Characterization of Gate Oxides with a Chlorine Incorporated $SiO_2/Si$ Interface
(염소(Chlorine)가 도입된 $SiO_2/Si$ 계면을 가지는 게이트 산화막의 특성 분석)
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- Journal of the Korean Vacuum Society
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- v.2 no.2
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- pp.188-198
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- 1993