• Title/Summary/Keyword: 나노기판

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Fabrication and Optical Properties of (3-mercaptopropyl) Trimethoxysilane (MPTMS)-assisted Silver Nanofilm on Various Substrates (다양한 투명 기판의 3-MPTMS 처리에 의한 은 나노 박막의 광 특성 변화 연구)

  • Hyunsung Choi;Seungjun Oh;Doyeon Kil;Taewon Goo;Young-Mi Bahk
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.34 no.6
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    • pp.283-288
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    • 2023
  • We investigate the optical and electrical properties of silver nanofilms deposited on transparent substrates such as quartz, sapphire, and slide glass treated with (3-mercaptopropyl) trimethoxysilane (MPTMS). The effect of MPTMS treatment on physical properties is studied through scanning electron microscope (SEM) images, UV-visible transmission, and current-voltage measurements. The SEM images show morphology change of the silver nanofilm, and the UV-visible transmission spectra reveal that the localized surface-plasmon resonance effect is reduced due to the morphology change. These results imply that the uniformity of silver nanofilm is improved by MPTMS treatment for various transparent substrates, resulting in a 100-fold decrease in the electrical resistance of the silver nanofilm.

무전해 식각법으로 합성된 Si 나노와이어를 이용한 CMOS 인버터

  • Mun, Gyeong-Ju;Lee, Tae-Il;Lee, Sang-Hun;Hwang, Seong-Hwan;Myeong, Jae-Min
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.10a
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    • pp.22.2-22.2
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    • 2011
  • Si 나노와이어를 합성하는 다양한 방법들 중에서 Si 기판을 나노와이어 형태로 제작하는 무전해 식각법은 쉽고 간단하기 때문에 최근 많은 연구가 진행되고 있다. 무전해 식각법을 이용한 Si 나노와이어는 p 또는 n형의 전기적 특성을 갖는 Si 기판의 도핑농도에 따라 원하는 전기적 특성을 갖는 나노와이어를 얻을 수 있을 것이라는 기대가 있었지만 n형으로 제작된 나노와이어의 경우 식각에 의한 표면의 거칠기 때문에 그 특성을 나타내지 못하는 문제점을 가지고 있다. 본 연구에서는 무전해 식각법을 이용하여 p와 n형 나노와이어를 합성하고 field-effect transistors (FETs) 소자를 제작하여 각각의 특성을 구현하였다. 나노와이어와 절연막 사이의 계면 결함을 최소화하기 위하여 poly-4-vinylphenol (PVP) 고분자 절연막에 나노와이어를 삽입시킨 형태로 소자를 제작하였고, 특히 n형 나노와이어의 표면을 보다 평평하게 하기 위하여 열처리를 진행 하였다. 이렇게 각각의 특성이 구현된 나노와이어를 이용하여 soft-lithography 공정을 통해 complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) 구조의 인버터 소자를 제작하였으며 그 전기적 특성을 평가하였다.

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Performance Enhancement of Nanogenerator Based on Surface Structure Modification of Semiconductor Nanostructures (반도체 나노구조 표면구조 제어를 통한 나노제너레이터 성능향상 기술 연구)

  • Nam, Gwang-Hui;Hasana, Md. Roqibul;Baek, Seong-Ho;Park, Il-Gyu
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2014.11a
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    • pp.95-96
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    • 2014
  • 본 논문에서는 수열합성법으로 성장된 ZnO 기반의 나노구조를 응용함으로써, 압전기반의 새로운 나노제너레이터 구조 및 성능향상에 관한 연구를 제시하고자한다. ZnO 나노구조는 원자층증착법을 적용하여 균일한 ZnO 나노박막 seed층을 성장하고, 이러한 seed층 위에 수열합성법을 통해 $90^{\circ}C$ 저온에서 ZnO 나노구조를 성장함으로써 이루어진다. 성능향상을 위해 다양한 종류 및 구조의 기판 적용을 통해 압전소자를 제작하였으며, 주기적인 스트레인의 적용을 통해 출력특성을 측정하였다. 또한 유연성 나노제너레이터의 제작을 위해 Graphene기반의 전극구조를 적용하였으며, 이를 통해 유연성 나노제너레이터 소자로부터 나노압전특성을 제어할 수 있었다. 특히 나노압전소자의 성능향상을 위해 기판의 표면미세구조를 조절하여 표면적을 넓혀줌으로써 압전소자의 출력전압특성을 향상하였으며, 이러한 메커니즘을 구조적, 성분 분석 및 광학적 특성분석을 통해 규명하였다.

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Fabrication of nanostructures using electron beam lithography and the morphology change of nanowire via etching processes (전자빔패턴을 이용한 나노구조물 형성과 에칭에 따른 나노선의 모양 변화)

  • Jeon, Dae-Young;Kim, Hye-Young;Park, So-Jeong;Huh, Jung-Hwan;Lee, Hyung-Dong;Yim, Chan-Young;Kim, Kang-Hyun;Kim, Gyu-Tae
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2005.07a
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    • pp.17-18
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    • 2005
  • 실리콘 기판 위에 100nm의 선폭을 갖는 선들이 일정한 간격을 가지고 연속적으로 배열되어 있는 구조를 형성시켜 보았다. PMMA가 코팅되어 있는 실리콘 기판위에 전자빔으로 패턴을 하였고, 건식에칭을 통해 구조물을 형성한 후 원자 현미경으로 관찰하였다. 이러한 나노구조물의 구현은 전자빔 패터닝시에 전자빔이 실리콘 기판에 충돌할 때 나타나는 backward scattering과 proximity 효과 등의 영향으로 인해 pitch의 크기가 작아질수록 구현하기가 쉽지 않았다. 화합물반도체 단일 나노선 소자를 제작하여 소자의 전기적 특성을 측정할 때, 나노선 표면에 있는 자연산화막은 금속전극과 나노선 사이의 전기전도특성을 저해하는 요소로 알려져 있다. 이러한 자연산화막을 제거하기 위해 나노선을 건식에칭해 보았고, 원자현미경을 통해 에칭에 따른 나노선의 모양변화를 관찰하였다.

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무반사 코팅을 위해 나노 구조체를 적용한 Al doped ZnO박막의 전기적, 광학적 특성

  • Park, Hyeon-U;Ji, Seung-Mok;Song, Gyeong-Jun;Im, Hyeon-Ui;Jeong, Gwon-Beom
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.201.2-201.2
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    • 2013
  • 원자층 증착법(ALD)을 통해 최적의 Al doped ZnO (AZO)박막을 얻기 위해 기판온도와 Al도핑농도 등의 공정변수를 조절하여 최적의 성막 조건 연구특성을 분석하였다. 증착당시 Zn와 Al의 precursors는 diethylzinc(DEZ), trimethylaluminum(TMA)을 각각 사용하였으며, reactants로는 Deionized water를 사용하였다. DEZ와 TMA의 증착비율을 통하여 1%에서 12%까지 Al의 도핑농도를 조절하였다. 이후 Hall effect measurement를 이용하여 기판온도와 Al도핑농도에 따른 AZO박막의 운반자 농도, 이동도, 저항을 분석했고, X-ray diffraction을 통하여 물리적 구조의 변화를 관측했다. 공정 최적화를 통하여 Al도핑농도의 변화가 AZO박막의 전기적 특성에 미치는 영향을 해석하였다. 또한, 공정의 최적화 이후 AZO박막을 나노 구조체 석영(quartz)기판위에 250도의 온도에서 Al ~3%의 농도로 10nm부터 150nm까지의 두께로 증착하였다. SEM 분석을 통해 나노 구조체 기판에 균일한 AZO 박막이 형성되었는지 확인하였고, AZO박막의 두께에 따른 전기적 특성 및 광 투과도를 측정한 결과 나노구조체 석영 기판위에 증착된 AZO박막은 가시광선 영역에서 80%이상의 광 투과도를 보였으며 ${\sim}10^{-3}{\Omega}cm$의 저항을 보였다.

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New transfer method of electrodeposited nano metal pattern by using nanowire embedded mold (나노선 임베드 몰드를 이용한 도금 패턴 전사방법)

  • Eom, Hyeon-Jin;Lee, Jae-Min;Lee, Jeong-Yong;Park, In-Gyu;Jeong, Jun-Ho
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2014.11a
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    • pp.153-154
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    • 2014
  • 전사 방식은 금속 패턴을 다른 기판에 전사시키는 방법으로, 대면적 디스플레이에 응용하기 위해 나노 사이즈 패턴을 반복적으로 전사하는 새로운 공정을 개발하였다. 나노선 임베드 구조체와 전해 도금 방식을 이용하여 나노선 네트워크 구조체를 반복적으로 이종 기판에 전사시키는데 성공하였으며, 기존의 전사 방식인 건식 방식에 비해 공정 속도를 높이고 전사되는 패턴의 사이즈를 효과적으로 낮추는 것을 확인하였다.

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The enhanced adhesion characteristics at metal-polymer interface by using nanoimprinted structures (나노 임프린트 구조체를 이용한 금속-폴리머 계면에서의 접착력 증대)

  • Eom, Hyeon-Jin;Jeong, Jun-Ho;Park, In-Gyu
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2015.05a
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    • pp.168-169
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    • 2015
  • 금속 박막과 폴리머 기판 사이에 접착력을 증대시키는 방법으로 금속-폴리머 계면에 나노 임프린트 구조체를 이용하는 방식을 최초로 이용하였다. 나노선 어레이 형상을 가진 몰드와 열 임프린트 방식을 이용하여 폴리머 기판 표면 위에 나노선 어레이 형상을 임프린트 하고, 열 증착 방식으로 금속 박막을 올렸다. 본 연구에서 제작된 금속-임프린트 폴리머 계면에서 높은 기계적 굽힘성 및 접착력을 가지는 것을 확인하였다.

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Investigation of the influence of substrate surface on the ZnO nanostructures growth (기판 표면의 영향에 의한 ZnO 나노 구조 성장에 관한 연구)

  • Ha, Seon-Yeo;Jung, Mi-Na;Park, Seung-Hwan;Yang, Min;Kim, Hong-Seung;Lee, Uk-Hyeon;Yao, Takafumi;Jang, Ji-Ho
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • v.9 no.1
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    • pp.1022-1025
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    • 2005
  • The effect of substrate surface to the formation of ZnO nanostructures has been investigated using Si (111), $Al_2O_3$(C-plane) $Al_2O_3$(A-plane), and $Al_2O_3$(R-plane) substrates. The growth temperature was controlled from 500$^{\circ}C$ ${\sim}$ 600$^{\circ}C$, and the luminescence properties were investigated by a series of photoluminescence (PL) measurements at the elevating temperatures. ZnO nanostructures grown on Si substrate show strong UV emission intensity along with green emission positioned at 3.22 eV and 2.5 eV, respectively. However, green emission was not observed from the ZnO nanostructures grown on $Al_2O_3$ substrates. It is explained in terms of the difference of the surface energy between Si and $Al_2O_3$. Also, the origin of UV emissions has been discussed by using the temperature-dependent PL. The distinction of the PL spectra is interpreted in terms of the difference of the impurity included in the nanostructures.

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Electrochemical Analysis of the Electrodeposition of Platinum Nanoparticles (백금 나노입자 전착의 전기화학적 분석)

  • Lee, Hae-Min;Cho, Sung-Woon;Kim, Jun-Hyun;Kim, Chang-Koo
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.53 no.5
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    • pp.540-544
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    • 2015
  • A bath for electrodeposition of platinum nanoparitcles on low-cost graphite substrates was developed to attach nanoparticles directly onto a substrate, and electrochemical characteristics of the electrodeposition of platinum nanoparticles were investigated. The reaction mechanism was examined by the analysis of polarization behavior. Cyclic voltammetry measurements revealed that the elecrodeposition of platinum nanoparticles was limited by mass transfer. The chronoamperometric study showed an instantaneous nucleation mechanism during the electrodeposition of platinum nanoparticles on graphite. Because graphite is much cheaper than other carbon-based substrates, the electrodeposition of platinum nanoparticles on the graphite is expected to have useful applications.

Elementary Studies on the Fabrication and Characteristics of One-dimensional Nanomaterials

  • Kim, Hyeon-U
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.150-150
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    • 2012
  • 본 연구는 1차원 나노 구조의 합성과 기초적 분석에 관한 연구로써 특히 무기 산화물 나노재료를 그 대상으로 하였다. 내용으로는 첫째, 1차원 코어 나노와이어의 합성을 하였고 Thermal evaporation, substrate의 가열, 그리고 MOCVD 를 사용한 결과들을 나열한다. 둘째, 코어-쉘 나노와이어를 제작하기 위하여 특히 쉘층의 제작방법을 연구하였는데 PECVD, ALD, 그리고 sputtering에 의한 결과들을 나열하고 간단히 설명한다. Thermal evaporation에 의한 1차원 나노와이어 합성의 경우는 MgO의 예를 들었는데 MgO 나노와이어는 Au가 증착된 기판을 열처리하여 Au dot를 형성하고 이의 morphology를 조절하여 최적의 나노와이어 합성조건을 선정하였다. 이로써 기판 morphology가 나노선의 성장및 형상에 영향을 준다는 사실을 알게 되었다. 이 사실은 In2O3기판을 사용하고 이의 표면거칠기를 열처리로 조절하므로써 역시 나노와이어의 성장을 촉진하는 방법을 찾아내었다. 또한 thermal evaporation공법은 source분말의 선택에 따라 다양한 소재를 제작가능하다는 결과를 제시하였다. 예를 들면 SiOx 층이 precoating된 chamber내에서 MgO 나노선을 합성하는 것과 동일한 조건으로 실험을 진행하면 Mg2SiO4 나노와이어가 형성된 것을 확인하였다. 또한 Sn과 MgB2 분말을 함께 적용할 경우 Sn tip을 가진 MgO 나노와이어를 얻을 수 있었다. 이는 Sn이 동시에 촉매의 역할을 하였기 때문일 것으로 추정된다. 한편 Sn과 Bi 혼합분말을 적용한 경우 Bi2Sn2O7 신소재 tip을 포함한 SnO2 나노와이어를 얻을 수 있었다. 이 경우 Bi원자가 적절한 촉매의 역할을 수행한 것으로 사료된다. Substrate의 가열공법에서는 Si wafer상에 각종 금속 즉 Au, Ag, Cu, Co, Mo, W, Pt, Pd등 초박막을 DC sputter 로 형성한후 annealing하는 기술을 사용하였다. 특기할 만한 것은 Co를 사용한 경우 나노와이어의 spring구조를 얻을 수 있었다는 점이다. MOCVD에 의하여는 Ga2O3및 Bi2O3 나노와이어를 비교적 저온에서 합성하였고 In2O3의 경우는 독특한 나노구조를 형성하였고 이의 결정학적 특성에 대하여 조사하였다.

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