• 한국정밀공학회지
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• 제24권1호
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• pp.64-70
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• 2007

A long-exposing technique (LET) has been conducted to create nanoscale patterns applicable to diverse micro-devices using two-photon polymerization (TPP). By the weakly-polymerized region via the LET, double-layered embossing patterns can be fabricated simply in a single step. The LET makes possible a voxel and its surrounding to be fully grown into more than 500 nm in lateral size and weakly-polymerized region (WPR), respectively. In the WPR. interconnecting ribs between voxels are generated, and they lead to the creation of double-layered dot patterns. Moreover, by controlling the distance between voxels, various shapes of interconnecting rib can be fabricated when the LET is applied. Various embossing patterns were fabricated to evaluate the usefulness of the proposed technique as a novel nanopatterning technique in TPP.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.194.1-194.1
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• 2014

기저면에 구조적 결함을 도입함으로써 그래핀과 $MoS_2$와 같은 이차원 결정의 물리, 화학, 전기 및 기계적 성질을 제어하려는 연구가 폭넓게 수행되고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 속의 산소 래디컬을 이용하여 기계적 박리법으로 만들어진 단일층 그래핀과 $MoS_2$ 표면에 구조적 결함을 유도하고 제어하는 방법을 개발하였다. 라만 및 광발광 분광법을 통해 생성된 결함 밀도를 측정하고 전하 밀도 등의 화학적 변화를 추적하였다. 그래핀의 경우 산소 플라즈마 처리 시간에 따라 결함(defect)의 정도를 보여주는 라만 D-봉우리의 높이와 넓이가 커짐을 확인하였고 이를 G-봉우리의 높이와 비교하여 정량하였다. $MoS_2$의 경우 $E{^1}_{2g}$와 $A_{1g}$-봉우리의 높이가 점점 감소하고 광발광의 세기 또한 감소함을 확인하였다. 또한 본 연구에서는 기판의 편평도가 결함 생성 속도에 미치는 영향을 비교 및 분석하여 반응 메커니즘을 제시하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.194.2-194.2
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• 2014

기저면에 구조적 결함을 도입함으로써 그래핀과 $MoS_2$와 같은 이차원 결정의 물리, 화학, 전기 및 기계적 성질을 제어하려는 연구가 폭넓게 수행되고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 속의 산소 래디컬을 이용하여 기계적 박리법으로 만들어진 단일층 그래핀과 $MoS_2$ 표면에 구조적 결함을 유도하고 제어하는 방법을 개발하였다. 라만 및 광발광 분광법을 통해 생성된 결함 밀도를 측정하고 전하 밀도 등의 화학적 변화를 추적하였다. 그래핀의 경우 산소 플라즈마 처리 시간에 따라 결함(defect)의 정도를 보여주는 라만 D-봉우리의 높이와 넓이가 커짐을 확인하였고 이를 G-봉우리의 높이와 비교하여 정량하였다. $MoS_2$의 경우 $E{^1}_{2g}$와 $A_{1g}$-봉우리의 높이가 점점 감소하고 광발광의 세기 또한 감소함을 확인하였다. 또한 본 연구에서는 기판의 편평도가 결함 생성 속도에 미치는 영향을 비교 및 분석하여 반응 메커니즘을 제시하고자 한다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.399-400
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• 2010

본 논문에서는 고전력 밀도 및 저가형으로 구현이 가능한 새로운 구조의 계통 연계형 태양광 인버터 시스템을 제안한다. 제안된 시스템은 태양전지의 최대 전력점 추종기능과 배터리의 충 방전 기능을 통합하여 기존 3단 구성을 2단으로 줄임으로써 시스템 제작단가가 낮아지고 고전력 밀도 구성이 가능하다. 제안 시스템의 우수성과 신뢰성 검증을 위하여 1.5kW급 PV PCS 시작품을 제작하고 이를 이용한 실험결과를 바탕으로 제안 시스템의 타당성을 검증한다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2008년도 한국컴퓨터종합학술대회논문집 Vol.35 No.1 (C)
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• pp.545-548
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• 2008

건강과 미용에 대한 관심은 IT 기술의 발전과 결합하여 유-헬스케어 산업의 부흥을 이끌고 있다. 특히, 향상된 디지털 영상 장비를 통한 각종 신체 정보 분석이 가능해짐에 따라 피부 자가 진단 시스템 등에 대한 연구 및 제품 출시가 활발히 이루어지고 있다. 본 논문에서는 이진 영상의 각 축에 대한 밀도 분석을 통해 특징점을 검출하는 방법을 소개하고 이를 토대로 자외선 광으로 촬영한 피부 현미경 영상에서 피지 부위를 자동 검출하는 기법을 제안하며 실험을 통하여 성능을 분석한다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제31권12호
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• pp.1144-1149
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• 2007

Experimental studies on the fabrication of sub-30 nm nanofibers using weakly two-photon induced photopolymerized region have been carried out. For the generation of nanofibers inside or outside microstructures, an over-polymerizing method involving a long exposure technique (LET) was proposed. Such nanofibers can find meaningful applications as bio-filters, mixers, and many other uses in diverse research field. A multitude of nanofibers with a notably high resolution (about 22 nm) in two-photon polymerization was achieved using the LET. Furthermore, it was demonstrated that the LET can be employed for the direct fabrication of various embossing patterns by controlling the exposure duration and the interval between yokels. Thin interconnecting networks are formed regularly in the boundary of the over-polymerized region, which allows for the creation of various pattern shapes. Overall of this work, some patterns including nanofibers are fabricated by the LET.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.130-130
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• 2010

고출력 레이저 다이오드는 광 디스크, 고체 레이저 여기, 광섬유 증폭기, 레이저 프린터, 위성 간 통신 등의 여러분야에 응용되고 있고. 고효율, 저가격, 초소형등과 같은 장점으로 수요가 점점 증가하고 있다. 최근 레이저 다이오드의 광출력 향상 및 열적 안성성를 위해 양자점(Quantum Dot) 응용에 대해 많은 연구가 진행되고 있다. 양자점 기반 레이저 다이오드는 전자가 3차원으로 구속되어 있어 열적 안정성이 우수할 뿐만 아니라 낮은 문턱전류밀도로 인해 열 발생이 적어 광출력 감소 현상을 지연시킬 수 있다. 또한 발광면에서의 재결합 확률이 낮아 표면재결합에 의한 신뢰성 열화 문제를 해결할 수 있어 고신뢰성의 레이저 다이오드를 개발할 수 있다. 고출럭 808 nm 양자점 레이저 다이오드 개발을 위해서는 레이저 다이오드의 활성 영역인 양자점 구조에 대한 연구가 필수적이다. 본 연구에서는 최적화된 고출력 808 nm 양자점 레이저 다이오드 에피 성장을 위해 에피 구조에 대한 2D 시뮬레이션을 수행하였고, 양자점 밀도 및 에피층 변화에 따른 최적 양자점 구조에 대한 연구를 수행하였다.

• 한국산림과학회지
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• 제77권1호
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• pp.100-108
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• 1988

본(本) 연구(硏究)는 무기적(無機的) 환경요인(環境要因)이 잣나무 유묘(幼苗)의 생육(生育)에 미치는 영향(影響)에 관(關)한 연구(硏究)의 일환(一環)으로 피음격자(被陰格子)를 통(通)한 이식상(移植床)에서의 상대광도(相對光度), 식재밀도(植裁密度) 및 시기별(時期別) 잣나무 묘목(苗木)의 지상부(地上部)(간(幹), 지(枝))와 지하부(地下部)의 중량생장(重量生長)에 대해 조사(調査) 하였던 바 그 분석(分析) 결과(結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1. 지상부(地上部)의 생중량(生重量) 및 건중량(乾重量)은 상대광도(相對光度) 63%구(區)가 가장 양호(良好) 하였고, 그 다음은 100%>37%>19%의 순(順)이었다. 식재밀도별(植裁密度別)로는 밀도(密度)가 높아질수록 역시 중량생장(重量生長)이 증가(增加) 하였으며, 시기별(時期別)로는 5~6월(月)의 생장(生長)이 가장 크게 나타났다. 또한 이들 각(各) 요인(要因)이 지하부(地下部)의 생중량(生重量)과 건중량(乾重量) 생장(生長)에 미치는 기여율(寄與率)은 광도(光度)의 경우가 49.3%와 39.3%였고, 식재밀도(植裁密度)는 4.3%와 6.4%, 그리고 시기별(時期別)은 34.2%와 36.8%로 각기(各己) 영향(影響)되었다. 그리고 광도(光度)와 식재밀도(植裁密度), 시기요인(時期要因)은 상대광도(相對光度) 63%구(區)가 가장 양호(良好)하였고, 그 다음은 100%>37%>19%의 순(順)이었다. 식재밀도별(植裁密度別) 르는 밀도(密度)가 높아질수록 역시 중량생장(重量生長)이 증가(增加)하였으며, 시기별(時期別) 로는 5~6월(月)의 생장(生長)이 가장 크게 나타났다. 또한 이들 요인(要因)이 지하부(地下部)의 생중량(生重量) 및 건중량생장(乾重量生長)에 미치는 기여율(寄與率)은 광도(光度)의 경우 49.3%와 39.6%였고, 식재밀도(植裁密度)는 4.3%와 6.4%, 그리고 시기별(時期別)은 34.2%와 36.8%로 각기(各己) 영향(影響)되었다. 그리고 이들 각(各) 요인간(要因間)에 있어서 광도(光度)와 시기(時期), 광도(光度)와 밀도(密度), 광도(光度)와 밀도(密度)와 시기(時期) 간(間)의 상호작용(相互作用)과 이들 모두의 유의성(有意性)을 인정(認定)할 수 있었다. 2. 지하부(地下部)의 생중량(生重量)과 건중량(乾重量)은 상대광도(相對光度)가 높을수록 증가(增加)하는 반면(反面)에 식재밀도(植裁密度)가 높아질수록 생장(生長)은 점차(漸次) 감소(減少)하였다. 시기별(時期別)로는 5~6월(月)에 생중량(生重量) 생장(生長)이 가장 양호(良好)하였고, 건중량(乾重量) 생장(生長)은 7~8월(月)에 제일 크게 나타났다. 그리고 상대광도(相對光度)와 식재밀도(植裁密度)와 시기(時期) 모두 지하부(地下部) 건중량(乾重量) 생장(生長)에 영향(影響)을 미치며 각(各) 처리간(處理間)에 유의성(有意性)을 인정(認定)할 수 있었다.

• 한국광학회지
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• 제11권6호
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• pp.441-446
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• 2000

Balanced Homodyne Detection 방법으로 국소 진동자의 위상을 조절해 주면서, 각 위상에 대하여 광전류를 측정하여 전류세기의 분포함수를 구하여 이 값을 라돈 역변환을 포함한 Filtered Back Projection하여 빛의 양자역학적 상태를 규정하는 위그너 함수를 구하고 이로부터 간접적으로 밀도행렬을 구한다. 또 위상에 관계없이 구해진 분포함수에서 Pattern함수를 이용하여 밀도행렬을 구할 수 있다. 본 연구에서는 위의 모든 과정을 전산시늉을 통하여 여러 양자역학적 상태 입력 광에 대하여 예측되는 위그너 함수와 밀도 행렬을 구하였다.

• 한국재료학회지
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• 제5권4호
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• pp.420-425
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• 1995

AlGaN/GaInN 이중이종접합구조(double heterostructure :DH)를 대기압 유기금속기상에 피텍셜(MOVPE)법으로 AIN 와충층을 이용하여 사파이어 기판위에 성장하고, 실온에서의 광여기법에 의한 청색영역의 단면모드 유도방출특성과 편광특성을 조사하였다. 여기광원의 광밀도가 증가함에 따라 청색 영역에서의 유도방출 피크는 낮은 에너지 쪽으로 이동하였고, 유도방출 피크파장은 여기광밀도가 200kW/$cm^{2}$일때 402nm 이었으며, 스펙트럼의 반치폭은 18meV 이었다. 또한 유도방출에 필요한 여기광밀도의 임계치는 130 kW/$cm^{2}$ 이었다. AlGaN/GaInN로부터 방출되는 유도방출 광은 임계치 이상에서 TE-mode로 편광 되었다.