• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.8 no.4
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• pp.315-319
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• 1997

In photorefractive crystals, light deflection is achieved by dynamic photorefractive volume grating, which is induced by the interference of two writing beams. In this paper, we implemented and analyzed the light deflector using Ce-SBN:60 crystals, which is doped with CeO$_2$ and photorefractive effect is induced by low intensity. And we measured maximum coupling coefficient, effective charge density, diffraction efficiency as the intensity ratio and response time.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.11a
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• pp.192-193
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• 2012

2차 플라즈마를 사용하지 않고도 스퍼터링된 입자의 높은 이온화율을 얻을 수 있는 고전력 마그네트론 스퍼터링 기술은 최대 $MW/cm^2$의 높은 투입 전력을 이용하지만 타겟 재료의 높은 열전도 요구때문에 실제로 사용할 수 있는 재료가 Cu를 비롯한 몇가지 금속에 제한된다. 수 백 $kW/cm^2$의 중간 전력 밀도를 가질 수 있도록 펄스를 다중 부분 세트로 제어하는 modulated pulse plasma 시스템을 구축하고 전자 온도, 밀도를 고속으로 계측할 수 있는 삼중 프로브와 고증폭 CCD를 이용하여 공정 진단을 한 결과 전자 온도는 최고 15.9 eV, 전자 밀도는 $4.25{\times}10^{12}{\sharp}/cm^3$였으며 weak ionization 조건과 strong ionization 조건에서 Ar I (811.5 nm)의 방출광 세기가 6배 증가하는 것으로 분석되었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.8
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• pp.699-706
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• 1998

현재까지 박막코팅 분야에 주로 이용해 오던 플라즈마 용융분사법을 이용하여 고밀도의 두꺼운 세라믹 침적물을 제조하였다. 용융점이 2910K인 ZrO2-20wt%Y2O3분말을 이용하여 최적조건에서 이론밀도의 약 97%의 침적물을 얻었다. 고밀도 침적에 영향을 미치는 변수는 챔버 내부압력, 플라즈마동력, 플라즈마 가스조성, 분사거리, 분말입자 크기 등이었으며, 침적밀도 및 침적된 splat의 형태는 분말의 용융정도 및 챔버 내부압력에 크게 좌우되었다. 높은 밀도으 침적물을 만들기 위해서는 분말을 완전히 용융시키는 것이 중요하며, 완전히 용융된 조건에서는 챔버 내부압력이 낮고 분말분사거리가 짧은 조건 즉, 분사되는 분말이 높은 모멘텀을 가질수록 침적물의 밀도가 증가함을 알 수 있었다. 실험에서 얻어진 결과는 ANOVA 통계방법으로 분석하여 단일변수의 영향뿐만 아니라 이들 변수가 서로 조합하여 밀도에 미치는 영향도 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.674-674
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• 2013

$600{\times}1200$ mm 기판에 대면적 CIGS 광흡수층 증착을 위한 선형증발원 개발을 위해 다른 크기의 노즐(nozzle)과 일정한 노즐 간격을 가지는 선형증발원의 플럭스 밀도(flux density)를 전산 모사하여 플럭스 균일도 ${\pm}5%$의 조건을 구하였다. 이를 바탕으로 제작된 선형증발원을 이용하여 Cu, In의 단일막 두께균일도를 확인하였고, CIGS 광흡수층을 동시증발법으로 증착하여 박막의 두께 균일도 및 증착 조성의 균일도로 선형 증발원을 평가하였다. EDS 조성 분석을 통해 구한 조성불균일도는 600 mm 폭에서 Cu $${\leq_-}6%$$, In $${\leq_-}3%$$ Ga $${\leq_-}1%$$ Se $${\leq_-}2%$$으로 균일한 조성비로 성막된 것을 확인하였고 SEM 분석을 통해 표면 결정립의 형상을 확인하였다. 또한 XRD측정을 통해 선형증발원 방향의 대면적 CIGS 광흡수층이 칼코피라이트(Chalcopyrite) 구조임을 확인하였다. 이를 통해서 개발된 선형증발원이 CIGS 광흡수층 증착에 적합함을 확인하였다.

• Journal of Bio-Environment Control
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• v.18 no.1
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• pp.23-28
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• 2009

This study was conducted to evaluate the effect of optimized environment conditions with growth stage in photoautotrophic micropropagation on the growth of potato (Solanum tuberosum L. cv. Dejima) plantlets and energy efficiency. Optimum environment conditions at each stage were decided in our previous study. For the evaluation of optimized environment control, potato plantlets were cultured under four different conditions: photoautotrophic optimum conditions of photosynthetic photon flux density (PPFD) and $CO_2$ levels with growth stage (POG), photoautotrophic constant condition with average PPFD and $CO_2$ levels (PCA), photoauototrophic constant condition with maximum PPFD and $CO_2$ levels (PCM), and photomixotrophic conventional condition with 3% sucrose (PMC) as control. As a result, environment control with growth stage (POG) significantly promoted all the growth characteristics such as the number of nodes and unfolded leaves, shoot height, shoot diameter, and fresh and dry weights of potato grown in vitro. In addition, based on dry weight consumed electricity and $CO_2$ were the lowest in POG suggesting the highest energy efficiency among the treatments. After transferring potato plantlets to greenhouse, the plantlets under POG showed vigorous growth, which was pretty similar with those under PMC. The accumulations of dry matter in POG were 4.7 times in vitro and 3.8 times in greenhouse as much as those in the conventional control (PCM). Thus, we concluded that in vitro environment control with growth stage induced vigorous growth of potato plantlets both in vitro and in greenhouse with less energy consumption.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.363-364
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• 2012

기존 양자점에 대한 연구는 레이저 다이오드와 광증폭기등과 같은 광소자의 활성층에 사용되던 양자우물을 대체하기 위하여 고밀도, 고균일 양자점 성장에 관한 연구가 활발히 진행되었지만, 최근에는 양자점을 이용한 Single-photon source의 관심이 높아짐에 따라 저밀도 양자점 성장에 관한 연구가 주목 받고 있다. 본 연구에서는 수직형 저압 Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)를 이용하여 InP 기판 위에 저밀도 InAs 양자점을 성장하였다. 저밀도의 양자점을 성장하기 위하여 양자점과 덮개 층($1.1 {\mu}m$ InGaAsP)사이에 V족 원료 가스인 As만 공급하는 성장 중단 시간 (GI:Growth interruption)을 삽입하였다. 시료의 구조는 InP (100)기판위에 50 nm InGaAsP barrier, 1.5ML GaAs를 성장 후 InAs 1.9 ML를 성장하였다. 그 후 0, 1, 2, 5 분의 GI을 삽입한 후 InGaAsP 와 InP 덮개층을 성장하였다. 양자점의 밀도와 형상을 측정하기 위하여 Atomic force microscopy (AFM)을, 광학적 특성 분석을 위하여 저온 Micro Photoluminescence (${\mu}$-PL)을 측정하였다. 성장 중단 시간의 증가에 따라 InAs/InP 양자점의 높이와 넓이는 증가하고 밀도는 감소하였다. 성장 중단 시간 3분 이후에는 밀도 감소가 둔화 되었으며, 5분일 때 $3.2{\times}10^7/cm^2$의 극저밀도 InAs/InP 양자점이 성장되었다. 또한 저밀도 양자점 시료의 저온 ${\mu}$-PL을 측정하여 단일 양자점의 exciton과 bi-exciton peak가 측정되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.08a
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• pp.131-131
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• 2009

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1991.06a
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• pp.46-49
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• 1991

우라늄 원자의 선택적 광이온화 과정을 레이저 빔과 상호 작용하는 네준위 원자 모델을 통하여 분석하였다. 다준위 원자 모델이 보이는 원자 감금 현상과 여기 경로의 중첩으로 인한 간섭 현상을 이용하여 모델 내의 최상 준위의 원자 밀도를 최대화하는 조건을 착고, 그 물리적 해석을 부여하였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2006.07a
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• pp.225-226
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• 2006

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2005.08a
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• pp.151-151
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• 2005