• 분석과학
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• 제10권4호
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• pp.300-306
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• 1997

직류전압강하법을 이용한 균열길이 측정방법은 입출력 도선의 위치 및 보정방법에 큰 영향을 받는다. 본 실험에서는 CT 시편을 실제 시편보다 9배 크기로 제작하여, 입출력 도선의 위치, 열 유도 EMF 및 기준전압의 위치가 기존의 보정곡선에 미치는 영향을 연구하였다. 연구 결과 입력전류 도선의 위치가 하중선에 위치할 때, Hicks-Pickard 관계식이 매우 정확하게 a/W와 V/Vo간의 관계를 나타내었으며, 이 때 Vo값을 a/W=0.241에서 측정 또는 계산된 값을 사용하고, 열유도 EMF를 보정함으로써 더욱 정확성을 향상시킬 수 있음을 알았다. 또한 입력도선이 하중선에 위치할 때 기준전압을 CT 시편에서 일반적으로 사용되는 위치인 시편 끝 하단에서 측정할 경우, 기준전압으로 보정한 전압값은 매우 큰 오차를 나타내었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제4권2호
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• pp.181-191
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• 2000

본 논문에서는 증식형 MOS 트랜지스터와 저항만을 사용하여 기준전압을 발생하기 위한 두 가지 방법을 제안하였다. 첫 번째 방법은 문턱전압에 비례하는 전압성분과 열전압에 비례하는 전압성분을 합하여 온도보상을 하는 전압모드 방식이고, 두 번째는 문턱전압에 비례하는 전류성분과 열전압에 비례하는 전류성분을 합하여 온도보상을 하는 전류모드 방식이다. 설계된 회로들을 $0.65{\mu}m$ n-well CMOS 공정 페러미터를 사용하여 HSPICE 모의실험한 결과, 전압모드 회로의 경우 공급전압에 대한 변화율은 $-30^{\circ}C{\sim}130^{\circ}C$의 온도범위에서 0.21%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 $3V{\sim}12V$의 공급전압 범위에서 $48.0ppm/^{\circ}C$ 이하이다. 전류모드 회로의 경우는 공급전압에 대한 변화율이 $-30^{\circ}C{\sim}130^{\circ}C$의 온도범위에서 0.08%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 $4V{\sim}12V$의 공급전압 범위에서 $38.2ppm/^{\circ}C$ 이하이다. 또한 전력소모는 5V, $30^{\circ}C$일 때 전압모드 경우와 전류모드 경우 각각 $27{\mu}W$와 $65{\mu}W$로 저전력 특성을 보인다. 제작된 전압모드 기준전압 발생회로를 측정한 결과, 공급전압에 대한 변화율은 $30^{\circ}C{\sim}100^{\circ}C$의 온도범위에서 0.63%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 $3.0{\sim}6.0V$의 공급전압 범위에서 $490ppm/^{\circ}C$ 보다 작다. 제안된 회로들은 구조가 간단하기 때문에 설계가 용이하고, 특히 전류모드의 경우 넓은 범위의 기준전압 발생이 가능하다는 장점을 갖는다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기설비전문위원
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• pp.33-36
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• 2004

단상 및 3상 부하를 동시에 공급할 수 있는 3강 4선식 배전시스템은 일반 수용가 및 상업용, 공장 등의 시설에 널리 적용되고 있다. 한대의 변압기로 전력을 공급할 수 있으므로 작은 공간과 시스템 구성의 간편함이 장점이지만, 부하 운전패턴의 다양화와 컴퓨터 및 가변속 드라이브와 같은 비선형부하의 사용 증가시 전압불평형에 의한 문제점 발생은 큰 문제가 되고 있다. 외국의 경우 전압불평형에 의한 영향을 줄이기 위해 전압별 또는 부하의 종류에 따라 전압불평형율에 대한 규정을 제시하고 있으나, 국내에서는 전기철도와 같은 대형 부하에서만 전압불평형율의 기준만 정립되어 있고, 선형 및 비선형부하에 대해서는 규정이 제시되어 있지 않아 점차 증가하는 다양한 부하의 종류에 효율적으로 대처하기가 매우 어렵다. 따라서 본 연구에서는 국내외 전압불평형율에 대한 기준의 비교와 측정방법에 대한 내용을 제시 하고자 한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권4호
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• pp.9-9
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• 2001

반도체 소자가 소형화 되면서 소자의 신뢰성을 유지하고 전력 소모를 줄이기 위해 기가-비트 DRAM의 동작 전압은 1.5V 이하로 줄어들 것으로 기대된다. 따라서 기가-비트 DRAM을 구현하기 위해 저전압 회로 설계 기술이 요구된다. 이 연구에서는 지금까지 발표된 저전압 DRAM 회로 설계 기술에 대한 조사결과를 기술하였고, 기가-비트 DRAM을 위해 4가지 종류의 저전압 회로 설계 기술을 새로이 제안하였다. 이 4가지 저전압 회로 설계 기술은 subthreshold 누설 전류를 줄이는 계층적 negative-voltage word-line 구동기, two-phase VBB(Back-Bias Voltage) 발생기, two-phase VPP(Boosted Voltage) 발생기와 밴드갭 기준전압 발생기에 대한 것인데, 이에 대한 테스트 칩의 측정 결과와 SPICE 시뮬레이션 결과를 제시하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2020년도 전력전자학술대회
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• pp.190-192
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• 2020

본 논문은 LCC-S 보상회로를 적용한 무선충전시스템의 출력전압 크기에 따른 송신부와 수신부 시스템의 손실을 비교하여 출력전압 설계 기준을 제시한다. 출력전압에 따라 풀 브리지 인버터와 송수신 PAD 및 보상회로, 정류기의 손실을 분석한다. 출력전압에 따른 송수신 시스템의 손실을 비교하여 LCC-S 공진 방식을 적용한 무선충전 시스템의 출력전압을 설계하는 기준을 제시한다. 출력전압에 따른 3.3kW 급 프로토타입을 제작하여 실험을 통해 제안된 분석의 타당성을 검증한다.

• 전자공학회논문지
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• 제53권9호
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• pp.54-61
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• 2016

본 논문에서는 6 Gbps 고속 double data rate(DDR) 인터페이스를 위한 기준 전압 발생기와 선형 등화기를 포함하는 단일 종단 수신기를 제안한다. 제안하는 단일 종단 수신기는 낮은 전압 레벨의 입력 신호에 대해 전압 이득을 증가시키기 위해 공통 게이트 증폭기를 사용한다. 저주파의 이득을 줄이고 고주파 피킹 이득을 발생시키는 연속 시간 선형 등화기가 공통 게이트 증폭기에서의 구현을 위해 제안된다. 또한, 공통 게이트 증폭기의 오프셋 노이즈를 줄임으로 전압이득을 극대화하기 위해 기준 전압 발생기가 구현된다. 제안하는 기준 전압 발생기는 디지털 평준화 기법에 의해 2.1 mV의 해상도로 제어된다. 제안된 단일 종단 수신기는 공급전압 1.2 V의 65 nm CMOS 공정에서 설계되었으며 6 Gbps의 동작속도에서 15 mW의 전력을 소모한다. 설계된 등화기는 저주파에서의 이득 대비 3 GHz 주파수에서의 피킹 이득을 5 dB 이상 증가시킨다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.76-78
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• 2004

본 논문에서는 전력시스템에서 상정 사고로 인해서 부하가 급변할 때 계통의 신뢰도를 유지하기 위해서 발전 모선의 전압을 조절하여 부하 모선의 전압을 정상상태의 범위에서 유지시키기 위한 알고리즘을 구조개편 후 비상시에 취할 수 있는 중요한 조치 중 하나로서 재조명한파. 이에 먼저 전력 계통의 상태를 발전기의 예비력을 기준으로 정상상태와 비상상태로 나누고, 계통에서 발생한 상정사고에 대하여 발전 모선의 전압변동을 통해서 부하 모선의 전압을 정상상태의 범위에서 유지하도록 한다. 하지만 심각한 상정사고가 발생하여 발전기의 출력이 정상상태의 예비력 기준을 초과하여 발전을 해야만 하는 상황이면, 이를 계통의 비상상태로 선언하고, 이를 다시 정상상태로 회복시킬 수 있도록 하는 새로운 알고리즘을 제안하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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• pp.823-826
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• 2013

구내 통신 선로에 유입되는 낙뢰나 유도에 의한 서지로부터 통신 설비 및 이용자를 보호하기 위하여 국선과 구내 케이블의 접속 지점에 외부로부터의 과전압 또는 과전류를 차단하기 위한 보호기를 설치하고 있다. 국내에서 이러한 보호기에 대한 설치 의무 및 성능 기준 등을 기술기준으로서 규정하고 있으나 현행 기술기준은 PSTN 서비스에 기반을 두어 수립된 기준으로 통신 기술의 발전에 따른 서비스의 다변화에 대응하고 있지 못하고 있다. 지난 연구에서 이러한 구내통신설비의 가입자 보호기 기술기준에 대한 개선 방향에 대한 제언을 한 바 있으며 이에 본 논문에서는 구내 통신용 보호기의 성능 기준 중 과전압 제한 성능 기준을 개정안을 마련하고 이의 검증을 위한 시험을 통해 개정안에 대한 타당성을 제시한다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2000년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.413-416
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• 2000

본논문에서는 유도전동기 속도 및 토크 제어시 고조파의 왜형률을 감소시키고 디지털 구현이 용이하며 선형제어 영역을 증가시킬 수 있는 스위칭 방식으로 Space voltage Vector PWM(Pulse Width Modulation) 설명하였으며 시뮬레이션하기 위한 user_tool로써 Matlab/Simulink를 이용하여 SVPWM을 구현하는 방법을 설명하였다 결과적으로 개루프 운전 시 유도기에 인가되는 기준전압을 각각 비과변조와 과변조 시 전압비율 변경방식을 사용하여 나타나는 응답으로 가상스위칭 시간 T1, T2, T0 와 속도, 상전류, 토크응답을 알아보았다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권10호
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• pp.425-430
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• 2003

A CMOS Voltage-Controlled Oscillator(VCO) for application at temperature stable system is designed. The VCO consists of bandgap voltage reference circuit, comparator, and voltage-to-current converter and the VCO has a temperature stable characteristics. The difference between simulated and calculated values is less than about 5% in output characteristics when the input voltage range is from 1V to 3.25V. The CMOS VCO has error less than about $\pm$0.85% in the temperature range from $-25^{\circ}C$ to $75^{\circ}C$.