• Journal of Korean Society of Steel Construction
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• v.30 no.1
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• pp.25-35
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• 2018

Resisting strength of ring-stiffened cylindrical steel shell under uniform external pressure was evaluated by geometrically and materially nonlinear finite element method. The effects of shape and amplitude of geometric initial imperfection, radius to thickness ratio, and spacing of ring stiffeners on the resisting strength of ring-stiffened shell were analyzed. The resisting strength of ring-stiffened cylindrical shells made of SM490 obtained by FEA were compared with design strengths specified in Eurocode 3 and DNV-RP-C202. The shell buckling modes obtained from a linear elastic bifurcation FE analysis were introduced in the nonlinear FE analysis as initial geometric imperfections. The radius to thickness ratios of cylindrical shell in the range of 250 to 500 were considered.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.194-194
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• 2010

태양전지용 투명전도막에 사용되는 Al-doped ZnO (AZO) 막은 저가이면서도 가시광역 영역에서 갖는 우수한 투과율과 낮은 비저항을 갖는 특성 때문에 ITO의 대체 재료로서 최근 활발한 연구가 진행되고 있다. 특히, 양산 현장에서는 in-line type의 대형 sputtering system에서 증착하고 있으며 높은 증착 속도와 박막 특성의 균일도가 중요한 과제다. 본 연구에서는 $2\;m\;{\times}\;1\;m\;{\times}\;0.2\;m$의 sputtering system에서 기판 캐리어를 이용해서 커다란 기판을 좁고 긴 타겟의 양쪽으로 왕복 운동을 하는 swing dynamic deposition 방법으로 $272\;mm\;{\times}\;500\;mm$ 크기의 AZO target (Al 2 wt%)을 이용하여 bipolar pulsed dc로 증착하였다. 이 시스템의 배기는 TMP와 cryo pump를 이용해서 $5\;{\times}\;10^{-7}\;Torr$의 기본 진공도를 얻으며, 공정 중에는 TMP만 사용하였다. 하지만, 본 시스템의 TMP는 비대칭 적으로 한쪽에 치우쳐 설치되어 있는데, 이것이 챔버 내에서 공정 가스인 Ar의 유동의 불균일도를 초래하게 되며, 그것이 증착되는 박막의 두께 균일도 및 특성 균일도에 영향을 주고 있음을 알 수 있었다. 본 연구에서는 다른 기본 진공도에서 증착된 AZO 박막의 특성 차이를 알아보고 비대칭 배기 구조가 in-line type 시스템에서 어떠한 두께 및 특성 불균일도를 가져오는지, 그리고 시스템 내부에 발생시키는 압력 불균일도를 상용 3차원 전산 유체해석 프로그램인 CFD-ACE+를 이용하여 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.493-493
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• 2012

평행평판 축전 결합 플라즈마는 증착이나 식각 등 많은 공정장비에서 사용된다. 이때 구동주파수를 높여주거나 리액터의 크기를 증가시킬 경우, 플라즈마 밀도가 불균일해진다. 플라즈마 밀도는 플라즈마 내 전기장 분포의 균일도와 관련이 있는 것으로 전기장 분포를 균일하게 만드는 것은 매우 중요하다. 이전 연구에서는 충돌 주파수(공정 압력)가 전기장의 분포에 미치는 영향에 대해 발표하였다 [1]. 본 연구에서는 구동 주파수, 충돌 주파수(공정 압력), 플라즈마 주파수(플라즈마 밀도)가 전기장 분포에 미치는 영향을 알아보았고, 이들의 상관관계를 분석하였다. 플라즈마 주파수(플라즈마 밀도)와 충돌 주파수(공정 압력)는 전기장 분포의 균일도에 영향을 주는 변수이지만 이 둘은 반대 영향을 미쳤다. 따라서 두 주파수가 전기장 분포에 미치는 영향이 균형을 이룰 때 균일한 전기장 분포를 얻을 수 있었다. 이 때 구동 주파수가 증가할수록 균일하게 하는 두 주파수의 영역이 줄어들어 높은 구동 주파수에서는 전기장 분포를 균일하게 하기 어려웠다. 이러한 관계를 이용하여 일정한 구동 주파수와 플라즈마 주파수에서 전기장 분포의 균일도를 10% 이내로 하기 위해 충돌 주파수를 결정할 수 있는 방정식을 구하고, 충돌 주파수와 플라즈마 주파수, 그리고 구동 주파수가 전기장 분포를 균일하게 하는 이들의 관계를 살펴 보았다.

• Journal of Veterinary Clinics
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• v.14 no.1
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• pp.108-111
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• 1997

지방친화성 진균인 M. pachydermatis가 두 마리의 수캐에서 피부병의 원인균으로 증명되었다. 두 마리의 환축에서 흥반, 인설, 탈모 등이 여러 부위에서 발생하였으며, 광역항생물질과 코르티코스테로이드의 45일간 투여에 대해 아무런 임상적 반응을 나타내지 않았다. 발아를 나타내는 난원형 내지 원주형의 효모균이 KOH 및 PHOL 방법에 의해 환축의 피부병변으로부터 다수 증명되었고, 이들은 형태학적으로 M. pachydermatis와 일치하였다. 두 환축의 피부 병변부위 시료를 chloramphenicol을 첨가한 %37{\diamond}C$의 Saubouraud dextrose agar에 배양하면 이 진균이 반복하여 배양되었다. ketoconazole의 경구투여와 sulphur lime의 국소적용에는 치료반응을 잘 나타내었다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2009.05a
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• pp.810-812
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• 2009

반도체 소자공정에서 균일한 두께의 금속박막을 증착하는 것은 매우 중요하다. sputtering 방법의 경우, 증착조건을 조절하기 쉽고, 특히 대형 기판을 사용하여 제조할 경우 박막의 두께 등 박막 특성의 균일화를 기하는데 용이한 장점을 가지고 있다. 하지만, 기존의 기판고정식 sputtering 장비로 증착한 Al 박막은 증착 시에 가해지는 전력의 크기에 따라 그 특성의 변화를 생긴다. 이런 전력의 크기에 따른 Al 박막의 reflectance, sheet resistance 그리고 uniformity 등을 분석하여 Al 박막의 우수한 증착 조건을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.277-277
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• 2014

최근 중요성이 날로 증대되고 있는 초전도 선재의 구리도금막의 두께 균일도 개선을 위하여 선재간 간격, 첨가제 종류 및 농도 변화 및 압축응력 인가의 3가지 관점에서 연구를 진행하였고, 전류밀도를 증가시켜 생산성을 제고하면서 두께균일도를 개선할 수 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.10a
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• pp.148-148
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• 2009

알루미늄휠의 크롬도금은 휠의 복잡한 형상 때문에 고전류 부분인 스포크에 비해 저전류 부분인 윈도우는 도금의 두께가 얇아 부식이 발생할 가능성이 높아 도금두께를 향상시키기 위하여 보조양극을 설계, 개발하였으며 고전류와 저전류의 도금두께 편차를 줄이고 균일도금의 가능성을 확인하고 캐스시험을 통해 내식성이 향상됨을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Society of Radiology
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• v.13 no.5
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• pp.705-711
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• 2019

Currently, the brain CT scan of the latest equipment lacks the study of parameter change and dose change and especially of noise, uniformity analysis and dose change. Therefore, this study attempted to study the phenomenon that occurs at this time by analyzing tube voltage, slice thickness, and pitch change in exposure parameters when using high specification CT. Experimental results show that uniformity is better when using high voltage, thick slice thickness selection, and minimum pitch. As a result of the combination, the most uniformity condition was 140 kVp, 10 mm and pitch 0.5. Noise was found to be improved regardless of pitch by increasing tube voltage and slice thickness. The radiation dose increased linearly with tube voltage and pitch. Therefore, the results of this study will serve as a reference for the use of High specification brain CT.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.108-108
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• 2011

최근 에너지 위기와 환경 규제 강화 및 친환경, 녹색성장 등의 이슈가 대두되면서 에너지 절감과 환경보호 분야에 그린 전력반도체 수요가 날로 증가되고 있다. 이러한 그린 전력반도체는 휴대용컴퓨터, 이동통신기기, 휴대폰, 조명, 자동차, 전동자전거, LED조명 등 다양한 종류의 전력소자들이 사용되고 있으며, 전력소자의 수요증가는 IT, NT, BT 등의 융복합기술의 발달로 새로운 분야에 전력소자의 수요로 창출되고 있다. 특히 환경오염을 줄이기 위한 고전압 대전류 전력소자의 에너지 효율을 높이는 연구 개발이 활발히 진행되고 있다. 종래의 전력소자는 평면형의 LDMOS나 VDMOS 기술을 이용한 소전류 주로 제작되어 수십 암페어의 필요한 대전류용으로 사용이 불가능하다. 반면 수직형 전력소자인 트렌치를 이용한 power 소자는 집적도를 증가 시킬 수 있을 뿐만 아니라 대전류 고전압 소자 제작에 유리하다. 특히 평면형 소자에 비해 약 30%이상 칩 면적을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 평면형에 비해 on-저항을 낮출 수 있기 때문에 수요가 날로 증가하고 있다. 트렌치 게이트 power MOS의 중요한 게이트 산화막 형성 기술은 트렌치 내부에 균일한 두께의 산화막 형성과 높은 신뢰성을 갖는 게이트 산화막 형성이 매우 중요하다. 본 연구에서는 전력소자를 제조하기 위해 트렌치 기술을 이용하여 수직형 전력소자를 제작하였다. 트렌치형 전력소자는 게이트 산화막을 균일하게 형성하는 것이 매우 중요한 기술이다. 종래의 수평형 소자 제조시 게이트 산화막 형성 후 산화막 두께가 매우 균일하게 성장되지만, 수직형 트렌치 게이트 산화막은 트렌치 내부벽의 결정구조가 다르기 때문에 $1000^{\circ}C$에서 열산화막 성장시 결정구조와 결정면에 따라 약 35% 이상 열산화막 두께가 차이가 난다. 본 연구는 이러한 문제점을 해결하기 위해 트렌치를 형성한 후 트렌치 내부의 결정구조를 변화 및 산화막의 종류와 산화막 형성 방법을 다르게 하여 균일한 게이트 산화막을 성장시켜 산화막의 두께 균일도를 향상시켰다. 그 결과 고밀도의 트렌치 게이트 셀을 제작하여 제작된 트렌치 내부에 동일한 두께의 게이트 산화막을 여러 종류로 산화막을 성장시킨 후 성장된 트렌치 내벽의 산화막의 두께 균일도와 게이트 산화막의 항복전압을 측정한 결과 약 25% 이상 높은 신뢰성을 갖는 게이트 산화막을 형성 할 수 있었다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.26 no.10B
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• pp.1375-1381
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• 2001

영상 부호화 기법에 적용하여 향상된 성능을 나타내는 균일 양자화기를 제안하였다. 또한 두 가지 형태의 서로 다른 균일 양자화기에 대하여 비트율-왜곡(rate-distortion) 특성을 분석하였다. 분석결과 입력(input source)의 평균값을 기준으로, 구간값(decision level)을 이동시키는 제안한 양자화 기법이 다른 양자화기 보다 향상된 비트율-왜곡 특성을 보였다. 아울러 제안한 양자화기를 웨이브릿 변환 부호화기에 적용한 결과, 여러 가지 영상에 대하여 기존의 양자화 기법보다 우수한 결과를 얻었다.