• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.29 no.11B
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• pp.980-990
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• 2004

In this paper, we propose the dynamic bandwidth allocation algorithm for the IEEE802.3ah Ethernet Passive Optical Network(EPON) system to provide the fairness among terminals, and evaluate the delay-throughput performance by simulation. For the conventional EPON systems, an Optical Line Termination (OLT) schedules the upstream bandwidth for each Optical Network Unit (ONU), based on its buffer state. This scheme can provide a fair bandwidth allocation for each ONU. However, it has a critical problem that it does not guarantee the fair bandwidth among terminals which are connected to ONUs. For an example, we assume that the traffic from a greedy terminal increases at a time. Then, the buffer state of its ONU is instantly reported to the OLT, and finally the OW can get more bandwidth. As a result, the less bandwidth is allocated to the other ONUs, and thus the transfer delay of terminals connected to the ONUs gets inevitably increased. Noting that this unfairness problem exists in the conventional EPON systems, we propose a fair bandwidth allocation scheme by OLT with considering the buffer state of ONU as welt as the number of terminals connected it. For the performance evaluation, we develop the EPON simulation model with SIMULA simulation language. From the result of the throughput-delay performance and the dynamics of buffer state along time for each terminal and ONU, respectively, one can see that the proposed scheme can provide the fairness among not ONUs but terminals. Finally, it is worthwhile to note that the proposed scheme for the public EPON systems might be an attractive solution for providing the fairness among subscriber terminals.

• Journal of the Korea Society for Simulation
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• v.29 no.1
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• pp.57-69
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• 2020

Many researchers have recommended that DBR scheduling would be an efficient method to maintain the balance of their workload among many processes in the general flow shop. However, as product variety has increased in recent years, the process has become more complex and requires the re-entrance of raw materials and work in process. The re-entrant line has known for the complex manufacturing process that raw materials are repeatedly processed on the same machine. This study reviews the applicability of DBR against the re-entrant manufacturing line due to the distinguishing characteristics and the higher complexity caused by multiple visits of a job into the identical process. In order to apply the DBR method to the re-entrant process, the main idea is to reconstruct re-entrant process into a virtual flow process(loop) that has a single bottleneck. This study discusses the following two questions. First, DBR is also superior to traditional scheduling methods against re-entrant manufacturing line. And how we structure and detect the system bottleneck (or sub-bottleneck) through drum-buffer-rope concepts. To answer the above questions, we experimented and analyzed the effects of the applicability of DBR under the general re-entrant process model(TRC, Technology Research Center). As a result, we have identified a balance between loops for cycle time and work in process.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.19 no.4
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• pp.159-164
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• 2009

We fabricated 40 nm-thick cobalt silicide ($CoSi_2$) as a buffer layer, on p-type Si(100) and Si(111) substrates to investigate the possibility of GaN epitaxial growth on $CoSi_2$/Si substrates. We deposited GaN using a HVPE (hydride vapor phase epitaxy) with two processes of process I ($850^{\circ}C$-12 minutes + $1080^{\circ}C$-30 minutes) and process II ($557^{\circ}C$-5 minutes + $900^{\circ}C$-5 minutes) on $CoSi_2$/Si substrates. An optical microscopy, FE-SEM, AFM, and HR-XRD (high resolution X-ray diffractometer) were employed to determine the GaN epitaxy. In case of process I, it showed no GaN epitaxial growth. However, in process II, it showed that GaN epitaxial growth occurred. Especially, in process II, GaN layer showed selfaligned substrate separation from silicon substrate. Through XRD ${\omega}$-scan of GaN <0002> direction, we confirmed that the combination of cobalt silicide and Si(100) as a buffer and HVPE at low temperature (process II) was helpful for GaN epitaxy growth.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.27 no.8C
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• pp.803-811
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• 2002

Asynchronous Transfer Mode-Passive Optical Network(ATM-PON) Technology is one of the best solutions for implementation of broadband access network. In this paper, we propose a new Dynamic Bandwidth Allocation (DBA) algorithm for ATM-PON systems. The DBA is a key technique for data traffic management. DBA has been studied widely to allow ATM-PON to transport data traffic cost-effectively and efficiently, and currently a hot standardization issue in Full Service Access Network(FSAN) and ITU-T. The proposed DBA algorithm efficiently manages the user traffics according to their service categories. Performance of the proposed algorithm, in aspect of Cell Transfer Delay(CTD) and Cell Delay Variation(CDV), is evaluated using computer simulation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.23-23
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• 2010

CIGS 박막태양전지는 박막태양전지 기술 중 가장 주목을 받고 있는 기술에 해당한다. 그 이유는 박막태양전지 기술 중 즉, CdTe, a-Si, CIGS 중 가장 셀 효율이 높게 구현되고 있으며, 특히 다양한 제조공정이 가능하기 때문이다. 현재 CIGS 박막태양전지 양산에 적용되고 있는 제조기술은 동시증발법과 스퍼터/셀렌화 공정이다. 동시증발법의 경우, CIGS 태양전지의 세계최고효율을 구현한 기술로서 다른 모든 제조기술의 기준이 되는 공정이나, 실제로는 스퍼터/셀렌화 공정을 이용한 양산 규모가 훨씬 크게 전개되고 있다. 본 논문에서는 동시증발법이 최고효율을 구사한 물질 및 공정 스펙에 대해 살펴보고, 스퍼터/셀렌화 공정에서 동시증발법에 의해 제조된 소자 스펙을 구현하기 위해 어떠한 노력을 기울여야 하는 지에 대해 기술하고자 한다. 먼저, 동시증발법이 적용된 양산기술 현황에 대해 살펴보고, 여러가지 스펙 중에서 Na 제어기술, 버퍼층 기술, 투명전극 측면에서 소자성능의 최적화를 논하고자 한다. Na의 경우, 널리 알려진 바와 같이 CIGS 내 0.1at% 정도의 함유량이 필요하다. 동시증발법과는 다른 공정온도와 이력이 사용되는 스퍼터/셀렌화의 경우, Na 함량의 제어를 위해 어떠한 노력이 필요한지 Na의 역할 측면에서 논하고자 한다. CBD 공정으로 제조되고 있는 CdS는 얇은 두께와 단순한 공정으로 인해 다소 소홀하기 쉬우나, CdS/CIGS 접합이 소자의 성능에 미치는 영향이 매우 크기 때문에 CIGS 표면 물성 제어 측면에서 CdS 제조공정을 살펴보고자 한다. 마지막으로 투명전극은 CIGS 제조공정과는 무관하게 공통으로 검토가 필요한 분야이나, 동시 증발법에 의한 CIGS 표면형상이 스퍼터/셀렌화에 의한 CIGS와는 크게 다르므로 후속 투명전극공정 또한 세부적인 검토가 필요하다고 판단되는 바, 투명전극이 갖춰야하는 물성을 중심으로 소자최적화를 논하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.125-125
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• 2010

극성 [0001] 방향으로 성장된 질화물 기반의 LED (light emitting diode) 는 분극현상에 의해 발생하는 강한 내부 전기장의 영향을 받게 된다. 이러한 내부 전기장은 양자우물 내의 전자와 정공의 공간적 분리를 야기하고 quantum confined Stark effect (QCSE)에 의한 발광 파장의 적색 편이가 발생하며 양자효율의 저하를 가져오게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 InGaN/GaN이나 AlGaN/GaN 양자 우물구조를 GaN의 m-plane (1$\bar{1}$00) 이나 a-plane (11$\bar{2}$0) 등 비극성면 위에 성장하려는 시도를 하고 있다. 그러나 비극성 면의 비등방성 (anisotropy) 으로 인하여 결정성이 높은 비극성 GaN을 성장하는 데에는 많은 어려움이 있다. GaN 층의 표면을 평탄화하고 결정성을 향상시키기 위해서 저온 GaN 또는 AlN 버퍼층을 성장하는 2단계 방법이나 고온 버퍼층을 이용하여 성장하는 연구들이 많이 진행되고 있다. 본 연구에서는 고온 GaN 버퍼층을 이용하여 기존의 2단계 성장과정을 단순화한 비극성 a-plane GaN을 r-plane 사파이어 기판위에 유기금속 화학증착법 (MOCVD)으로 성장하였다. 사파이어 기판위에 AlN 층을 형성하기 위한 nitridation 과정 후 1030 도에서 두께 45 ~ 800 nm의 고온 GaN 버퍼층을 성장하고 총 박막 두께가 2.7 ~ 3 um 가 되도록 a-plane GaN을 성장하여 표면 양상의 변화와 결정성을 확인하였다. 또한 a-plane GaN 박막 성장 시에 성장 압력을 100 ~ 300 torr 로 조절하며 박막 성장의 변화 양상을 관찰하였다. 고온 GaN 버퍼층 성장 두께가 감소함에 따라 결정성은 증가하였으나 표면의 삼각형 형태의 pit 밀도가 증가함을 확인하였다. 또한 성장 압력이 감소함에 따라 표면 pit은 감소하였으나 결정성도 감소하는 것을 확인하였다. 성장 압력과 버퍼층 성장 두께를 조절하여 표면에 삼각형 형태의 pit이 존재하지 않는 RMS roughness 0.99 nm, 관통전위밀도 $1.78\;{\times}\;10^{10}/cm^2$, XRD 반가폭이 [0001], [1$\bar{1}$00] 방향으로 각 798, 1909 arcsec 인 a-plane GaN을 성장하였다. 이 연구를 통해 고온 GaN 버퍼 성장방법을 이용하여 간소화된 공정으로 LED 소자 제작에 사용할 수 있는 결정성 높은 a-plane GaN을 성장할 수 있는 가능성을 확인하였다.

• Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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• v.5 no.1
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• pp.79-83
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• 2004

The purpose of ATM traffic management is to protect the network using minimum resources and guarantee the requred QoS and also it is desirable to provide fairness between input channels. In this paper, we propose the TBBM(threshold based buffer management) algorithm to improve fairness between input channels and utilization of ATM networks. TBBM algorithm controls output cell rate dynamically based on threshold. The result shows that the required bandwidth of the TBBM algorithm is 14.3% lower in audio traffic and 41.8% lower in video traffic than that of theoretically calculated equivalent capacity method. and also reveals that the TBBM algorithm provide improved CLR fairness between input channels

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.22 no.5
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• pp.939-948
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• 1997

In this paper, we propose the new rate-based transmission rates control algorithm that allocates the fair band-width for ABR service in ATM network. In the traditional ABR service, bandwidth is allocated with constant rate increment or decrement, but in the proposed algorithm, it is allocated fairly to the connected calls by the fuzzy inference of the available bandwidth. The fuzzy inference uses buffer state and the buffer variant rate as the input variables, and uses the total transmission rate as a output variable. This inference a bandwidth is fairly distributed over all ABR calls in service. By simmulation, we showed that the proposed method improved 0.17% in link effectiveness when RIF, RDF is 1/4, 38.6% when RIF, RDF 1/16, and 82.4% when RIF, RDF 1/32 than that of the traditional EFPCA.

• The KIPS Transactions:PartC
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• v.8C no.3
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• pp.345-350
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• 2001

IP 네트워크 상에 TCP 데이터 트래픽의 제공은 처리율과 공정성을 향상시키기 위해 특별한 기법이 필요하다. 여기에는 DT와 RED와 같은 많은 기법들이 제안되었다. RED 알고리즘은 폭주를 회피하고 적은 지연과 높은 처리율을 유지하기 위한 목적으로 제안되었다. 현재의 TCP/IP 환경에서 TCP 근원지는 Slow-Start 단계에 들어감으로써 드롭된 패킷에 반응하지만, 네트워크 이용률은 급속히 떨어진다. 폭주를 탐지하고, 이를 무작위로 선택된 연결에 통보하므로써 RED는 글로벌 동기화 및 공정성 문제를 유발한다. 본 논문에서는 성능을 향상시키기 위해 공정성을 유지하고, 글로벌 동기화 문제를 해결할 수 있는 능동적인 큐 관리 알고리즘을 제안한다. 제안된 알고리즘은 버퍼크기와 임계치 변화에 따른 goodput, 처리율, 공정성의 평가인자를 이용하여 기존의 기법인 DT, RED와 비교 분석을 수행하고, 제안된 기법의 타당성을 보인다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.14 no.5
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• pp.887-892
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• 2019

In this study, after 20nm-thick $SiO_2$ thin film was deposited by PECVD method on the PES substrate, which is known to have the highest heat resistance among plastic substrates, as a buffer layer, ITZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering method to investigate the electrical and optical properties according to the working pressure. The ITZO thin film deposited at the working pressure of 3mTorr showed the best electrical properties with a resistivity of $8.02{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$ and a sheet resistance of $50.13{\Omega}/sq.$. The average transmittance in the visible region (400-800nm) of all ITZO films was over 80% regardless of working pressure. The Figure of merit showed the largest value of $23.90{\times}10^{-4}{\Omega}^{-1}$ in the ITZO thin film deposited at 3mTorr. This study found that ITZO thin films are very promising materials to replace ITO thin films in next-generation flexible display devices.