The synthesis of 1-[2-(3-{7-oxabicyclo[4.1.0]heptyl} 1,1,3,3-tetramethyl-disiloxane (Mono), which is a key intermediate for the synthesis of monomers applied for photopolymer systems based on the cationic ring opening polymerization, was studied. Mono was successfully synthesized by the hydrosilylation reaction of 4-vinyl-1-cyclohexene 1,2-epoxide (VCHO) with an excess amount of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane (TMDS) in the presence of a Speier catalyst. The structure and the purity of Mono were characterized by FT-IR, $^1H-NMR$, and $^{29}Si-NMR$. The optimum conditions for the hydrosilyation reaction were found to be 1:4 molar ratio of VCHO to TMDS and 5 ppm of the catalyst at the temperature of $55^{\circ}C$.
The iron incorporation method according to addition steps during the synthesis of iron incorporated MCM-41 was examined systematically. Iron addition during pH adjustment was more effective than the other addition steps which were addition to template agent solution or addition after mixing of template agent and sodium silicate solution. In case of iron addition after extraction of template agent from as-synthesized silica MCM-41, most of the iron was on the surface of pores not the frame work structure. Although the amount of iron addition was increased, there was a limit to the amount of iron incorporated into framework structure of MCM-41. The synthesized FeMCM-41 catalyst showed catalytic activities for propylene oxidation. Otherwise, there might be no attractive differences of catalytic activity among the addition steps of iron.
Kim, Wook;Lee, Jong-Ki;Baik, Hong-Koo;Yoon, Woo-Young
Journal of Korea Foundry Society
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v.11
no.4
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pp.303-313
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1991
The Purification mechanism of high purity aluminum was studied through the variation of stirring speed and coolant flow rate in the stirring method. In the stirring method the degree of purification was changed as the following factors;the variation of diffusion boundary layer thickness the variation of growth rate and the solute concentration of the residual melt. The concentration of Fe and Si was decreased as the stirring speed and the radial distance increased. In a high stirring speed of 2000rpm with unidirectional stirring mode, the uniformity of solutes was obtained. On the other hand, the purification of Si was done by the combinations of stirring method, fractional melting and acid leaching. In the case of Si purification, the centrifugal force developed in the melt acted as the significant purification factor. It was possible to obtain the purified 3N grade Si crystal after the complete elimination of residual aluminum by fractional melting and acid leaching.
Reaction bonded silicon carbide (RBSiC) is an important engineering ceramic because of its high strength and stability at elevated temperatures, and it is currently fabricated using reasonably cheap manufacturing processes, some of which have been used since the 1960s. However, forming complicated shapes from these materials is difficult because of their poor workability. The purpose of this work is to join the reaction-bonded SiC parts using a preceramic polymer as joint material. The manufacturing of ceramic material in the system Si-O-C from preceramic silicon containing polymers such as polysiloxanes has attained particular interest. The mixtures of preceramic polymer and filler materials, such as SiC, Si and MoSi, were used as a paste for the joining of reaction sintered SiC parts. The joining process during the annealing in Ar atmosphere at $1450^{\circ}C$ were described. The maximum strength of the joints was 63 MPa for the specimen joined with 10 vol.% of $MoSi_2$ and 30 vol.% of SiC as filler materials. Fracture occurred in the joining layer. This indicates that the joining strength is limited by the strength of the joint materials.
The aim of this work is to show the way of manufacturing the SiC mechanical seal at the low temperature of 130$0^{\circ}C$ using clay and frit as source of secondary phase. $\alpha$-SiC and $\beta$-SiC powder which showed different distribution of particle were used as starting materials, i.e. average particle size of $\alpha$-SiC was larger than that of $\beta$-SiC. The mechanical and tribological properties of two groups of specimen, i.e. one contained mainly larger $\alpha$-SiC powder and the other mainly fine particle $\beta$-SiC, were measured. The specimen consisted of larger $\alpha$-SiC exhibited lower density flexural strength and wear resistance is comparison with these of sample containning mainly $\beta$-SiC . This difference could be originated from the dependence of capillary force on the particle size. For the larger SiC particle, the liquid phase may not fill the whole pores during sintering, due to low capillary force, whereas the liquid phase can infiltrate into the small ores surrounded small $\beta$-SiC particle. Thus, the course of high flexural strength and high wear resistance of specimen prepared using small particles can be explaced from the easy infiltration of liquid phase.
To find out the optimum heating profile for the nitridation of compacts of graded silicon grains (max 53$mu extrm{m}$) two batches with the addition of MgO and $Mg(NO_3)_3$$cdot$$6H_2O$ to silicon particles were isostatically pressed into compacts. They were nitrided under some different nitriding schedules. The properties such as bulk densitis microstructures and formed phases were measured and observed. The following results were obtained ; 1) About 10% unreacted silicon remained in specimen which was nitrided at 1, 350$^{\circ}C$ for 240hrs. 2) One of the step-heating processes 1, 150$^{\circ}C$-1, 390$^{\circ}C$ for 65hrs are then $1, 390^{\circ}C$for 50hrs was the low temperature but with that at high temperature. 3) High pressure(10.5kgf/$cm^2$) of nitrogen at 1, 390$^{\circ}C$ accelerated the $\alpha$$
ightarrow$$\beta$ transformation of silicon nitride. 4) Magnesium nitrate was superior to magnesium oxide in the role of nitriding aid and the formation of uniform microstructures.
Molecular orbital calculations at the extended Huckel level have been carried out for $Cp_2TiSiHPh(1),\;[Cp_2Ti]_2[{\mu}-HSi(HPh)][{\mu}-H] (2),\;and\;[Cp_2TiSiH_2Ph]_2$ (3) complexes which are important intermediates in organosilane polymerization. Stable geometry of complex 1 is not $C_{2V}$, but Cs symmetry and the rotational energy barrier of $SiH_2$ unit is computed to be 14 kcal/mol. The orbital interaction diagrams are studied to characterize the chemical bonding for the electron deficient systems, 2 and 3. It is possible for Si-H to be coordinated to the Ti metal using $\sigma$ bonding.
Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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v.22
no.4
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pp.415-423
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2011
HI decomposition step certainly demand catalytic reaction for efficient production of hydrogen in SI process. Platinum catalyst can apply to HI decomposition reaction as well as hydrogenation or dehydrogenation. Generally, noble metal is used as catalyst which is loaded form for getting high dispersion and wide active area. In this study, Pt was loaded onto zirconia, ceria, alumina, and silica by impregnation method. HI decomposition reaction was carried out under the condition of $450^{\circ}C$, 1atm, and $167.76h^{-1}$ (WHSV) in a fixed bed reactor for measuring catalytic activity. And property of a catalyst was observed by BET, TEM, XRD and chemisoption analysis. On the basis of experimental results, we discussed about conversion of HI according to physical properties of the loaded Pt catalyst onto each support.
Park, K.H.;Lee, C.S.;Jung, Y.I.;Lee, J.Y.;Lee, Y.I.;Choi, B.Y.;Lee, J.H.;Yoo, H.J.
Proceedings of the KIEE Conference
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1995.11a
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pp.603-605
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1995
We present a novel method. to fabricate surface micromachined structures without their sticking on the substrate. An anhydrous HF/$CH_3OH$ vapor-phase etching (VPE) of sacrificial $SiO_2$ layers was employed to release 0.5-2 {\mu}m$ thick polysilicon cantilevers. The fabricated structures were observed using scanning electron microscope and 3-dimensional optical microscope. The results show that we can successfully make cantilever beams up to 1200{\mu}m$ long without sticking. Annealing effects on residual stress of polysilicon microstructures were also investigated. Anneal ins at 1100$^{\circ}C$ for 1 hour was found to be effective to release the residual stress of the polysilicon microstructures. These VPE and anneal ins techniques will be useful in surface micromachining technologies.
Reaction Bonded Silicon Carbide(RBSC) has been used for engineering ceramics due to low-temperature fabrication and near-net shape products with excellent structural properties such as thermal shock resistance, corrosion resistance and mechanical strength. Recently, attempts have been made to develop hot gas filter with gradient pore structure by RBSC to overcome weakness of commercial clay-bonded SiC filter such as low fracture toughness and low reliability. In this study a fabrication process of porous RBSC with multi-layer pore structure with gradient pore size was developed. The support layer of the RBSC with multi-layer pore structure was fabricated by conventional Si infiltration process. The intermediate and filter layers consisted of phenolic resin and fine SiC powder were prepared by dip-coating of the support RBSC in slurry of SiC and phenol resin. The temperature of $1550^{\circ}C$ to make Si left in RBSC support layer infiltrate into dip-coated layer to produce SiC by reacting with pyro-carbon from phenol resin.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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