• Title/Summary/Keyword: 기술적 특성

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원자력 계측제어(I&C)의 특성

  • 최중인
    • ICROS
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    • v.2 no.5
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    • pp.5-9
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    • 1996
  • 계측제어(Instrumentation & Control)는 전기 전자, 기계, 항공, 조선, 화공 및 원자력 등의 모든 분야에 적용되면서 하나의 독자적 세부 분야로 자리잡고 있다. 또한 공학분야 이외에도 경제, 정치, 사회, 환경 및 의학 등 다양한 분야에서 그 학문적 적용 영역을 확대시켜 나아가고 있다. 그런데 계측제어가 그 적용되는 분야의 기술적 내용에 따라 고유한 특성을 가지고 있다. 본 기술논단에서는 원자력 분야의 계측제어의 고유한 특성에 대하여 기술하고자 한다.

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A Study on the effects of IT characteristics and on the resistance of end-user (정보기술특성과 경영지원특성이 사용자 저항에 미치는 영향에 관한 연구)

  • Han, Kyung-Il;Park, Jong-Mi
    • Proceedings of the Korea Society for Industrial Systems Conference
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    • 2008.10b
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    • pp.331-340
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    • 2008
  • 본 연구는 농협을 대상으로 정보시스템 사용자의 저항요인을 감소시키고 사용자의 만족을 제고시킬 수 있는 효율적인 운영방안을 모색하기 위하여 정보기술 특성 및 경영지원 특성이 사용자들의 저항에 미치는 영향관계를 알아보았으며, 그 연구결과는 다음과 같다. 첫째, 정보기술특성과 사용자 저항변수간의 분석결과에 의하면, 정보기술의 유용성과 용이성은 사용자저항과 부(-)의 관계가 발견되어 정보기술의 유용성과 용이성이 높을수록 사용자 저항은 감소한다고 할 수 있다. 따라서 정보기술의 유용성, 용이성은 사용자 저항에 중요한 영향을 미치는 변수임을 확인하였다. 둘째, 경영지원변수 중 경영자지원과 사용자 저항 간 분석결과에 의하면, 전혀 유의한 관계가 발견되지 않았다. 따라서 정보기술특성요인이 경영지원 특성요인보다 중요한 영향을 미치는 변수임 을 확인하였다. 본 연구의 결과는 농협이 CRM 시스템을 효율적으로 구축하고 운영하는데 있어 필요한 정보기술시스템의 특성에 관한 정보를 제공하였다는데 그 의의가 있다. 하지만 본 연구는 사용자 저항의 원인변수 중 정보기술특성 및 경영지원특성에 관한 변수만을 사용하였다는 한계점을 갖고 있다. 따라서 향후에는 보다 다양한 사용자 저항 영향요인들을 고려한 연구가 진행되어야 한다고 본다.

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초저전력 무선통신 기술

  • 양석철;최성수;오휘명;신요안
    • The Magazine of the IEIE
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    • v.30 no.11
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    • pp.55-67
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    • 2003
  • 최근 무선통신 분야는 유비쿼터스 시대의 도래라는 새로운 변혁에 발빠르게 대응하면서, 이를 보다 효율적이고 신속하게 현실화시키기 위해 요구되는 다양한 기술적 특성들에 대한 연구 개발에 주력하고 있는 상황이다. 이러한 추세에 발맞추어, 본 논문에서는 향후 유띠쿼터스 네트워크구축에 필수적인 무선통신 시스템의 저전력화를 위한 기존 제반 무선통신 기술의 개선 방안과 더불어 초저전력, 초고속 전송 및 위치추적 특성으로 인해 최근 각광받고 있는 UWB기술에 대해 소개하고자 한다. 특히, 보다 실용적인 저전력화를 위해 시스템 및 회로 레벨에서의 전력 문제를 병행적으로 고려했으며, 초저전력 UWB기술이 각광받는데 뒷받침되는 다양한 특성과 더불어 최근 연근 동향에 초점을 맞추었다.

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고품위 능동형 산화물 나노구조 성장 및 물성 평가

  • Jo, Hyeong-Gyun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.3-3
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    • 2008
  • 21 세기 제 3의 산업혁명을 가져올 것으로 기대되는 나노기술(NT), 정보기술(IT), 바이오기술(BT)은 전 세계 과학자들의 마음을 사로잡고 있다. 이 가운데 나노기술은 전자산업에 응용시 그 기대효과는 우리가 상상하는 이상의 것이라 예상하고 있다. 나노기술에 특히 관심을 가지는 이유는 물질이 마이크로미터 크기로 작아져도 벌크 물질의 물리적 특성이 그대로 유지되지만, 나노미터 크기가 되면서 우리가 경험하지 못했던 새로운 물리적 특성들이 발현되기 때문이다. 그 특성에는 양자구속효과, Hall-Petch 효과, 자기효과 등이 있다. 나노기술의 구현은 양자점과 같은 영차원 나노입자, 나노와이어, 나노막대, 나노리본 등과 같은 직경이 100nm 이하의 일차원 구조의 나노물질 및 나노박막과 기타 100nm 이하의 나노구조물들이 사용된다. 현재 일차원 구조를 이용한 전자디바이스화 연구는 결정성장을 정확하게 조절하는 합성기술 합성된 일차원 나노물질의 물리적 특성을 지배하는 각종 파라미터들과 물리적 특성들과의 상관관계 정립, 나노와이어를 이용한 Bottom-up 방식에 의한 조립기술 확보를 위해 활발히 진행 중이다. 하지만 나노구조의 특성을 확인하는 형태의 연구일 뿐, 실제 디바이스화에는 여전히 많은 과제를 안고 있다. 본 연구에서는 산화아연을 기반으로 한 고품위 능동형 산화물 나노구조의 다양한 성장방법 및 물성 평가에 대해 연구하였다. 성장장비로는 MOCVD와 스퍼터링을 이용하여 대면적 균일 성장을 이룰 수 있었다. 특히 실제 광전소자에 응용요구에 알맞은 Bottom-up 방식에 의한 수직성장 기술, 길이/직경 비 향상 기술, 결정성 향상 기술, 저온성장 기술, Dimension 조절 기술 Interfacial layer 제거 기술 등을 중점적으로 연구하였다. Dimension 조절 기술로 p-Si 기판위에 성장된 나노 LED에서는 밝은 emission을 관찰하였으며, 세계에서 최초로 스퍼터링을 이용하여 4인치 웨이퍼에 대면적 수직 성장하였다. 최근에는 선택적 삼원계 씨앗층을 이용한 길이/직경 비가 매우 향상된 MgZnO 나노와이어를 Interfacial layer 없이 수직으로 성장하여 산화물 전계방출 에미터로서의 가능성을 확인하였다.

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저온 증착 Nano-Crystalline TCO

  • Hong, Mun-Pyo
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.6-6
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    • 2010
  • Indium Tin Oxide (ITO)를 포함한 Transparent Conduction Oxide (TCO)는 LCD, OLED와 같은 Display, 그리고 Solar Cell 등 광신호와 전기신호간 변환이 필요한 모든 Device에 반드시 필요한 핵심 물질로, 특히 고특성 Display의 투명전극에서 요청되는 95% 이상의 투과도와 $15\;{\Omega}/{\square}$ 이하의 면저항 특성을 동시에 만족할 수 있는 기술은 현재까지 Plasma Sputtering 공정으로 $160^{\circ}C$ 이상에서 증착된 ITO 박막이 유일하다. 그러나, 최근 차세대 기술로서 Plastic Film을 기반으로 하는 Flexible Display 및 Flexible Solar Cell 구현에 대한 요구가 급증하면서, Plastic Film 기판위에 Plasma Damage이 없이 상온에 가까운 저온 ($100^{\circ}C$ 이하)에서 특성이 우수한 ITO 투명전극을 형성 할 수 있는 기술의 확보가 중요한 현안이 되고 있다. 지난 10년 동안 $100^{\circ}C$이하 저온에서 고특성의 ITO 또는 TCO 박막을 얻기위한 다양한 연구와 구체적인 공정이 활발히 연구되어 왔으나, ITO의 결정화 온도 (통상 $150{\sim}180^{\circ}C$)이하에서 증착된 ITO박막은 비정질 상태의 물성적 특성을 보여 원하는 전기적, 광학적 특성확보가 어려웠다. 본 논문에선 기본적으로 절연체 특성을 가져야 하는 산화물인 TCO가 반도체 또는 도체의 물리적 특성을 보여주는 기본원리의 고찰을 토대로, 재료학적 특성상 Crystalline 구조를 보여야 하는 ITO (Complex Cubic Bixbyte Structure)가 Plasma Sputtering 공정으로 저온에서 증착될 때 비정질 구조를 갖게 되는 원인을 규명하고, 이를 바탕으로 저온에서 증착된 ITO가 Crystalline 구조를 유지 할 수 있게 하고, Stress Control에 유리한 Nano-Crystalline 박막을 형성하면서 Crystallinity를 임의로 조절 할 수 있는 새로운 기술인 Magnetic Field Shielding Sputtering (MFSS) 공정과 최근 성과를 소개한다. 한편, 또 다른 새로운 저온 TCO 박막형성 기술로서, 유기반도체와 같은 Process Damage에 매우 취약한 유기물 위에 Plasma Damage 없이 TCO 박막을 직접 형성할 수 있는 Neutral Beam Assisted Sputtering (NBAS) 기술의 원리를 설명하고, 본 공정을 적용한 Top Emission OLED 소자의 결과를 소개한다. 또한, 고온공정이 수반되는 Solar Cell용 투명전극의 경우, 통상의 TCO박막이 고온공정을 거치면서 전기적 특성이 열화되는 원인을 규명하고, 이에 대한 근본적 해결 방법으로 ITO 박막의 Dopant인 Tin (Sn) 원자의 활성화를 증가시킨 Inductively Coupled Plasma Assisted DC Magnetron Sputtering (ICPDMS)의 원리와 박막의 물성적 특성과 내열 특성을 소개한다.

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Wear Behaviours and Material Characteristics of TiN Coatings (CAE에 의한 TiN 증착층의 특성 및 마모거동에 관한 연구)

  • Song, Gun;Yoon, Eui-Sung;Ahn, Hyo-Sok
    • Proceedings of the Korean Society of Tribologists and Lubrication Engineers Conference
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    • 1991.11a
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    • pp.38-43
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    • 1991
  • 일반 금속재료로써 표면층이 최적의 tribology적 성질을 갖도록 하기에는 한계점이 있으며, 이러한 문제점을 해결하기 위한 수단으로 bulk material에 그것이 갖지 못하는 tribology적으로 우수한 성질을 그 표면층에 부여하는 기술로 여러가지 방법이 개발되어 왔으며 그 중 대표적인 것이 표면코팅기술이다. 표면 코팅기술중에서도 세라믹코팅기술이 최근에 들어 최고의 관심사가 되고 있는데 이는 세라믹재의 특징이 고강도, 고경도, 내산화성 및 내화학적 성질 등 기계 요소가 받는 가혹한 조건에 최적의 내성을 지니기 때문이다. 특히 세라믹재가 갖는 고강도, 고경도의 성질은 마찰, 맘모 특성의 향상을 극대화시킬 수 있기 때문에 마찰, 마모가 문제시되는 기계요소에의 적용전망은 매우 밝으며, 특히 취약한 환경 즉, nuclear industry와 우주산업 등과 같이 재래의 윤활기술이 제대로 적용될 수 없는 분야에 세라믹코팅기술의 응용은 절대적으로 필요하다. 현재 세라믹 재료의 마찰과 마모특성에 대한 연구는 전 세계적으로 비교적 활발히 진행되고 있으나 세라믹 코팅으로서의 세라믹재의 마찰, 마모특성에 대한 연구는 아직 초보단계에 있다고 할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 현재 응용범위를 넓혀가고 있는 TiN을 cathodic arc evporation(CAE)-기술을 이요하여 모재에 코팅을 하여 그 증착층의 재료적 특성 및 마모특성에 대하여 고찰하였다.

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The R&D System and Strategy for Electrotechnology Development (국가 전력기술 개발을 위한 R&D 체계 및 전략)

  • 이창호
    • Proceedings of the Korea Technology Innovation Society Conference
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    • 1999.05a
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    • pp.409-419
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    • 1999
  • 전기기술은 기술의 특성상 민간에 대한 유인이 적은 공유성 기술이나 대학 또는 기업이 감당하기 어려운 대형복합기술의 비중이 높으며, 최근 들어 전력산업의 구조개편 등에 따라 국가적 기술개발수요가 확대됨과 동시에 전기기술의 이용분야 확대와 타 기술과의 융합화 및 대형화로 신기술수요가 늘어나고 있다. 현재 우리 나라의 전기기술 R&D체제에서는 공공기술에 대한 사각지대가 발생하고 있음에도 불구하고 국가차원의 R&D 공급이 미약하여, 거대한 시험설비와 첨단고가장비를 필요로 하는 시스템기술로 일부 기기나 시스템운용을 제외하고는 개별기업이나 전력회사에 대한 기술개발 유인이 크지 않으며, 따라서 전기기술분야의 R&D 실태 파악과 역할에 대한 검토를 통해 R&D 주체별 기관특성에 맞는 국가 R&D체계의 정립이 필요한 실정이다. 따라서, 앞으로는 전기기술분야의 국가 R&D 목표 및 기본전략에 따라 국가 R&D 자원의 규모, R&D 주체간의 역할분담 등 전반적인 R&D 체계의 구축이 선행되어야 하며, 이를 통해 기관별 Mission 및 고유기능을 토대로 전문성 제고와 특성화를 유도할 수 있는 연구여건의 조성이 시급하다 하겠다. 특히, 장기대형연구, 원천기술연구, 기초기반연구, 연구기반구축, 인력양성 등 필수적 국가기능에 대해서는 기관별 특성에 따라 안정적인 역할수행이 가능하도록 역할분담 및 정책적 지원을 하되, 그 밖의 영역이나, 민간 및 전력회사의 독자적인 R&D에 대해서는 경쟁 및 협력을 통한 연구효율성 향상을 유도하는 방향으로 나가는 것이 바람직할 것이다. 국가적 전력기술 R&D의 효과적인 수행과 실효성 확보를 위해서는 재원확보가 선행되어야 하며, 이를 위한 방안으로는 기존의 전력사업자에게는 기술개발충당금 또는 전기요금 중 일정비율을 국가적 R&D 재원으로 설정할 수 있을 것이며. 신규 사업자에게도 규제비용의 차원에서 일정 부담금을 부과하는 방법이 가능할 것이다. 이러한 재원을 가지고 사업성격 및 R&D 유형에 따라 역할분담에 따른 지원, 정책적 사업, 경쟁적 사업공모 등을 통해 지원분야 및 규모, 대상기관 등에 대한 선별적인 지원이 이루어져야할 것이다.

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The Impact of Generative AI's Technical Characteristics and Librarians' Personal Traits on Intention to Use Generative AI (생성형 AI의 기술적 특성과 사서의 개인적 특성이 생성형 AI 사용의도에 미치는 영향)

  • Seonghee Kim;Seung Min Lee
    • Journal of the Korean BIBLIA Society for library and Information Science
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    • v.35 no.2
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    • pp.109-133
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    • 2024
  • This study investigated the impact of the technical characteristics of Generative AI (GAI) and librarians' personal traits on their intention to use GAI. Personalization, interaction, and context awareness were considered as technical characteristics of GAI that influence the intention to use GAI, while innovativeness and frequency of GAI use were considered as librarians' personal traits. The study targeted 187 librarians working in libraries, and 165 questionnaires were collected and analyzed. The results showed that the technical characteristics of GAI had a statistically significant impact on the intention to use GAI. Additionally, librarians' personal traits, namely innovativeness and frequency of GAI use, were also found to have a significant impact on the intention to use GAI. The findings of this study can be used as valuable information to help librarians increase their intention to use GAI and improve the quality and satisfaction of library services.

A Study on the Effect of Characteristics and Interactions of MSNG on User Satisfaction (MSNG의 특성과 상호작용이 사용자만족에 미치는 영향에 관한 연구)

  • Oh, Eun-Hae
    • The Journal of the Korea Contents Association
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    • v.18 no.4
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    • pp.622-635
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    • 2018
  • On top of presenting the possibility of expanding the game space to social space through mobile communication, MSNG reinforces the strengths of SNS and the fun of games through closer networks between users. This study empirically verified the effects of the characteristics of MSNG on interactions and user satisfaction by dividing the main characteristics of MSNG into graphics, challenge spirit, and reward, and then dividing the main characteristics of mobile social network service into social interaction and technical interaction. In the results of study, the main characteristics of MSNG such as graphics, challenge spirit, and reward all had significant effects on the social interaction and technical interaction while the social interaction and technical interaction of MSNG also had significant effects on the user satisfaction, so that the hypotheses of this study were all selected. The influence of the characteristics of MSNG on interactions might be because of shared feedbacks through graphics, game tasks, and reward in the performance process of MSNG, and such interactions make diverse people have the horizontal or circular communication, which is led to the increase of user satisfaction.

Electrical Characterization of Strained Silicon On Insulator with Pseudo MOSFET (Pseudo MOSFET을 이용한 Strained Silicon On Insulator의 전기적 특성분석)

  • Bae, Young-Ho;Yuk, Hyung-Sang
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.06a
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    • pp.21-21
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    • 2007
  • Strained silicon 기술은 MOSFET 채널 내 캐리어 이동도를 향상시켜 집적회로의 성능을 향상시키는 기술이다. 최근에는 strained 실리콘 기술과 SOI(silicon On Insulator) 기술을 접목시켜 집적회로 소자의 특성을 더욱 향상시킨 SSOI(Strained Silicon On Insulator) 기술이 연구되고 있다. 본 연구에서는 pseudo MOSFET 측정법을 이용하여 strained SOI 웨이퍼의 전기적 특성 분석을 행하였다. pseudo MOSFET 측정법은 SOI 웨이퍼의 전기적 특성분석을 위해 고안된 방법으로써 산화, 도핑 등의 소자 제조 공정 없이도 SOI 표면 실리콘층의 이동도와 매몰산화막과의 계면 특성 등을 분석해 낼 수 있는 기술이다. 표면 실리콘층의 두께와 매몰산화막의 두께가 각각 60nm, 150nm인 SOI 웨이퍼와 동일한 막 두께를 가지며 표면 실리콘층이 strained silicon인 SSOI 웨이퍼를 제작하여 그 특성을 비교 분석하였다. Pseudo MOSFET 측정 결과 Strained SOI 웨이퍼에서 표면 실리콘총 내의 전자 이동도가 일반적인 SOI 웨이퍼보다 약 25% 향상되었으며 정공 이동도나 매몰산화막의 계면 트랩밀도는 큰 차이를 보이지 않았다.

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