• Title/Summary/Keyword: 기계화학공정

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미세탐침기반 기계-화학적 리소그래피공정을 이용한 3차원 미세 구조물 제작에 관한 기초 연구

  • 박미석;성인하;김대은;장원석
    • Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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    • 2004.05a
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    • pp.128-128
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    • 2004
  • 나노 스케일의 구조물 제작에 있어서 기존의 리소그래피 공정들이 가지는 한계점을 극복하기 위해서 다양한 방식의 새로운 공정들이 개발되고 있다. 특히, 기계-화학적 가공공정을 이용한 미세탐침 기반의 나노리소그래피 기술(Mechano-Chemical Scaning Probe based Lithography; MC-SPL)은 기존의 포토리소그래피 공정의 단점을 극복하고, 보다 경제적이며 패턴 디자인 변경이 유연한 미세 패턴 제작 기술임이 확인되었다.(중략)

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Performance Evaluation of Mortar Containing Mechanochemical Treated Self-Healing Admixtures (기계·화학 처리 자기치유 혼화재가 포함된 모르타르의 성능평가)

  • Park, Dong-Cheol;Kwon, Hyuk;Lee, Jung-Woo;Hwang, Moo-Yeon;Kim, Tae-Hyung
    • Journal of the Korean Recycled Construction Resources Institute
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    • v.9 no.3
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    • pp.367-374
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    • 2021
  • In this study, the applicability of mechanochemical process for the manufacture of self-healing admixtures and the effect of mechanochemical process on the self-healing performance were evaluated. The self-healing admixtures were adopted as a highly reactive materials(expansive agent, swelling material and crystal growth agent) for mechanochemical processes. The self-healing admixtures for the mechanochemical process application were evaluated by X-Ray Diffraction and Fourier Transform Infrared Spectroscopy analysis, water permeability performance was used to evaluate self-healing performance of mortar. As a result of the evaluation, the self-healing performance of the WM(With-Mortar)3 sample to which mechanochemical process increased by 4.1% compared to the WM1 sample that was not treated, and the average healing index was 94.3%.

CMP의 화학 기계적 균형

  • Jeong, Hae-Do
    • Journal of the KSME
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    • v.56 no.7
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    • pp.36-39
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    • 2016
  • 이 글에서는 1G DR AM급 이상의 고집적 반도체 소자를 제조하기 위해 필수적인 표면 평탄화 방법으로 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 공정을 소개한다. 특히 반도체 소자를 구성하는 재료의 화학적 반응과 기계적 마멸 정도에 적합한 연마(polishing) 처방을 제공하고자 한다.

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Performance and Characterization of Ceramic Membrane by Phase Inversion-Extrusion Process with Polymer Binder Mixing (상전이-압출 알루미나 분리막 제조 공정에서 혼합 고분자 바인더 적용에 따른 성능 및 특성 평가)

  • Sojin Min;Ahrumi Park;Yongsung Kwon;Daehun Kim;You-In Park;Seong-Joong Kim;Seung-Eun Nam
    • Membrane Journal
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    • v.33 no.6
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    • pp.439-446
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    • 2023
  • Ceramic membranes are generally used for various industrial processes operating under extreme conditions because of its high thermal and chemical stability. However, due to the trade-off phenomenon of permeability and mechanical strength, preparation of high permeability-high strength membrane is necessary. In this study, the change in characteristics and performances of ceramic membranes was analyzed depending on the type of polymer binder and its mixing ratio. Because the solubility between solvent and polymer binder was higher in PSf (polysulfone) than in PES (polyethersulfone), the viscosity and discharge pressure of the PSf-based dope solution were higher than those of PES-based dope solution. When PSf was used as a polymer binder, ceramic membrane showed high mechanical strength and low water permeability due to the dense structure. On the other hand, in case of PES, the mechanical strength was slightly reduced and the water permeability was increased. It was confirmed that the optimum mixing ratio of the PSf and PES with high water permeability and mechanical strength was 9:1.

Electrochemical Characterization of Anti-Corrosion Film Coated Metal Conditioner Surfaces for Tungsten CMP Applications (텅스텐 화학적-기계적 연마 공정에서 부식방지막이 증착된 금속 컨디셔너 표면의 전기화학적 특성평가)

  • Cho, Byoung-Jun;Kwon, Tae-Young;Kim, Hyuk-Min;Venkatesh, Prasanna;Park, Moon-Seok;Park, Jin-Goo
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.19 no.1
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    • pp.61-66
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    • 2012
  • Chemical Mechanical Planarization (CMP) is a polishing process used in the microelectronic fabrication industries to achieve a globally planar wafer surface for the manufacturing of integrated circuits. Pad conditioning plays an important role in the CMP process to maintain a material removal rate (MRR) and its uniformity. For metal CMP process, highly acidic slurry containing strong oxidizer is being used. It would affect the conditioner surface which normally made of metal such as Nickel and its alloy. If conditioner surface is corroded, diamonds on the conditioner surface would be fallen out from the surface. Because of this phenomenon, not only life time of conditioners is decreased, but also more scratches are generated. To protect the conditioners from corrosion, thin organic film deposition on the metal surface is suggested without requiring current conditioner manufacturing process. To prepare the anti-corrosion film on metal conditioner surface, vapor SAM (self-assembled monolayer) and FC (Fluorocarbon) -CVD (SRN-504, Sorona, Korea) films were prepared on both nickel and nickel alloy surfaces. Vapor SAM method was used for SAM deposition using both Dodecanethiol (DT) and Perfluoroctyltrichloro silane (FOTS). FC films were prepared in different thickness of 10 nm, 50 nm and 100 nm on conditioner surfaces. Electrochemical analysis such as potentiodynamic polarization and impedance, and contact angle measurements were carried out to evaluate the coating characteristics. Impedance data was analyzed by an electrical equivalent circuit model. The observed contact angle is higher than 90o after thin film deposition, which confirms that the coatings deposited on the surfaces are densely packed. The results of potentiodynamic polarization and the impedance show that modified surfaces have better performance than bare metal surfaces which could be applied to increase the life time and reliability of conditioner during W CMP.

Study on the Effects of Corrosion Inhibitor According to the Functional Groups for Cu Chemical Mechanical Polishing in Neutral Environment (중성 영역 구리 화학적 기계적 평탄화 공정에서의 작용기에 따른 부식방지제의 영향성 연구)

  • Lee, Sang Won;Kim, Jae Jeong
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.53 no.4
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    • pp.517-523
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    • 2015
  • As the aluminum (Al) metallization process was replaced with copper (Cu), the damascene process was introduced, which required the planarization step to eliminate over-deposited Cu with Chemical Mechanical Polishing (CMP) process. In this study, the verification of the corrosion inhibitors, one of the Cu CMP slurry components, was conducted to find out the tendency regarding the carboxyl and amino functional group in neutral environment. Through the results of etch rate, removal rate, and chemical ability of corrosion inhibitors based on 1H-1,2,4-triazole as the base-corrosion inhibitor, while the amine functional group presents high Cu etching ability, carboxyl functional group shows lower Cu etching ability than base-corrosion inhibitor which means that it increases passivation effect by making strong passivation layer. It implies that the corrosion inhibitor with amine functional group was proper to apply for 1st Cu CMP slurry owing to the high etch rate and with carboxyl functional group was favorable for the 2nd Cu CMP slurry due to the high Cu removal rate/dissolution rate ratio.

Chemical milling

  • 이종남
    • Journal of the KSME
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    • v.19 no.4
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    • pp.273-278
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    • 1979
  • 화학적 가공이란 화학적 절식이라고 말할 수 있는 방법으로서 주조 또는 공작기계에 의한 절삭 가공대신에 약품에 의한 용해작용을 이용해서 성형품을 만드는 방법이라 할 수 있다. 이 방법은 금속자의 눈금의 조각이나 프라스틱 제품에 눈금을 넣는 금형등에 이용되고 있다. 이는 원래 항공기공업방면에서 중용되어 개발된 기계가공에 대응하는 방법이다. 크기나 정밀도에 있어서 주조(die casting)가 부적당한 경우 혹은 모양이나 능률에 있어서 기계절삭에 의하는 것이 부적 당한 경우에는 이 방법이 이용된다. 최근에 와서는 항공기기계제작 분야에 있어서의 알루미늄의 표면가공뿐만 아니라, 자동차, 건축부분의 구조부품의 성형분야에도 진출하는 경향이 있으며 가 공대상금속도 실용금속일반에 걸쳐 확대되어 감으로써 가장 용도가 넓은 철강류에 확대되어 감 으로써 가장 용도가 넓은 철강류에 까지도 응용되어 가는 실정이다. 이와 같이 종래의 기계적인 수단이 유일한 방법이라고 생각되었던 금속가공분야에 있어서 이러한 화학적 가공법이 도입되 었다는 것은 십분주목할만 한 가치가 있다. 이 화학적 가공법의 특징을 종래의 기계가공법과 비교하면 다음과 같다. (1) 피가공판의 크기는 이를 수용하는 가공조의 용량에 따라 제한될뿐이며 어떠한 대형 물이라도 가공 가능하다. (2) 가공모양은 자유롭게 설계할 수 있고 더욱이 1매 금속 판에서 1공정으로서 복잡한 모양으로 성형할 수 있다. (3) 따라서 이작업에서는 리벳팅, 용접등의 부대작업을 필요로 하지 않는다. (4) 그 가공면은 일반으로 평활하고 마루리 연마공정을 생략할 수 있다. (5) 가공조작이 간편하여 특별한 숙련을 요하지 않고 설비도 가공조의에는 별로 고가의 기기류가 필요치 않다. (6) 이상과 같은 이유에서 본법의 가공비는 기계가공에 비해서 일반적으로 저렴하다. Symposium보고및 전문서가 많이 있으나 여기에는 중요한 몇가지만 소개한다.

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Preparation of Pure Silver Powders by using Mechanochemical Process (기계화학공정(機械化學工程)에 의한 은(銀)염화물로부터 고순도 은(銀)분말 제조(製造))

  • Lee, Jaer-Yeong;Tung Le, M.;Ahn, Jong-Gwan;Kim, Jong-Oh;Chung, Hun S.;Kim, Byoung-Gyu
    • Resources Recycling
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    • v.15 no.5 s.73
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    • pp.33-37
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    • 2006
  • An equal-molar mixture of silver chloride (AgCl) and copper (Cu) was ground in atmosphere conditions using a planetary ball mill to investigate mechanochemical (MC) reaction for preparation of silver powders. The reaction causes the mixture of AgCl and Cu to change the composition of the mixture, such as silver (Ag) and cuprous chloride (CuCl). Through the leaching with ammonium hydroxide solution (1 mol), CuCl can be separated from MC product, so that pure Ag powders can be obtained as the final product. Moreover, polyvinylpyrrolidone (PVP) was used as the additive not only to improve dispersion of Ag pow- der during MC process, but also to control surface oxidation of Ag powders, prepared as the final product.

알칼리성 슬러리를 이용한 단결정 및 다결정 실리콘의 화학적 기계적 연마 특성 평가

  • Kim, Hyeok-Min;Gwon, Tae-Yeong;Jo, Byeong-Jun;Venkatesh, R. Prasanna;Park, Jin-Gu
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.10a
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    • pp.24.1-24.1
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    • 2011
  • CMP (Chemical Mechanical Planarization)는 고직접도의 다층구조의 소자를 형성하기 위한 표면연마 공정으로 사용되며, pattern 크기의 감소에 따른 공정 중요도는 증가하고 있다. 반도체 소자 제조 공정에서는 낮은 비용으로 초기재료를 만들 수 있고 우수한 성능의 전기 절연성질을 가지는 산화막을 만들 수 있는 단결정 실리콘 웨이퍼가 주 재료로 사용되고 있으며, 반도체 공정에서 실리콘 웨이퍼 표면의 거칠기는 후속공정에 매우 큰 영향을 미치므로 CMP 공정을 이용한 평탄화 공정이 필수적이다. 다결정 실리콘 박막은 현재 IC, RCAT (Recess Channel Array Transistor), 3차원 FinFET 제조 공정에서 사용되며 CMP공정을 이용한 표면 거칠기의 최소화에 대한 연구의 필요성이 요구되고 있다. 본 연구에서는 알칼리성 슬러리를 이용한 단결정 및 다결정 실리콘의 식각 및 연마거동에 대한 특성평가를 실시하였다. 화학적 기계적 연마공정에서 슬러리의 pH는 슬러리의 분산성, removal rate 등 결과에 큰 영향을 미치고 연마대상에 따라 pH의 최적조건이 달라지게 된다. 따라서 단결정 및 다결정 실리콘 연마공정의 최적 조건을 확립하기 위해 static etch rate, dynamic etch rate을 측정하였으며 연마공정상의 friction force 및 pad의 온도변화를 관찰한 후 removal rate을 계산하였다. 실험 결과, 단결정 실리콘은 다결정 실리콘보다 static/dynamic etch rate과 removal rate이 높은 것으로 나타났으며 슬러리의 pH에 따른 removal rate의 증가율은 다결정 실리콘이 더 높은 것으로 관찰되었다. 또한 다결정 실리콘 연마공정에서는 friction force 및 pad의 온도가 단결정 실리콘 연마공정에 비해 상대적으로 더 높은 것으로 나타났다. 결과적으로 단결정 실리콘의 연마 공정에서는 화학적 기계적인 거동이 복합적으로 작용하지만 다결정 실리콘의 경우 슬러리를 통한 화학적인 영향보다는 공정변수에 따른 기계적인 영향이 재료 연마율에 큰 영향을 미치는 것으로 확인되었으며, 이를 통한 최적화된 공정개발이 가능할 것으로 예상된다.

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A Study on the Alumina Composite Membrane Prepared by Chemical Vapor Deposition (화학기상증착법으로 제조한 알루미나 복합분리막에 관한 연구)

  • 안상욱;최두진;현상훈
    • Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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    • 1993.10a
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    • pp.24-24
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    • 1993
  • 세라믹 분리막은 기존의 유기질막에 비하여 고온 분리공정이 가능하고, 기계적 강도가 크며, 화학 물질에 대해서도 안정하므로 유기질막이 사용 되어질 수 없는 공정 조건에서도 사용이 가능하다. 그러나 기존의 제조법으로 제조한 세라믹 분리막은 복합 분리막의 경우, 코팅시 분리막층에 미세균열이 쉽게 발생하고 막의 재현성이 좋지 않기 때문에 새로운 분리막 제조 공정의 개발 필요성이 대두되고 있다. 본 실험은 이러한 목적하에 반도체 공업에서 주로 사용되어지고 있는 화학기상증착법을 이용하여 세라믹 복합 분리막을 제조하였다.

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