• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.221-221
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• 2003

본 연구에서는 스핀밸브 다층박막에서 교환 바이어스에 영향을 끼치는 요인 중 하나인 강자성층과 반강자성층사이의 접합 계면에서의 표면 거칠기 [1,2]를 줄이기 위해 현재 반도체 공정에 사용되고 있는 이온빔 에칭 장비를 사용하여 스핀 밸브 다층박막의 씨앗층 에칭에 따른 교환 바이어스를 알아보고자 하였다. 스핀밸브 구조는 강자성층/비자성층/강자성층의 기본구조를 갖는데 이중 하나의 강자성층의 스핀방향이 반강자성층에 의해 고정되는 구조[3]로써 이러한 고정 효과를 교환 바이어스(exchange bias)라 부른다. 교환 바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 나타나는 현상으로 이러한 교환 바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기 메모리소자에 응용되어 기존의 자기저항 소자의 특성을 크게 향상시킬 수 있게 되었다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2005.11b
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• pp.373-375
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• 2005

디지털 홈이 구체화되면서 실내 환경조절, 방법, 가전기기 제어, 건강 모니터링 분야에서 센서 네트워크가 활용됨에 따라 이질적인 센서 네트워크간의 정보교환에 대한 요구가 증대하고 있다. 본 논문에서는 이러한 홈 환경에서 이질적인 센서 네트워크간 정보교환을 위한 메카니즘으로 홈 서버를 이용한 상호운영성 미들웨어 구조(Interoperable Middleware Architecture)를 제안한다. 이를 위하여, 홈 서버와 센서 네트워크 미들웨어 구조를 소개하고, 미들웨어가 상호운영성을 제공하기 위한 정보교환 메시지 포맷을 정의한다. 메시지 교환 양식은 XML 문서를 이용하고, 메시지 전송을 위한 프로토콜로 SOAP(Simple Object Access Protocol)을 선정한다. 본 논문의 적절성을 검증하기 위하여 홈 환경에서 이종 센서 네트워크간 점보교환 사례연구를 실시하고 이를 통해 확장성과 유연성을 보유한 정보교환 메카니즘의 효과를 확인한다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.237-237
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• 2003

교환바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이 현상은 1956년 Meiklejohn과 Bean에 의해 CoO층으로 둘러싸인 Co 입자에서 발견된 이후[1], 강자성과 반강자성의 접합계면을 가지는 다층박막에서의 교환바이어스에 대한 연구가 진행되어왔다[2-6]. 이는 강자성/반강자성 박막의 교환바이어스 특성을 이용하여, 강자성 박막의 스핀방향을 고정시킬 수 있기 때문이다. 이러한 교환바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기메모리소자에 응용되어지는 등 경제적 가치를 갖는 기술적인 면과 교환바이어스라는 자기특성의 학문적인 가치로 인해 이 분야에 대한 집중적인 투자와 연구가 이루어지고 있다. 최근에는 교환바이어스 현상의 원인과 형성기구에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 강자성과 반강자성 박막의 단거리 상호 교환결합력에 의한 교환바이어스 현상은, 계면의 원자구조, 자기구조 및 각자성층의 여러 가지 인자들에 대해서 지속적으로 연구되고 있다.

• ETRI Journal
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• v.14 no.4
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• pp.106-114
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• 1992

교환기는 통신시스팀의 꽃이라고 일컬어질 수 있을 만큼 중요한 역할을 담당하고 있으며 그 비중은 날이 갈수록 높아지고 있는 실정이다. 특히 교환국별 교환회선수의 결정은 통신시스팀의 기본구조, 나아가서는 고객의 만족도를 결정하는 가장 중요한 요인으로서 인식되고 있다. 본 연구에서는 그래프 이론의 최단경로 알고리듬을 이용하여 교환국별로 소요되는 적정 교환회선수를 결정하는 방법을 제시한다.

• Proceedings of the Korea Contents Association Conference
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• 2004.05a
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• pp.311-316
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• 2004

본 논문에서는 기존의 무선 PKI에서 개선되어야 할 여러 가지 사항 중에서 인증서 획득 시간을 단축하기 위한 새로운 인증구조를 제안하고자 한다. 기존의 키 교환방식에서 키 교환 설정단계가 단순히 이산 대수문제에 근거하여 수행되었지만 인증서 시간단축을 위한 무선 PKI 인증구조의 상호인증과정에서는 키 교환 설정단계에서 타원곡선을 적용하였다. 인증 시간을 Sufatrio, K. Lam[4]가 제안한 인증구조와 제안한 인증구조를 실험을 통해 비교ㆍ분석하였다.

• ETRI Journal
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• v.7 no.4
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• pp.31-36
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• 1985

R2 신호 방식은 전자 교환국간에 사용되는 신호 방식으로서 종래의 decadic신호 방식에 비해 signalling속도, 신호전송 신뢰도, 전송 정보의 양에 있어서 큰 장점을 갖는다. 본고에서는 당 연구소에서 개발한 전전자 교환기 TDX-1 에 실현된 R2 신호 방식의 포로세서간 처리구조 및 소프트웨어에 대해서 기술하였다. 또한 현장 운용시 다른 교환국과의 신호 정합에서 발생된 몇가지 문제점 및 해결방안을 제시하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.7 no.4
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• pp.58-70
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• 1992

본 고에서는 차세대 교환 소프트웨어 구조의 일반적인 요구 조건을 분석하고 현재 미국, 일본 등에서 개발중에 있는 객체 지향적 프로그램 언어를 사용한 교환 소프트웨어 구조에 대하여 살펴보고 소프트웨어 재사용에 관한 기술 동향에 대해 기술하였다.

• ETRI Journal
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• v.7 no.2
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• pp.43-48
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• 1985

일반적으로 시분할 전자 교환기의 time-switch로는 RAM을 이용한 방식이 많이 사용되고 있는데 본고에서는 간단한 하드웨어와 빠른 교환 속도의 특징을 갖는 고속 디지틀 스위칭 IC, HDS(Highspeed Digital Switch)-LSI에 관하여 간단히 소개하고자 한다. 먼저 일반적인 time-switch의 구조와 동작에 대해 간단히 설명하고 HDS-LSI의 기본 원리와 구조 그리고 응용 분야에 대해 예를들어 설명하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.13 no.5
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• pp.211-215
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• 2003

We fabricated the synthetic ferrimagnetic layers (SyFL) of permalloy/X (X=Ru, V)/permalloy by varying the X thickness, and investigated the changes of coercivity (H$\sub$c/), spin flopping field (H$\sub$sf/), and saturation magnetization field (H$\sub$s/) with a superconducting quantum interference device (SQUID). We also observed the microstructure with a cross sectional transmission electron microscope (TEM). Permalloy SyFL had less than 10 Oe coercivity, and H$\sub$sf/ and H$\sub$s/ could be tuned by varying ruthenium and vanadium layer thickness. The comparatively small exchange coupling in permalloy-V SyFL was caused by the intermixing of permalloy and vanadium decreasing the effective exchange coupling thickness.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.233-233
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• 2003

교환바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이 현상은 1956년 Meiklejohn과 Bean에 의해 CoO 층으로 둘러싸인 Co 입자에서 발견된 이후, 강자성과 반강자성의 접합계면을 가지는 다층 박막에서의 교환바이어스에 대한 연구가 진행되어왔다. 이는 강자성/반강자성 박막의 교환바이어스 특성을 이용하여, 강자성 박막의 스핀방향을 고정시킬 수 있기 때문이다. 이러한 교환바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기메모리소자에 응용되어지는 등 경제적 가치를 갖는 기술적인 면과 교환바이어스라는 자기특성의 학문적인 가치로 인해 이 분야에 대한 집중적인 투자와 연구가 이루어지고 있다 최근에는 교환바이 어스 현상의 원인과 형성기구에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 강자성과 반강자성 박막의 단거리 상호 교환결합력에 의한 교환바이어스 현상은, 계면의 원자구조, 자기구조 및 각자성층의 여러 가지 인자들에 대해서 지속적으로 연구되고 있다. 본 연구에서는 Helmhertz 코일의 진동샘플형 자력계(VSM)을 이용하여 Si 기판위에 증착된 NiFe(10nm)/FeMn(t)/NiFe(10nm) 다층박막에서 FeMn층의 두께에 대한 각각의 교환바이어스 현상을 조사하고 사잇층 FeMn층의 surface를 Ar ion beam etching하여 etching 조건에 따른 교환바이어스를 비교분석 하고자 한다.