• 한국군사과학기술학회지
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• 제17권1호
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• pp.142-148
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• 2014

The mirror which is considered in designing a MFD is off-axis primary one and its dimension is wide 556mm height 345mm. The MFD(Mirror Fixation Device) load specification is generated for the high resolution mirror. The optical WFEs for unit loads are calculated from mirror sensitivity analysis and they are compared with allocated allowable optical WFE. The parasite load for the MFD is calculated from their comparison. The MFD compliant with the parasite load is designed.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제16권3호
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• pp.67-73
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• 2009

Cu pillar 범프를 사용한 플립칩 접속부는 솔더범프 접속부에 비해 칩과 기판사이의 거리를 감소시키지 않으면서 미세피치 접속이 가능하기 때문에, 특히 기생 캐패시턴스를 억제하기 위해 칩과 기판사이의 큰 거리가 요구되는 RF 패키지에서 유용한 칩 접속공정이다. 본 논문에서는 칩에는 Cu pillar 범프, 기판에는 Sn 범프를 전기도금하고 이들을 플립칩 본딩하여 Cu pillar 범프 접속부를 형성 한 후, Sn 전기도금 범프의 높이에 따른 Cu pillar 범프 접속부의 접속저항과 칩 전단하중을 측정하였다. 전기도금한 Sn 범프의 높이를 5 ${\mu}m$에서 30 ${\mu}m$로 증가시킴에 따라 Cu pillar 범프 접속부의 접속저항이 31.7 $m{\Omega}$에서 13.8 $m{\Omega}$로 향상되었으며, 칩 전단하중이 3.8N에서 6.8N으로 증가하였다. 반면에 접속부의 종횡비는 1.3에서 0.9로 저하하였으며, 접속부의 종횡비, 접속저항 및 칩 전단하중의 변화거동으로부터 Sn 전기도금 범프의 최적 높이는 20 ${\mu}m$로 판단되었다.

• 보존과학회지
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• 제16권
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• pp.77-88
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• 2004

현재 해체가 진행 중인 익산 미륵사지 석탑을 대상으로 부재의 산출상태 물리적 및 생물학적 풍화와 훼손도를 연구하였다. 또한 향후 보존수복을 위하여 모든 부재의 정밀 조사와 보존과학적 진단을 실시하였다. 이 석탑의 구성부재는 대부분 중립질 흑운모 화강암으로서, 약 3000여개의 석재가 사용되었을 것으로 예측된다. 주요 외면 부재는 총 각446개이나, 탑의 각 층에서 집중하중을 받는 석재들은 균열이 중첩되어 있거나 풍화와 훼손이 아주 심하다. 이 중에서 약 $18.8\%$에 해당되는 84개의 부재가 심하게 훼손되어 있다. 부재에 나타난 물리화학적 훼손상태는 균열, 결손, 박리박막, 마모, 입상분해, 표면요철, 변색, 수산화물의 피복 등으로서 이와 같은 모든 훼손현상을 상세히 기록하고 분석하였다. 이 석탑에 기생하는 조류와 지의류의 피도는 약 $85\%$로 나타났다. 일부 부재를 대상으로 $20\%$ 농도로 희석한 세정용 약제를 도포하였을 때 침해생물종이 고사되고 균주가 억제되었다. 이 결과는 석조 문화재의 해체과정에 따른 정밀 조사연구 및 향후 보존수복 시스템에 적용할 수 있는 중요한 자료로 이용될 것이다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제16권4호
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• pp.9-15
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• 2009

Cu pillar 범프를 사용한 플립칩 기술은 솔더범프를 사용한 플립칩 공정에 비해 칩과 기판 사이의 거리를 감소시키지 않으면서 미세피치 접속이 가능하다는 장점이 있다. Cu pillar 범프를 사용한 플립칩 공정은 미세피치화와 더불어 기생 캐패시턴스를 억제하기 위해 칩과 기판 사이에 큰 거리가 요구되는 RF 패키지에서도 유용한 칩 접속공정이다. 본 연구에서는 Sn 캡을 형성한 Cu pillar 범프와 Sn 캡이 없는 Cu pillar 범프를 전기도금으로 형성한 후 플립칩 접속하여 Cu-Sn-Cu 샌드위치 접속구조를 형성하였다. Cu pillar 범프 상에 Sn 캡의 높이를 변화시키며 전기도금한 후, Sn 캡의 높이에 따른 Cu-Sn-Cu 샌드위치 접속구조의 접속저항과 칩 전단하중을 분석하였다. 직경 $25\;{\mu}m$, 높이 $20\;{\mu}m$인 Cu pillar 범프들을 사용하여 형성한 Cu-Sn-Cu 샌드위치 접속구조에서 $10{\sim}25\;{\mu}m$ 범위의 Sn 캡 높이에 무관하게 칩과 기판 사이의 거리는 $44\;{\mu}m$으로 유지되었으며, 접속부당 $14\;m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었다.