• 정보와 통신
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• 제30권12호
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• pp.51-56
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• 2013

최근 스마트 기기와 소셜 네트워크의 확산으로 수많은 근접디바이스간의 직접 정보전달이 활성화됨에 따라 급속도로 근접모바일 직접통신 기술에 대한 관심이 고조되고 있다. 직접통신 기술은 광역 직접통신, 협역 직접통신, 초근접 직접통신으로 분류될 수 있으며, 본 고에서는 NFC 기술의 시발점으로 급속도로 확산되고 있는 초근접 직접통신 기술의 동향에 대해 알아보고, 또한 미래의 기가급 초근접 통신 서비스를 제공하기 위한 초고속 저전력 NFC 기술로서 부각되고 있는 Zing 기술에 대해 알아본다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제21권9호
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• pp.151-160
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• 2020

정부의 주요 정책으로 다양한 스마트시티 사업들이 활발히 추진되고 있다. 이러한 정부주도 스마트시티의 성공은 현재 진행 중인 사업들의 성과를 확산 보급시킬 수 있는 지속가능한 거버넌스 구축에 달려있다. 이에 본 연구에서는 미국과 유럽의 스마트시티 정책 사례를 성과 확산의 관점에서 비교 분석하여 국내 스마트시티 거버넌스 구축을 위한 정책방향을 제안하였다. 비교항목은 시범도시, 스마트시티 기술과 서비스의 확산, 성과의 측정, 스마트시티 지식정보의 축적, 표준화로 구분하였다. 분석결과 미국과 유럽의 스마트시티 정책은 성공사례 창출과 확산을 위해 시범도시를 구축하고, 민간부문의 참여기회를 확대하고, 평가체계 개발과 표준화를 통한 기술과 서비스의 재사용과 확산 추진하는 등 각 지표별 항목들이 유기적으로 연계된 것으로 나타났다. 분석된 결과를 바탕으로 국내 스마트시티 성과확산을 위해 시범도시 후속방안의 조기 마련, 사업성과 평가체계 구축, 통합된 지식축적 체계 마련, 민간분야 참여확대를 위한 본격적인 산업활성화 정책추진의 네 가지 정책방향을 제시하였다. 본 연구의 결과는 시범단지와 실증사업 중심으로 진행되고 있는 정부 스마트시티 정책의 후속 과제 발굴과 세부 추진방법을 구체화에 활용될 수 있을 것이다.

• 한국재난정보학회:학술대회논문집
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• 한국재난정보학회 2022년 정기학술대회 논문집
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• pp.173-174
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• 2022

최근 건설업계의 높은 사고율을 줄이기 위한 노력의 일환으로 스마트 건설 안전 기술이 도입되고 있으며, 일부 제도적 개선이 동시에 이루어지고 있다. 본 연구는 이러한 개선기관의 효과를 파악하고, 스마트 안전기술의 현장적용 확산을 위한 개선의견을 추가로 도출하기 위해 수행되었다. 건설산업 참여자를 대상으로 설문조사를 실시하였으며, 건설현장에서 스마트 안전기술 확산을 위한 제도개선 인식 및 추가요건을 조사하였다. 조사결과 스마트건설 안전기술의 현장 적용에 대한 높은 관심이 확인되었으며, 안전관리비, 현장 안전서류 중복 등 일부 문제가 제기되었다. 본 연구를 통해 도출된 의견은 건설현장에 스마트건설 안전기술 도입 및 확산을 위한 향후 제도개선 기준자료로 활용될 예정이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.9-11
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• 2001

차세대 고속 DRAM기술에 사용될 금속인 Cu의 확산 방지막(diffusion harrier) 물질로는 Ta 또는 W 같은 Refractory metal 이 융점(melting point)이 높고 저항값이 낮아 많이 연구 보고되고 있으나, 본 논문에서는 초고주파 소자에서 Au의 확산 방지 막으로 많이 사용되고 있으며. 선택적 증착이 용이한 Pt과 Ni를 MOS 소자의 Cu 확산 방지 막으로 적용하며 어닐링한 후 소자의 게이트 산화막 누설전류($I_{leak}$), 그리고. Si/$SiO_2$ 계면의 trap density 등의 변이를 측정하여 Cu가 소자의 특성 열화에 미치는 영향을 연구하였다. 실험 결과 Pt/Ti($200{\AA}/100{\AA}$)를 적용한 경우 소자 측성 열화가 가장 적었으며. 이는 Copper의 확산 방지막으로 Pt/Ti를 사용하여 전기적 특성 및 계면 특성을 개선시킬 수 있음을 보여 주었다. 이는 SIMS Profile을 통해서도 확인하였다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
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• pp.215-217
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• 2007

반도체 집적화 기술의 발달로 반도체 공정에서 디바이스의 선폭은 줄어들고, 박막의 다층화가 필수적인 과정이 되었다. 이에 따라 반도체에서 Si 기판과 금속 배선과의 열적 안정성에 대한 신뢰성이 더욱 중요시 되어가고 있다. 이를 방지하기 위하여 우리는 3개의 화합물로 구성된 Tungsten-Carbon-Nitrogen (W-C-N) 확산방지막을 사용하였다. 실험은 Si 기판위에 W-C-N박막을 물리적 기상 증착법(PVD)으로 질소비율을 변화하며 확산방지막을 증착하여 Si 기판과 W-C-N확산방지막의 특성을 여러 온도 열처리 조건에서 확인하였다. 특성을 분석을 위하여 ${\alpha}-step$과 ${\beta}-ray$를 이용하여 증착률을 확인한 후 4-point probe를 이용하여 비저항을 측정하였고, X-ray Diffraction 분석을 통하여 결정 내부의 변화를 확인하였다. 이를 통하여 W-C-N 확산방지막의 열적인 안정성을 질소변화에 따라 조사하였다.

• 에너지공학
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• 제4권1호
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• pp.115-125
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• 1995

본“천연가스 다단연소기술 연구”는, 공업적으로 널리 쓰이는 선회확산 방식으로 천연가스를 연소시킬 때 그 연소 특성과 발생되는 환경오염물질인 일산화탄소(CO)와 질소산화물(NOX)의 저감에 대한 연구로서, 천연가스의 난류확산화염과 선회확산화염의 유동장, 온도장, 농도장을 실험과 수치해석을 통하여 분석하여 각각 연소방식의 화염구조와 특성을 규명하고 해석하였다. 그리고 그 결과를 토대로하여 다단확산 연소실험 장치를 제작 다단확산연소의 중요한 인자인 1차당량비, 2차공기주입위치, 유속, 선회도 등을 변화시켜 질소산화물 저감과 높은 연소효율을 얻을 수 있는 최적의 연소조건을 찾아 내었다. 본고에서는 실험부분만을 간추려 발표하고 수치해석 부분은 다음 기회로 미루고자 한다.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제2권1호
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• pp.183-193
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• 1999

환원분위기 소결조건에서 반도성 (Sr0.85Ca0.15)TiO3 소결체를 제조한후, 금속 양이온(Na, K)을 소결체 입계를 통해 확산시켜 확산시간과 확산량에 따른 소결체의 전기적 특성 변화를 고찰하였다. K이온과 Na 이온을 입계확산시킨 경우 반도성 소결체는 바리스터 특성을 나타내며, 확산시간과 확산량이 증가함에 따라 문턱전압이 증가하였다. 이들 소결체의 입계전위장벽은 0.01 ~ 2.89 eV이며 입계저항은 2.2 ~ 120.4 $M{\Omega}$ 값을 나타냈다 투과전자현미경을 이용하여 입계의 구조를 관측하였으며 이들 결과와 소결체의 전기적 특성과의 상관관계를 고찰하였다.

• 방사성폐기물학회지
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• 제16권2호
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• pp.203-209
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• 2018

중성자 수송방정식으로 기술되는 중성자 거동을 중성자 확산방정식으로 계산하기 위해서는 수송경계조건에 대한 정확한 확산근사가 필요하다. 본 연구에서는 수송이론의 반사 및 진공경계조건에 대한 근사로 확산계산에서 광범위하게 사용되는 영중성자류, Marshak 및 Mark, 영중성자속, Albedo 조건 등에 대하여 수송이론의 확산근사 관점에서 유도 분석하여 각 조건의 수학적, 물리적 의미를 이해하고 서로의 상관관계를 보였다. 이러한 경계조건을 갖는 대상 문제를 서로 다른 확산경계조건을 사용하여 풀어 결과를 비교하였고 이들이 수송 경계조건을 비교적 정확히 기술함을 보였다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2003년도 춘계학술발표논문집
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• pp.250-252
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• 2003

본 논문에서는 콘벌루션 부호를 사용한 대역확산 방식의 디지틀 통신모뎀을 FPGA를 이용하여 설계 및 검증을 하였다. 대역확산 방식에서의 콘벌루tus부호기(K=3, R=1/2), PN code(128chip) generator와 비터비 디코더를 Xilinx사의 FPGA 디자인 툴인 Xilinx Foundations3.1을 사용하여 VHDL simulation과 timing simulation을 수행하였고, FPGA 회로설계 검증 장비인 EDA-Lab 3000 장비를 사용하여 Xilinx사의 SPARTAN2 2S100PQ208칩에 configuration 한 후 Agilent사의 1681A logic analyzer를 사용하여 설계된 회로의 동작을 검증하였다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제4회(2015년)
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• pp.171-176
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• 2015

일반적으로 어떠한 계의 크기가 커지면 확산계수 (Diffusion coefficient, D) 는 증가하는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 원자의 개수와 계의 크기를 증가시키면서 정방계와 직방계에서의 확산계수를 계산하였다. 확산계수를 계산하는 방법으로 Einstein-Smoluchowski 관계식을 사용하였다. 정방계에서 x, y, z축의 확산계수를 계산해본 결과, 계의 크기와 원자의 개수가 증가할 때 각 축의 확산계수도 같이 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 그리고 직방계에서 x, y축의 셀 길이를 고정시키고 z축의 셀 길이를 늘여가며 확산계수를 계산해본 결과, x, y축의 확산계수는 정방계와 비슷하게 증가하는 경향을 보였으나 z축의 확산계수는 변화가 거의 없음을 확인할 수 있었다.