• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.34 no.2
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• pp.245-253
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• 2010

The reliability problems of flip chip packages subjected to temperature change during the packaging process mainly occur due to mismatches in the coefficients of thermal expansion as well as features with time-dependent material properties. Resin molding compounds like glass fiber reinforced epoxy composites used as the dielectric layer in printed circuit boards (PCB) strongly exhibit viscoelastic behavior, which causes their Young's moduli to not only be temperature-dependent but also time-dependent. In this study, the stress relaxation and creep tests were used to characterize the viscoelastic properties of the glass fiber reinforced epoxy composite. Using the viscoelastic properties, finite element analysis (FEA) was employed to simulate thermal loading in the pre-baking process and predict thermal warpage. Furthermore, the effect of viscoelastic features for the major polymeric material on the dielectric layer in the PCB (the glass fiber reinforced epoxy composite) was investigated using FEA.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.40 no.9
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• pp.874-880
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• 2003

The effect of h-BN content on microstructure, mechanical properties, and machinability of AlN-BN based machinable ceramics were investigated. The relative density of sintered compact decreased with increasing h-BN content. The four-point flexural strength also decreased from 238 MPa of monolith up to 182 MPa by the addition of 30 vol％ h-BN. Both low Young's modulus and residual tensile stress, formed by the thermal expansion coefficient difference between AIN and h-BN, might cause the strength drop in AlN-BN composite. The crack deflection, and pull-out phenomena increased by the plate-like h-BN. However, the fracture toughness decreased with h-BN content. The second phases, consisted of YAG and ${\gamma}$-Al$_2$O$_3$, were formed by the reaction between Al$_2$O$_3$ and Y$_2$O$_3$. During end-milling process, feed and thrust forces measured for AlN-(10～30) vol％ BN composites decreased with increasing h-BN particles, showing excellent machinability. Also, irrespective of h-BN content, relatively good surfaces with roughness less than 0.5 m (Ra) could be achieved within short lapping time.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 1998.11a
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• pp.19-20
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• 1998

오버레이용접에 의한 표면개질기술(Weld Surfacing or Hardfacing Technology)은 내식성, 내 마모성, 또는 내열성을 갖는 합금의 용접재료를 모재 표면에 균일하게 용착(오버레이:Ovedayer)시킴으로써 목적하는 재료의 표면성질을 향상시키는 표면처리의 한 방법이으로써 1922년 Stoody가 Steel Tube에 Cr합금 분말을 충진한 용접봉을 제조하여 석유시추용 회전드릴의 선단 표면을 오버 레이 용접시켜 내마모성을 획기적으로 개선시킴으로써 이루어 졌다. 초기 오버레이 용접기술은 발전설비I 제철설비I 시벤트설비, 그리고 제지설비 등 주로 설비 부품들의 표면부 내마모성을 개선시키는 방향으로 주로 연구 개발이 이루어졌으나, 기술개발의 진전으로 탈황설비 둥의 표면부 내식성 향상, 연속주조롤 표면부의 내산화성, 내열피로성, 내마모 성 향상 둥을 위해 점차 산업전반에 널리 이용되고 있으며, 설비의 고도화 및 장수명화가 요구되 면서 본 기술의 중요성 또한 점차 부각되고 있다. 그림 1은 연강의 모재 위에 셀프쉴드플럭스코어드와이어(Self-Shield Flux Cored Wire:SS-FCW, 이하 55-FCW라 기술함)를 사용하여 오버레이 용접올 하는 장면을 도식적으로 나 타낸 것이다. 모재와 전극재인 용접봉(S5-FCW) 사이에서 아크가 발생되고, 아크열에 의해서 용접 봉 및 모재 일부가 용융되면서 모재 표면에 새로운 오버레이 표면층이 형성된다. 통상 오버레이 층의 1층 두께는 2-6mm 내외이며, 단층 혹은 다충 오버레이를 자유롭게 실시한다. 오버레이층의 물성은 아크열에 의한 모재로의 용입정도에 따라 1층부에서는 모재의 영향을 크게 받지만 오버레 이충 수가 증가된 3층부에서 부터는 전적으로 용접봉의 성분에 좌우된다. 사진 1은 연강(55-41)의 모재위에 크롬탄화물이 다량 함유된 고크롬 탄화물형 내마모재가 오버 레이된 내마모 복합강판 (wear plate)의 단면 미세조직 사진으로써 모재부와 오버레이충을 함께 보여주고 있다. 모재와 오버레이 충간의 경계면은 모재 일부가 용융된 후 웅고하면서 형성됨으로 인해서 도금이나 용사층과는 달리 매우 견고하게 결합되어 있다. 따라서 계면부의 탈락이라는 문 제점은 거의 없어 심한 응력을 받는 기계구조물 및 부품에도 본 기술은 널리 적용되고 있다. 그리고 사진 1에서 알 수 있는 바와 같이 모재와는 전혀 상이한 재료를 자유로이 선택하여 표면 유효층 일부만 오버레이시키며I 주조 및 단조가 불가능한 재료까지도 표면부에 오버레이 시킴으로 서 부품 및 설비의 제조에 있어 재료비의 절감과 제품의 수명이 획기적으로 개선될 수 있다. 그리고 최근에는 도금 빛 용사 둥과 같은 표면처리를 할 경우임의 소재 표면에 도금 및 용 사에 용이한 재료를 오버레이용접시킨 후 표면처리를 함으로써 보다 고품질의 표면층을 얻기위한 시도가 이루어지고 있다. 따라서 국내, 외의 오버레이 용접기술의 적용현황 및 대표적인 적용사례, 오버레이 용접기술 및 용접재료의 개발현황 둥을 중심으로 살펴봄으로서 아직 국내에서는 널리 알려지지 않은 본 기 술의 활용을 넓이고자 한다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.38 no.7
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• pp.639-646
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• 2014

The comparative analysis of near-wall treatment methods that affect the prediction of heat transfer over the gas turbine nozzle guide vane were presented. To achieve this objective, wall-function and low Reynolds number methods, and the transition model were applied and simulated using NASA's C3X turbine vane. The predicted turbine vane surface pressure distribution data using the near-wall treatment methods were found to be in close agreement with experimental data. However, the predicted vane metal temperature and heat transfer coefficient displayed significant differences. Overall, the low Reynolds method and transition model did not offer specific advantages in the prediction of temperature and heat transfer than did the wall-function method. The Reynolds stress model used along with the wall-function method resulted in a relatively high accuracy of prediction of the vane metal temperature and heat transfer coefficient.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.32 no.5
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• pp.212-217
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• 2022

Large thermal stress due to the difference between silicon carbide and graphite's coefficients of thermal expansion could be formed during crystal growing process of silicon carbide (SiC) at high temperature. The large thermal stress could separate the SiC seed crystals from graphite components, which bring about the drop of the seed crystal during crystal growth. However, the bonding properties of SiC seed crystal module has hardly reported so far. In this study, SiC and graphite were bonded using 3 types of bonding agents and a three-point bending tests using a mixed-mode flexure test were conducted for the bonded samples to evaluate the bonding characteristics between SiC and graphite. Raman spectroscopy, X-ray Photoelectron Spectroscopy, and X-ray Computed Tomography were used to analyze the bonding characteristics and the microstructures of the SiC-graphite interfaces bonded with the bonding agents. As results, an excellent bonding agent was chosen to fabricate SiC seed crystal module with 50 mm in diameter. An SiC single crystal with 50 mm in diameter was successfully grown without falling out during top seeded solution growth of SiC at high temperature.