Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2003.12a
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pp.54-58
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2003
본 연구에서는 $SiO_2/Si$ 기판 위에 $1.1\mu\textrm{m}$ 두께의 ZRO 압전층을 다양한 조건 하에서 증착하고, 그 특성을 분석하고, film bulk acoustic wave resonator 소자에 적용하였다. 증착조건으로 $Ar/O_2$ 유량비를 25-75 %로 변화시켰으며, working pressure는 3~15 mtorr, RF power는 213~300 W로 변화시켜가며 실험을 하였다. 증착된 ZnO 박막은 XRD (X-ray diffractomter)와 SEM (scanning electron microscopy)을 통해 특성이 분석되었다. LFE모드의 BAW 공진기는 $50\times50\mu\textrm{m}^2$ 공진면적을 가지며, $W/SiO_2$의 5층 Bragg reflector와 상하부 전극으로 $1800{\AA}$의 Al-3% Cu, 그리고 $1.4\mu\textrm{m}$ 두께의 ZnO 압전박막으로 구성되었다. 2.128-2.151 GHz 주파수 사이에서 공진이 일어났으며, Q factor는 400으로 측정되었다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.5
no.7
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pp.1321-1325
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2001
In this article, piezoelectric films and their application for film bulk acoustic resonator (FBAR) devices are presented. The FBAR is composed of piezoelectric film sandwiched between top and bottom electrodes and an acoustic reflector of SiO2/W stacked multilayers. Various FBAR devices were fabricated and evaluated through simulation and measurement. The insertion loss, return loss and Q-factor were observed to be reasonably high and good. The FBAR technology seems very promising particularly for RF band filter application.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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v.47
no.1
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pp.62-66
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2010
A new soft recovery pulse width modulation quasi resonant converter composed only passive devices snubber network is proposed. This passive devices snubber network is revised form of folding snubber network that suppressed the reverse recovery current of main rectify diode in PWM converter. It also makes the MOSFET switching devices operate in soft state. The efficient of the proposed converter is almost same level to that of the converter of active snubber type. The overall circuit is simple and easy to realized. Therefore, it is suitable to apply to middle range output power source.
The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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v.2
no.4
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pp.59-64
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2009
In this paper, we represent characteristics and equivalent circuit of donut type resonator of defected ground structure (DGS), and can control resonant frequency with chip capacitor. In General, DGS operates like with parallel LC resonator. We found out variation of resonance frequency when capacitor is placed on slot of DGS. If the chip capacitor replace with varactor diode, the resonance frequencies can be controlled by voltage. This tualable resonator can apply to voltage controlled oscillator and tunable bandpass filter.
MOSFET 스위칭 소자를 사용하여 하프 브릿지 인버터를 구성하였고 게이트파형과 인덕터, 커패시터의 공진, Preheat 동작을 PSIM으로 구현하였다. LC 공진으로 통해 절연이 파괴되어 램프가 켜지고 Preheat 로 램프 전극 양단에 병렬로 연결되는 LC공진콘덴서 의해 예열되어 불필요한 전력소모를 줄이고 나타내었다. 램프가 켜지는 순간부터 가변저항을 이용하여 램프의 밝기를 조절 할 수 있게 구상하였으며 그 결과를 PSIM으로 시뮬레이션 하였다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2003.02a
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pp.178-179
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2003
단일기본모드 수직공진표면광레이저(VCSELs)는 광네트워크, 광연결, 광저장 및 레이저 프린팅 등 다양한 분야에 응용이 가능한 소자로서 많은 관심과 연구가 증대되고 있다. 일반적으로 VCSELs은 공간홀버닝(spatial hole burning)과 열 렌즈효과(thermal lensing)로 인하여 단일기본모드로 동작하기가 쉽지 않다. 지금까지 여러 가지 연구가 진행되고 있는데 대표적인 예로서 VCSEL의 공진기를 길게 하거나 출력경 표면을 정교하게 식각하는 방법, 그리고 이온 주입구경과 산화막을 함께 사용한 것들이 있다. (중략)
MHz 이상의 높은 공진 주파수를 가지는 LLC 공진형 컨버터는 공진 소자의 크기가 줄어 높은 전력 밀도를 구현 가능하다. 하지만 2차측 누설 인덕턴스가 공진에 크게 영향을 미쳐 기존의 디자인 방법에 오차가 커지고 이는 효율 감소로 이어진다. 본 논문은 이를 극복하기 위해 2차측 누설 인덕턴스를 고려한 컨버터 모델을 제시하고 이의 전압 이득을 분석한다. 제안하는 모델을 사용하여 높은 효율을 위한 변압기의 자화 인덕턴스, 턴 비를 제시하고, 안정적인 컨버터 동작을 위해 2차측 다이오드 디자인 방법을 제안한다. 모든 제안하는 분석 및 디자인 방법은 1 MHz 스위칭 주파수를 가지는 240 W LLC 공진형 컨버터를 통해 검증하였다.
LLC 하프브리지 공진형 컨버터는 세 개의 공진소자인 누설 인덕턴스, 자화인덕턴스, 공진 커페시터를 이용하여 영전압 스위칭을 실현 할 수 있고 낮은 전압, 전류 스트레스와 높은 효율을 기대할 수 있기 때문에 밀폐된 공간에서 동작해야하는 LED 전원장치로 적합하다. 특히 이동성의 편의를 위해 높은 전력밀도를 가져야 하는데 LLC 공진형 컨버터는 출력단에 인덕터가 없기 때문에 크기 면에서도 장점을 갖고 있다. 본 눈문에서는 LED 전원공급용 컨트롤기어인 LLC 하프브리지 컨버터의 최적설계를 반영한 이론적 해석 및 시뮬레이션을 하여 시 제작한 컨버터의 특성을 분석하였다.
In this study, the LC resonators were fabricated with ferrite cores and external capacitors, and then their characteristics were investigated for the purpose of developing new displacement sensor. The frequency dependence of impedance of single resonator was estimated. There were two resonance peaks on the impedance spectrum; one by self inductance and the other by mutual inductance. The resonance frequency was shifted linearly in direct proportion to displacement of the resonator showing the proposed device, a pair of LC resonators, could be used a precision displacement sensor.
스위칭 주파수의 대역 확산 기법(Spread Spectrum Technique; SST)은 전력 변환 장치에서 스위칭 시 발생하는 전자 방해 잡음(Electromagnetic Interference; EMI)을 추가 소자 없이 저감할 수 있는 기술이다. 하지만 공진형 컨버터의 경우 공진 네트워크의 전압 이득이 스위칭 주파수에 의해 결정되므로 SST를 적용하게 되면 출력 전압 리플이 크게 증가하게 된다. 본 논문에서는 전류원 LLC 공진형 컨버터에 SST를 적용하여 EMI를 줄이는 동시에 출력 전압 리플을 현저히 줄일 수 있는 공진 네트워크 디자인 방법을 제시하고자 한다. 제안하는 전류원 LLC 공진형 컨버터는 200 W의 시작품을 통해 성능을 검증하고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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