• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.149-149
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• 2004

반도체 산업이 급속하게 발전함에 따라 고집적, 대용량이 요구되고 있으며, 이에 따라 선폭의 미세화, 웨이퍼 크기의 증가, 패턴의 다층화가 필수적인 조건으로 대두되고 있다. 이러한 요구를 만족시키기 위해서는 고정도의 표면상태와 칩과 웨이퍼 전면에서의 균일한 가공이 필요하다. 따라서 화학 기계적 연마를 통한 안정하고 고성능의 평탄화는 고집적 소자형성에 있어서 핵심 기술이 되고 있다.(중략)

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.144-144
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• 2004

마이크로프로세서가 점점 더 고집적화 되어감에 따라 가장 중요한 반도체 제조 기술 중 하나인 로광시 초점 심도를 맞추기 위해 웨이퍼의 광역 평탄화가 요구되어 왔다. 화학 기계적 연마기술(CMP： Chemical Mechanical Polishing)은 80년대 중반 IBM에 의해 제안된 이후 이러한 요구를 만족시키기 위해서 마이크로프로세서산업에 있어서 필수 기술로 자리매김 되고 있다. 화학 기계적 연마기술은 연마 결과에 영향을 미치는 인자가 많아 체계적인 기술로 발전되지 못하고 경험적인 기술에 머물러 있는 단계이다.(중략)

• Journal of the KSME
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• v.31 no.8
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• pp.728-734
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• 1991

금형연마 자동화기술 논의에서 KIST에서 개발된 금형연마 로봇시스템에 대한 분석과 세계적으로 대표적인 금형연마 자동화시스템의 가급적 정량적인 비교를 하여 독자들의 이해를 돕고자 했다. 금형연마 공정의 자동화를 통한 생산성의 향상 없이는 금형생산성 향상에 한계가 있으며 자동 화를 통한 생산성 향상은 금형 종류, 크기, 복잡성 등 여러 가지 고려인자들이 있지만 간략화하여 5-8배 정도의 결과를 낼 수 있다. 금형연마 자동화기술의 핵심은 자동화에 적합한 연마패턴의 개발과 실현화에 있으며 금형연마 자동화에의 로봇의 적합성과 그 유연성을 통해 효과를 향상 시킬 수 있다. 현재 국내 산업계에서도 금형연마 자동화에 상당한 관심과 투자를 하고 있는 상 황이다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.10a
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• pp.24.1-24.1
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• 2011

CMP (Chemical Mechanical Planarization)는 고직접도의 다층구조의 소자를 형성하기 위한 표면연마 공정으로 사용되며, pattern 크기의 감소에 따른 공정 중요도는 증가하고 있다. 반도체 소자 제조 공정에서는 낮은 비용으로 초기재료를 만들 수 있고 우수한 성능의 전기 절연성질을 가지는 산화막을 만들 수 있는 단결정 실리콘 웨이퍼가 주 재료로 사용되고 있으며, 반도체 공정에서 실리콘 웨이퍼 표면의 거칠기는 후속공정에 매우 큰 영향을 미치므로 CMP 공정을 이용한 평탄화 공정이 필수적이다. 다결정 실리콘 박막은 현재 IC, RCAT (Recess Channel Array Transistor), 3차원 FinFET 제조 공정에서 사용되며 CMP공정을 이용한 표면 거칠기의 최소화에 대한 연구의 필요성이 요구되고 있다. 본 연구에서는 알칼리성 슬러리를 이용한 단결정 및 다결정 실리콘의 식각 및 연마거동에 대한 특성평가를 실시하였다. 화학적 기계적 연마공정에서 슬러리의 pH는 슬러리의 분산성, removal rate 등 결과에 큰 영향을 미치고 연마대상에 따라 pH의 최적조건이 달라지게 된다. 따라서 단결정 및 다결정 실리콘 연마공정의 최적 조건을 확립하기 위해 static etch rate, dynamic etch rate을 측정하였으며 연마공정상의 friction force 및 pad의 온도변화를 관찰한 후 removal rate을 계산하였다. 실험 결과, 단결정 실리콘은 다결정 실리콘보다 static/dynamic etch rate과 removal rate이 높은 것으로 나타났으며 슬러리의 pH에 따른 removal rate의 증가율은 다결정 실리콘이 더 높은 것으로 관찰되었다. 또한 다결정 실리콘 연마공정에서는 friction force 및 pad의 온도가 단결정 실리콘 연마공정에 비해 상대적으로 더 높은 것으로 나타났다. 결과적으로 단결정 실리콘의 연마 공정에서는 화학적 기계적인 거동이 복합적으로 작용하지만 다결정 실리콘의 경우 슬러리를 통한 화학적인 영향보다는 공정변수에 따른 기계적인 영향이 재료 연마율에 큰 영향을 미치는 것으로 확인되었으며, 이를 통한 최적화된 공정개발이 가능할 것으로 예상된다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2003.10a
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• pp.82-82
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• 2003

산업이 발전함에 따라 연마 후의 요구 정밀도도 더욱 높아지고 있다. 하지만 일반적인 기계 가공으로는 연마하기 힘든 부위가 아직 너무 많은 것이 현실이다. 곡관부, 관내부, 가공물 사이에 있는 틈새부 등이 그 예이다. 따라서 본 연구에서는 일반적인 기계 가공으로 연마하기 어려운 틈새부의 연마를 하기 위한 기본적인 자기 연마 특성을 관찰 하고자 하는 것이다. 본 연구에서 사용하는 Al은 Al-Mg합금으로 비열처리 5xxx계열이다. 이 합금은 고강도를 가지고 있으면서, 해수에 대한 내식성이 우수하여 널리 이용되는 금속이다. 본 연구에서 사용되는 실험 장치는 두개의 극(N-S) 사이에 연마 입자를 투입하여 브릿지를 형성한다. 이 브릿지 사이를 Al합금이 두개의 서버 모터에 의해 상대적인 운동을 하게 한다. 연마는 이러한 상대 운동을 이용하는 원리이다. 본 연구에서 이루어지는 실험은 연마 입자의 성분비와 양, 그리고 가공시간 등의 변수를 이용하여 가장 우수한 연마 조건을 선택하고자 한다. 차후 연구 과제는 본 연구에서 얻어지는 연마 특성을 이용하여 두 개의 평판 혹은 어려 개의 Al평판의 틈 즉, 일반적인 기계 가공으로 연마하기 힘든 부위의 연마에 적용하여 그 특성을 알아보고, 일선 산업 현장에 응용 가치를 알아보고자 한다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.38 no.9
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• pp.1037-1041
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• 2014

Slurry used for polishing semiconductors processed by exchange, pressurization, and multi-step feeding has been studied to investigate the effect of the size and shape of slurry particles on the oxide CMP removal rate. First, spherical silica sol was prepared by the ion exchange method. The spherical silica particle was used as a seed to grow non-spherical silica sol in accordance with the multi-step feeding of silicic acid by the ion exchange and pressurization methods. The oxide removal rate of both non-spherical silica sol and commercially available slurry were compared with increasing average particle size in the oxide CMP. The more alkaline the pH level of the non-spherical silica sol, the higher was the removal rate and non-uniformity.

• The Optical Journal
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• s.107
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• pp.62-67
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• 2007

일반적으로는 지립의 작용으로 연마가 진행되기 때문에 기계적인 미세 절삭이 주된 작용을 하고 이 작용에 화학적인 작용이나 국부적인 유동 작용이 복잡하게 더해지는 것으로 생각된다. 그러나 이 연마 메커니즘의 상세한 내용에 대해서는 해명이 시도되고 있지만 불명료한 점이 많은 게 사실이다. 이 때문에 복잡한 연마 메커니즘을 기본으로 설명을 진행하는 것보다 여기에서는 연마의 몇 가지 파라미터 중 연마 공구의 크기에 주목해 비교적 큰 연마 공구(가공물 지름과 같거나 그 이상)를 이용하는 연마 가공 방식과 비교적 작은 연마 공구(가공물 지름의 1/3 이하 정도)를 이용하는 연마 가공 방식으로 크게 나누어 광학 유리의 경면 연마에 관해 개략적으로 설명하겠다. 또 이 밖에 최근 과학 유리의 경면 연마나 연마 이외의 가공에 대해서도 개략적으로 설명하겠다.

• The Journal of Korean Academy of Prosthodontics
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• v.48 no.4
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• pp.287-293
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• 2010

Purpose: This study evaluated the effect of polishing techniques on surface roughness of polymethyl methacrylate (PMMA), as well as the influence of light-cured surface glaze and subsequent brushing on surface roughness. Materials and methods: A total of 60 PMMA specimens ($10{\times}10{\times}5\;mm$) were made and then divided into 6 groups of 10 each according to the polymerization methods (under pressure or atmosphere) and the surface polishing methods (mechanical or chemical polishing) including 2 control groups. The mechanical polishing was performed with the carbide denture bur, rubber points and then pumice and lathe wheel. The chemical polishing was performed by applying a light-cured surface glaze ($Plaquit^{(R)}$; Dreve-Dentamid GmbH). Accura $2000^{(R)}$, a non-contact, non-destructive, optical 3-dimensional surface analysis system, was used to measure the surface roughness (Ra) and 3-dimensional images were acquired. The surface roughness was again measured after ultrasonic tooth brushing in order to evaluate the influence of brushing on the surface roughness. The statistical analysis was performed with Mann-Whitney test and t-test using a 95% level of confidence. Results: The chemically polished group showed a statistically lower mean surface roughness in comparison to the mechanically polished group (P = .0045) and the specimens polymerized under the atmospheric pressure presented a more significant difference (P = .0138). After brushing, all of the groups, except the mechanically polished group, presented rougher surfaces and showed no statistically significant differences between groups. Conclusion: Although the surface roughness increased after brushing, the chemical polishing technique presented an improved surface condition in comparison to the mechanical polishing technique.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2002.05a
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• pp.134-134
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• 2002

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2002.11a
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• pp.67-67
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• 2002