion implantation-induced defects in silicon substrate. In conventional process of the junction formation. $p^+$ source/drain junctions have been formed by $^{49}BF_2^+$ ion implantation followed by the deposition of TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate) and BPSG(Boro-Phospho-Silicate-Glass) films and subsequent furnace annealing for BPSG reflow. Instead of the conventional process, we proposed a series of new processes for shallow junction formation, which includes the additional low temperature RTA prior to furnace annealing, $^{49}BF_2^+/^{11}B^+$ mixed ion implantation, and the screen oxide removal after ion implantation and subsequent deposition of MTO (Medium Temperature CVD oxide) as an interlayer dielectric. These processes were suggested to enhance the removal of ion implantation-induced defects, resulting in forming high quality shallow junctions.

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A study of defect structures in $LiNbO_{3}$ single crystals by optical absorptions (광흡수에 의한 $LiNbO_{3}$ 단결정의 결함 구조 연구)

  • 김상수
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.6 no.3
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    • pp.327-340
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    • 1996
  • In this study, a series of $LiNbO_{3}$ crystals with different [Li]/[Nb] ratios, congruent $LiNbO_{3}$ crystals with doped Mg and with Mg and codoped with Mn were grown by the Czocharalski method. These were investigated by UV and IR spectrophotometry. Stoichiometry dependences of the UV absorption edge and the $OH^{-}$ absorption spectra were studied with different [Li]/[Nb] ratios. The position of the UV absorption edge adn the shape and peak point of the $OH^{-}$ absorption spectra changed monotonously upto a critical concentration of Mg ions. The mechanism of the incorporation of Mg ions changes at this concentration. The decomposition of the $OH^{-}$ absorption spectra using a Gaussian lineshape function showed that in Li-deficient crystals the absorption spectra consist of five components in contrast to more or less perfect stoichiometric crystals which reveal to three components. On the basis of these results, the intrinsic and the extrinsic defect structure models in $LiNbO_{3}$ crystals were examined. The behaviour of $\nu$ (OH) reflects the defect structure and supports the Li-site vacancy model as the intrinsic defect structure model and the corresponding extrinsic defect model. A brief discussion is also given of the behaviour of $\nu$ (OH) in $LiNbO_{3}$ crystals simultaneously doped with several kinds of impurity.

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Study on the pulse variation due to the growth of electrical trees in polymer insulation system (고분자 절연물 내의 트리진전에 따른 부분방전 펄스의 변화에 대한 연구)

  • Jeong, Jung-Il;Huh, Chang-Su;Kim, Jong-Hyeong
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2004.07c
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    • pp.1872-1873
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    • 2004
  • 보이드, 이물, 돌기등 고부자 절연체 내의 결함은 이곳에 전계가 가해질 때, 국부적 전계집중을 유발하며, 절연체 내의 미소 방전을 일으킨다. 이 때 발생한 미소 방전에 의해 보이드 표면의 고분자 물질은 기계적, 화학적 열화를 일으키며, 이에 따라 전기적 트리를 형성하게 된다. 이러한 트리는 결국 절연체의 절연파괴로 진전되므로, 고분자 물질을 절연물로 사용하는 전력기기의 경우에는 신뢰성에 큰 문제를 유발한다. 따라서, 이러한 방전(부분방전)이 일어날 때 생기는 전기적 신호를 검출하여, 절연물의 신회성을 평가하는 것은 매우 중요하다. 본 논문에서는 이러한 미소방전이 일으키는 방전의 파형이 트리의 진전에 따라 어떻게 변화하는지에 대해 연구하였다.

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Microsutructures of Carnonaceous Materials within Illite of the Daedong Group Slate from Jeongok Area, Korea (전곡지역 대동층군 점판암의 일랑트내에 협재된 탄질물의 미세구조)

  • 안중호;조문섭
    • Journal of the Mineralogical Society of Korea
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    • v.13 no.1
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    • pp.15-21
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    • 2000
  • 이 연구에서는 대동층군 탄질 점판암내에 산출하는 탄질물의 미세구조를 고분해능 투과전자현미경(HRTEM)을 이용하여 조사하였다. 관찰된 탄질물은 구조가 부분적으로 흑연화된 흑연화과정의 초기단계 물질로서$ 100\AA$ 이하의 매우 얇은 크기로 일라이트 결정들의 경계면 사이나 일라이트 결정내에 협재되어 나타난다. 탄질물의 층상구조는 휘어있거나 불연속적이며, 부분적으로 원형조직을 보이는 "지문" 조직을 이루고 있다. 이러한 특징은 많은 결함구조를 가지고 구조적으로 충분히 흑연화되지 않은 물질에서 볼 수 있는 전형적인 구조다. 미세한 규모로 협재된 조직을 보이는 탄질물은 퇴적물의 속성작용과 저변성작용시 일라이트가 성장하는 동안에 포획되었거나, 또는 일라이트 이전의 점토광물내에 흡착되었던 물질들로부터 유래된 것으로 보인다. 이처럼 탄질물과 일라이트가 미세한 규모로 협재되어 산출하는 특징은 저변성암에서 일어나는 흑연화작용시 복잡한 미세구조의 변화가 수반되었음을 지시한다. 다양한 미세구조를 보여주는 흑연질 물질의 산출은 탄질물이 고온에서 균질한 흑연으로 생성되기까지 불연속적인 단계를 거쳐 반응할 가능성을 지시한다. 끝으로, 이 연구는 이온 빔을 이용하여 제작한 시료를 관찰함으로써 암석내에 함유된 탄질물들의 조직을 훼손하지 않고 관찰할 수 있음을 보여준다.

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Effect of high-temperature annealing on the microstructure of laterally crystallized polycrystalline Si films and the characteristics of thin film transistor (고온열처리가 측면결정화시킨 다결정 실리콘 박막의 미세구조와 박막트랜지스터 특성에 미치는 영향)

  • 이계웅;김보현;안병태
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.70-70
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    • 2003
  • 금속용액을 이용하여 측면고상결정화 시킨 다결정 실리콘 박막내의 고각입계를 줄이기 위해 서 고온열처리를 실시하였다. SEM과 TEM을 이용하여 다결정 실리콘내의 바늘모양의 결정립의 폭의 증가를 관찰하였고, 결정 립내의 결함이 감소를 관찰하였다. 그리고 결정화된 다결정 실리콘의 표면 거칠기를 AFM이용하여 퍼니스에서 53$0^{\circ}C$에서 25시간 동안 결정화 시킨 시편과 이후 80$0^{\circ}C$에서 40분간 추가 고온 열처리시킨 시편을 비교한 결과 6.09$\AA$에서 4.22$\AA$으로 개선되었음을 확인할 수 있었다. 박막내의 금속에 의한 오염을 줄이기 위해 금속의 농도를 줄인 금속용액을 결정화에 사용하였다. 이때 저농도 금속용액을 사용하여 측면결정화시킨 다결정 실리콘 박막내의 소각입계를 이루는 결정립군의 크기가 고농도 금속용액을 이용하여 측면결정화시킨 경우보다 증가함을 확인 할 수 있었다. 박막트랜지스터를 제작하여 트랜지스터의 전기적특성을 살펴보았다. 전계이동도가 80$0^{\circ}C$ 고온 열처리에 의해서 53$\textrm{cm}^2$/Vsec 에서 95$\textrm{cm}^2$/Vsec 로 상승하였는데 이는 고온열처리에 의해서 측면결정화된 다결정 실리콘내의 트랩 밀도가 2.2$\times$$10^{12}$/$\textrm{cm}^2$ 에서 1.3$\times$$10^{12}$$\textrm{cm}^2$로 감소하였기 때문이다.

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용융아연도금 공정에서 초기 Fe 함량이 강판의 용출속도에 미치는 영향 및 강판의 용출 메커니즘 고찰

  • Lee, Sang-Myeong;Park, Ju-Hyeon
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2016.11a
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    • pp.106-106
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    • 2016
  • 강의 산화 및 부식을 방지할 수 있는 표면처리 강판의 수요가 늘어나고 있다. 그 중 용융아연도금 강판은 뛰어난 경제성 및 도금성, 그리고 희생적 방식 특성으로 각광받고 있다. 자동차용 강판의 경우 도금 공정 이후의 표면 상태가 매우 중요하다. 도금 공정의 주된 표면 결함은 강판이 도금욕 내에서 이동 하면서 수반된 도금욕 내의 Zn-Fe-Al dross 입자에 기인한다. 도금공정 중 강판으로부터 용출된 Fe는 도금욕 내의 Zn 와 Al 과 반응하여 밀도가 높은 Bottom dross 나 밀도가 낮은 Top dross를 형성한다. 이에 본 연구에서는 강판으로부터 Fe의 용출속도에 미치는 도금욕 내 초기Fe 농도의 영향을 속도론적으로 평가하였다. 본 연구에서는 'Finger rotating method (FRM)' 방법론을 적용하였으며. 실험을 위해 수직 관상로 내부에 Zn-Al-Fe 시료를 장입한 알루미나 도가니를 위치시킨 후 온도를 $455^{\circ}C$로 설정하고, 지름 20mm의 Iron rod를 회전모터에 연결하여 Zn-Al-Fe 용탕에 침적한 후 회전시켰다. 실험 결과, 초기 Fe 함량과 용탕의 Fe포화 농도의 차이가 적을수록 Fe의 용출 속도는 감소하였으며 Dross 생성량 또한 적었다. 용탕 및 Iron rod 샘플 관찰 결과를 바탕으로 회전하는 Fe 시편으로부터 도금욕으로의 Fe 용출 메커니즘을 고찰하였다. 용출 모델을 토대로 모델링 한 결과, 용탕 내 Fe 농도 변화양상이 모델링 data와 실험 data가 동일한 양상을 보임을 확인 하였다.

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