New nonliner organic materials have been developed for all-optical signal processing. The organic materials possess many interesting features for this purpose. Unlike inorganic molecules the delocalized $\pi$-electron distribution and intramolecular charge transfer mevhanism allows certain organic molecules to respond highly anharmonically to an external field. In the present paper the origins of nonlinear phenomena, advantages of orgnic materials and structures of organic devices will be discussed.
MZI 하나를 이용하여 한 단을 구성한 CWDM 설계에서는 출력 특성이 sine wave 의 제곱 특성을 가지므로 각 채널당 통과 대역이 좁다. 이러한 특성은 WDM System 에서 Laser Source 의 온도 변화에 의한 파장 변화에 대해 좋은 특성을 보이지 못함을 의미한다. 따라서 Laser Source 의 파장 변화에 좋은 특성을 갖는 넓은 통과대역을 갖을 필요가 있다. 본 연구 그룹은 MZI 2개와 3개를 이용하여 평평한 출력 특성을 갖는 4 채널 CWDM 광 도파로 소자의 설계와 해석을 발표한바 있다. (중략)
광 평면 유전체 기판 위에 형성된 금속격자구조의 누설특성을 이용한 새로운 광 결합용 필터를 제안하였고, Bragg 조건들을 모드 전송선로 이론을 사용하여 정확하게 분석하였다. 수치해석 결과, 유전체격자구조로 구성된 기존의 DFB는 전송 모드들의 피드백특성에 기인한 차단대역을 형성하지만 금속격자구조는 누설파특성에 기인한 차단대역을 형성하는 것으로 나타났다. 결국, 누설파 필터특성을 적용한 광 결합용 필터는 LD나 광섬유와 같은 광통신용 소자들과 집적이 가능함을 보였다.
Micro-Block Stacking(MBS) 방법으로 1550nm FP-LD와 박막 필터, 마이크로 볼 렌즈를 사용하여 집적형 외부 공진기 레이저를 제작하였다. 제작한 집적형 외부 공진기 레이저 모듈 크기는 $2.0{\times}2.1{\times}0.7\;mm^3$이었으며 TO-CAN 형태로 패키징하였다. 투과율이 1.8%인 박막 필터를 사용한 집적형 외부 공진기 레이저의 경우 광출력이 -27.1 dBm이고 SMSR이 31.7 dB인 양호한 단일모드 레이저 특성을 얻을 수 있었다.
This paper presents a study of an integrated infrared (IR) photo sensor for display application. We fabricated hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) and hydrogenated amorphous silicon germanium thin film transistor (a-SiGe:H TFT) which were bottom gate structure. We investigated the dependence of a-SiGe:H TFT characteristics on incident wavelengths. We proposed photo sensor which responded to wavelengths of IR region. Proposed pixel circuit of photo sensor was consists of switch TFT and photo TFT, and one capacitor. We developed integrated photo sensor circuit and investigated the performance of the proposed sensor circuit according to the input wavelengths. The developed photo sensor circuit with a-SiGe:H TFT was suitable for IR.
휴대용 기기의 소비 전력을 낮추고 영상의 질을 개선하기 위해, 주변 밝기에 따라서 LCD 모듈의 백라이트를 조정하는 방법을 사용할 수 있다. 이를 효과적으로 구현하기 위해서 LCD 패널에 광 센서와 신호취득 회로를 집적하고자 했으며, LTPS TFT 공정을 이용하여 설계했다. 서로 다른 LCD 패널의 광 센서에 대한 특성 편차를 보정하기 위해 새로운 개념의 start-up 보정 방식을 제안하였다. 이와 더불어 광 전류 정보를 디지털 형태로 전달하기 위해 time-to-digital 방식을 사용하였으며, 이를 start-up 보정 방식과 효과적으로 결합하는 dual slope 보정 방법을 제안하였다. LTPS TFT 공정을 이용하여 최종적인 신호취득 회로를 구현하고자, 간단하고 안정적인 회로 구조와 타이밍을 제안하고 설계 및 검증을 진행했다. 설계한 신호취득 회로는 별도의 검사 설비 없이 광 센서 편차의 보정이 가능하며, 60dB 범위의 입력 광에 대해 10배수 구간 마다 4 단계의 디지털 데이터를 출력한다. 신호취득 속도는 100Hz이며, 디지털 변환의 선형 오차는 18% 미만이다.
파장분할다중 광통신시스템은 파장통과 대역폭이 좁으면서, 파장통과 대역을 넓게 가변시킬 수 있는 집적광학형 광여파기를 필요로 하고 있다. 지금까지 전기광학효과$^{(1)}$ , 스트레인광학효과$^{(2)}$ , 음향광학효과$^{(3)}$ 들을 이용하여 다양한 형태의 광여파기들이 연구되어져왔다. 특히 음향광학효과를 이용한 편광모드변환형 가변파장 광필터 (AOTF: Acousto-Optic Tunable Filter)는 150nm 이상의 넓은 파장가변 범위, 1nm이하의 좁은 파장대역폭, 수 $\mu\textrm{s}$ 정도의 비교적 빠른 스위칭 속도, 그리고 여러 파장 채널을 동시에 선택할 수 있는 특성들 때문에 많은 연구가 진행되어져 왔다. 본 논문에서는 음향파 장벽(acoustic barrier)를 이용하여 표면 음향파(SAW: Surface Acoustic Wave)의 RF 구동파워를 감소시킬 수 있는 구조의 AOTF를 제작하고, 측정 결과를 음향파 장벽을 이용하지 않은 AOTF의 측정 결과와 비교, 검토하였다. (중략)
유전체 덮개층을 이용한 impurity free vacancy disordering (IFVD) 기술에 의한 양자우물구조의 밴드갭 조절기술은 양자우물을 갖는 광소자의 제작 및 광소자들의 한판 집적에 광범위하게 적용되어 왔다$^{(1-3)}$ . IFVD 기술의 핵심은 유전체 덮개층의 종류 및 그 특성을 적절히 조절함으로써 양자우물의 밴드갭 및 굴절율을 양자우물 기판상에서 공간적으로 조절하는 기술에 있다. 이러한 목적을 위해 SiN$_{x}$ , SiO$_2$, SrF$_2$ 및 WN$_{x}$ 와 같은 많은 유전체 덮개층에 관한 실험들이 진행되었다 $^{(1-6)}$ . (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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