• Korean Chemical Engineering Research
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• v.57 no.5
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• pp.620-627
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• 2019

In this study, ignition delay characteristics of various bio aviation fuels (Bio-ADD, Bio-6308, Bio-7720) produced by HEFA process using different raw materials were compared and analyzed. In order to confirm the feasibility of applying bio aviation fuel to actual system, ignition delay characteristics of petroleum-based aviation fuel (Jet A-1) and blended aviation fuel (50:50, v:v) also analyzed. Ignition delay time of each aviation fuel was measured by using CRU, surface tension measurement and GC/MS and GC/FID analysis were performed to interpret the results. As a result, ignition delay time of Jet A-1 was the longest at all temperature because it contains aromatic compounds about 22.8%. The aromatic compounds can produce benzyl radical which is thermally stable and has low reactivity with oxygen during decomposition process. In the case of bio aviation fuels, ignition delay times were measured similarly because the ratio of n-paraffin/iso-paraffin constituting each aviation fuel is similar (about 0.12) and the composition ratio of cycloparaffin also has no difference. In addition, ignition delay times of blended aviation fuels (50:50, v:v) were measured close to the mean value those of each fuel so it was confirmed that it can be applied without any changing or improving of existing system.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.59-59
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• 2003

ZnO는 상온에서 3.37 eV의 넓은 밴드갭을 가지는 직접천이형 반도체이다. 상온에서 60 meV의 큰 엑시톤 결합에너지를 가짐으로 인해 엑시톤 재결합에 의한 강한 UV 레이저 발진효과를 기대할 수 있다. 이러한 장점을 갖는 ZnO 박막을 이용하여 광소자 등에 응용하기 위하여 양질의 ZnO 박막성장이 필수적이며, 이를 위해 MBE, MOCVD, PLD, rf magnetron sputtering 등 다양한 증착방법을 통한 연구결과가 보고되고 있다. 또한 p형 불순물인 As과 N 도핑 및 Ga과 N의 co-doping 방법 등을 통하여 p형 ZnO 박막을 제조하였음이 보고되고 있으나 재현성 문제 등으로 인해 계속적인 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 MOCVD를 이용하여 A1$_2$O$_3$(0001) 기판 위에 ZnO 박막을 성장시켰다. Zn 전구체로 DEZn을 사용하였으며, 산소 source로 $O_2$를 사용하였다. 증착온도, Ⅵ/II 비율, 반응기 압력 등 MOCVD의 중요한 공정변수들의 체계적인 변화에 따른 박막성장 양상을 조사하였다. 증착 조건에 따라 ZnO 입자의 모양이 주상(column), nano-rod, nano-needle, nano-wire 등으로 급격하게 변화됨을 확인하였으며, 이러한 입자의 모양과 결정성장 방향 및 광학적 특성과의 상관관계의 해석을 시도하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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• 2000.06a
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• pp.130-135
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• 2000

유기용제는 상온, 상압 하에서 휘발성이 있는 액체로서 다른 성분을 녹이는 성질이 있으며, 사용목적에 따라 단일 용제가 사용되나 대부분은 2종이상의 혼합용제 형태로 도장, 인쇄, 접착, 세정작업등 제조업뿐만 아니라 건설, 운수, 서비스업에 이르기까지 광범위하게 사용됨으로써 이를 사용하는 근로자에게 건강장애를 일으키기 쉽다. 사업장에서 사용되는 용제의 77%가 혼합용제이고 특히 도료에서의 혼합유기용제 사용비율은 93%, 신나 85%, 잉크 73%, 접착제 67%이며 세정제에는 단일 용제가 많이 사용되는 것으로 보고 되고있다. 유기용제 사용에 의한 건강장애를 예방하기 위해서는 유기용제의 사용실태 파악과 정확한 작업환경측정 및 평가를 통한 작업환경관리가 매우 중요하다고 생각 할 수 있다. (중략)

• Proceedings of the Korean Society for Bio-Environment Control Conference
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• 2000.10b
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• pp.51-57
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• 2000

고품질의 경쟁력이 있는 상품을 지속적으로 생산하기 위해서는 각 작물별 적합한 배양토(토양조건) 선정과 과학적인 영양(비배)관리가 절실히 요구된다. 이미 선진국에서는 분화용 또는 재배용 배양토를 기능적으로 전문화하여 산업에 활용하고 있으며, 이 분야에 대해서 가축분뇨 등 폐자원을 이용한 배양토 생산이 실용화되고 있다. 국내에서 공정육묘용 상토와 화분용, 식물재배용 배양토에 사용되는 원료(피트모스, 펄라이트, 암면 등)는 거의 대부분 외국으로부터 수입에 의존하고 있으며, 국내의 대규모 기업형 축사 또는 돈사에서 발생되는 축분은 환경오염의 근원이 되나 충분히 부숙 또는 특수가공처리를 한다면 필요한 배양토 조제에 효율적이고 기능적인 자원으로 활용할 수 있을 것으로 평가되고 있다. (중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.186-186
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• 2009

RF 부가형 DC 마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하여 상온에서 Indium tin oxide (ITO) 박막을 PET (polyethylene terephthalate) 기판 위에 증착하였다. 전체 파워는 70W로 유지하고 RF/ (DC+RF) 파워율은 0 %에서 100 %까지 20% 비율로 증가시켰다. 50 %의 RF/(RF+DC) 파워율에 의해 증착된 ITO 박막에서 상대적으로 낮은 비저항을 얻을 수 있었으며, bending test에 의한 기계적 내구성 또한 가장 우수하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.132-133
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• 2014

구리도금 및 적절한 어닐링 공정을 통해 수nm 크기의 초기 도금 미세조직과 수${\mu}m$정도의 결정립 크기를 갖는 재결정이 진행된 결정립이 병존하는 도금막 샘플을 제작하였다. 전기 비저항 측정과 EBSD를 통해 결정립 성장 분율을 측정하였으며 다양한 사이즈와 결정 방향을 갖는 결정립에 대해 질산용액을 이용하여 화학적 에칭방법을 통해 간접적으로 각 구리원자의 화학적 안정성을 평가할 수 있었다. 결과적으로 결정립이 클수록 에칭속도가 느린 것을 확인하였으며, 주요 원인으로 결정립계면이 우선적으로 에칭되는 것이 관찰되었다. 즉, 결정립의 크기가 작을수록 결정립계면의 비율이 커서 에칭속도가 증가하고 Nanosize의 초기 결정립이 빨리 에칭되는 것이 확인되었다.

• Korean Journal of Construction Engineering and Management
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• v.12 no.6
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• pp.14-21
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• 2011

A unit modular system is a construction method which installs on site by manufacturing 50%~90% of the whole process in the factory. This method can minimize the process in the site and maximize the operation, which will reduce the duration and improve the overall quality. The recent paradigm of construction is to be sustainable building. Modular system can be regarded as a sustainable building construction method because it can reduce the amount of construction waste by recycling partial or whole part of overdue building be torn down. A unit modular system is the answer to cope with the increasing market of small size housings. A unit modular system is the most appropriate option at this point. This research proposes the standard operation and construction process of modular system, which enable to optimal system. A case study of reconstructing small-size housing was introduced to support this proposal. Finished unit modular is the reasonable way. However, 80% of complication rate of the modular is the most rational when a defect occurrence during delivery is considered.

• Proceedings of the Korean Society of Dyers and Finishers Conference
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• 2012.03a
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• pp.89-89
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• 2012

선행 연구에서는 m-Aramid와 p-Aramid의 Ring 방적사/Core 방적사 조건에 따른 방적사 물성에 대해서 연구하였는데, Ring 방적사의 혼용율, 스핀들 속도에 따른 물성 변화, Core 방적사의 공정특성에 따른 방적성, 피복성에 대해 연구를 하였다. 그 결과 Ring 방적사의 경우 m-Aramid의 혼용율이 증가할수록 사 강도는 증가하는 경향을 확인할 수 있었고, 스핀들 속도가 증가함에 따라서 불균제도 및 사결점이 다소 증가하였다. Core 방적사의 경우 Core에 p-Aramid를 사용했을 때 방적성과 피복성은 양호 하였지만, 강한 p-Aramid에 의해 톱 롤러코트의 마모가 되는 경향을 볼 수 있었다. 본 연구에서는 Ring 방적사/Core 방적사에 대해 좀더 구체적인 제조공정조건에 의한 물성 변화를 알아보았고, 좀더 다양한 섬유소재를 적용해서 제조하였다. Ring 방적사의 경우 p-Aramid 혼용율에 따른 실험을 하였는데, m-Aramid에 대한 p-Aramid의 혼용율을 0%, 5%, 10%, 20% 로 하여 Ne30을 제조하였으며, Core 방적사는 Core를 p-Aramid 200D로 하고 Sheath를 Cotton으로 하여 Core 공급속도비 (1.06, 1.10, 1.14), 연계수(T/M, 3.8, 4.0, 4.2), Sheath/Core 혼섬율(70/30, 60/40, 50/50)에 따라 제조하였다. 추가로 Core 방적사는 Sheath에 Cotton 대신 FR-Rayon과 선염 Cotton을 사용하여 각각 Sheath/Core 혼섬율 70/30의 비율로 방적사를 제조하여 다양한 소재에 따른 방적사의 물성을 측정하였다. 제조된 시험 원사들의 측정 물성은 번수(Ne), 균제도(U%), 사결점(IPI), 강력(cN), 신도(%), 비강도(cN/Tex) 등이며, 편직을 통해 편성물의 외관을 확인하였다. Ring 방적사의 경우 p-Aramid의 혼용율이 증가할수록 강도는 완만하게 증가한 반면, 신도는 급격하게 감소하였다. Cotton Core 방적사의 경우는 공급속도비가 높아질수록 균제도가 높아지는 것을 볼수 있었고, Core 공급속도비가 높아질수록 외관상 피복도는 높아진 것을 볼 수 있었다. 이렇게 연구된 Aramid 소재를 이용한 방적사 제조 공정조건변화에 따른 물성 및 피복도 결과는 기존 방적업체에서 Aramid를 이용한 방적사 제조시에 공정조건을 확보하는데 도움이 될 것이라 생각되며, 방적사 시제품 생산시에 발생할 수 있는 시행착오를 줄임으로써 시제품 제조를 위한 생산비용의 Loss를 절감할 수 있을 것으로 예상된다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.18 no.4
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• pp.296-301
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• 2009

An inductively coupled plasma assisted atomic layer deposition(ICP-ALD) system has been constructed for the deposition of ZnO thin films, and various experiments of ZnO thin films on p-type Si(100) substrates have been carried out to find the self-limiting reaction conditions for the ICP-ALD system under non-plasma circumstances. Diethyl zinc[$Zn(C_2H_5)_2$, DEZn] was used as the zinc precursor, $H_2O$ as the oxidant, and Ar as the carrier and purge gas. At the substrate temperature of $150^{\circ}C$, atomic layer deposition conditions based on self-limiting surface reaction were successfully obtained by series of experiments through the variation of exposure times for DEZn, $H_2O$, and Ar. ZnO deposition was repeated at different substrate temperatures of $90{\sim}210^{\circ}C$. As a result, the thermal process window(ALD window) for ZnO thin films was observed to be $110{\sim}190^{\circ}C$ and the average growth rate was measured to be constant of 0.29 nm/cycle. Properties of the film's microstructure and composition(Zn, O, etc.) were also studied. As the substrate temperature increases, the crystallinity was improved and ZnO(002) peak became dominant. The films deposited at all temperatures were high purity, and the films deposited at high temperatures had the composition ratio between Zn and O closer to one of a stable hexagonal wurtzite structure.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.62-62
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• 2003

고밀도 유도결합 플라즈마(high density inductively coupled plasma) 식각은 GaAs 이종접합 양극성 트랜지스터(HBTs)와 고속전자 이동도 트랜지스터(HEMTs)와 같은 GaAs 기반 반도체의 정교한 패턴을 형성하는데 더욱 많이 이용되고 있다 본 연구는 고밀도 플라즈마 소스(source)인 평판형(planar) 고밀도 유도결합 플라즈마 식각장치를 이용하여 $BCl_3$ 와 $BCl_3/Ar$ 가스에 따른 GaAs 식각결과를 비교 분석하였다. 공정변수는 ICP 소스 파워를 0-500W, RIE 척(chuck) 파워를 0-150W, 공정압력을 0-15 mTorr 이었다. 그리고 가스 유량은 20sccm(standard cubic centimeter per minute)으로 고정시킨 상태에서 Ar 첨가 비율에 따른 GaAs의 식각결과를 관찰하였다. 공정 결과는 식각률(etch rate), GaAs 대 PR의 선택도(selectivity), 표면 거칠기(roughness)와 식각후 표면에 남아 있는 잔류 가스등을 분석하였다. 20 $BCl_3$ 플라즈마를 이용한 GaAs 식각률 보다 Ar이 첨가된 (20-x) $BC1_3/x Ar$ 플라즈마의 식각률이 더 우수하다는 것을 알 수 있었다. 식각률 증가는 Ar 가스의 첨가로 인한 GaAs 반도체와 Ar 플라즈마의 충돌로 나타난 결과로 예측된다. $BCl_3$ 와 $BC1_3/Ar$ 플라즈마에 노출된 GaAs 반도체 모두 표면이 평탄하였고 수직 측벽도 또한 우수하였다. 그리고 표면에 잔류하는 성분은 Ga와 As 이외에 $Cl_2$ 계열의 불순물이 거의 발견되지 않아 매우 깨끗함을 확인하였다. 이번 발표에서는 $BCl_3$ 와 $BCl_3/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaAs의 건식식각 비교에 대해 상세하게 보고 할 것이다.